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1. (WO2007074695) ETCHING METHOD AND RECORDING MEDIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/074695    International Application No.:    PCT/JP2006/325369
Publication Date: 05.07.2007 International Filing Date: 20.12.2006
IPC:
H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
TOZAWA, Shigeki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MURAKI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IINO, Tadashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TOZAWA, Shigeki; (JP).
MURAKI, Yusuke; (JP).
IINO, Tadashi; (JP)
Agent: HAGIWARA, Yasushi; Hazuki International, Shinjuku Akebonobashi Building, 1-12, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
Priority Data:
2005-379494 28.12.2005 JP
Title (EN) ETCHING METHOD AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
(JA) エッチング方法及び記録媒体
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an etching method which enables to efficiently dry etch silicon oxide films of various kinds. Specifically disclosed is a method for etching a silicon oxide film in which an alteration step, wherein a mixed gas containing a hydrogen fluoride gas HF and an ammonia gas NH3 is supplied onto the surface of the silicon oxide film, and the silicon oxide film and the mixed gas are chemically reacted with each other, thereby altering the silicon oxide film and producing a reaction product, is performed first and then a heating step, wherein the reaction product is removed by heating, is carried out. In the alteration step, the temperature of the silicon oxide film and the partial pressure of the hydrogen fluoride gas HF are adjusted according to the kind of the silicon oxide film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure qui permet de graver à sec des pellicules d’oxyde de silicium de types divers de manière efficace. Elle concerne spécifiquement un procédé de gravure d’une pellicule d’oxyde de silicium dans lequel une étape d'altération, au cours de laquelle un mélange gazeux contenant du fluorure d'hydrogène gazeux HF et de l'ammoniac gazeux NH3 est injecté sur la surface de la pellicule d’oxyde de silicium, et la pellicule d’oxyde de silicium et le mélange gazeux réagissent chimiquement l’une avec l’autre, ce qui altère la pellicule d’oxyde de silicium et produit un produit de réaction, est réalisée d'abord puis une étape de chauffage, au cours de laquelle est le produit de réaction est retiré par chauffage, est effectuée. Dans l’étape d’altération, la température de la pellicule d'oxyde de silicium et la pression partielle du fluorure d'hydrogène gazeux HF sont ajustées en fonction du type de pellicule d'oxyde de silicium.
(JA)【課題】様々な種類のシリコン酸化膜を効率よくドライエッチングできるエッチング方法を提供する。 【解決手段】シリコン酸化膜をエッチングする方法において、シリコン酸化膜の表面に、フッ化水素ガスHF及びアンモニアガスNH3を含む混合ガスを供給し、シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ、シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い、その後、反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。かかる変質工程において、シリコン酸化膜の種類に応じて、シリコン酸化膜の温度、及び、混合ガス中のフッ化水素ガスHFの分圧を調節するようにした。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)