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1. (WO2007074242) METHOD FOR MAKING A PLATE-LIKE DETACHABLE STRUCTURE, IN PARTICULAR MADE OF SILICON, AND USE OF SAID METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2007/074242 International Application No.: PCT/FR2006/002886
Publication Date: 05.07.2007 International Filing Date: 27.12.2006
IPC:
H01L 21/762 (2006.01) ,C30B 33/02 (2006.01)
Applicants: ASPAR, Bernard[FR/FR]; FR (UsOnly)
LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle[FR/FR]; FR (UsOnly)
TRACIT TECHNOLOGIES[FR/FR]; 52, rue Corporat Centr'alp F-38430 Moirans, FR (AllExceptUS)
Inventors: ASPAR, Bernard; FR
LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle; FR
Agent: CASALONGA, Axel; BUREAU D.A. CASALONGA-JOSSE 8, avenue Percier F-75008 Paris, FR
Priority Data:
05 1336727.12.2005FR
Title (EN) METHOD FOR MAKING A PLATE-LIKE DETACHABLE STRUCTURE, IN PARTICULAR MADE OF SILICON, AND USE OF SAID METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE DEMONTABLE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM, ET APPLICATION DE CE PROCEDE
Abstract: front page image
(EN) The invention concerns a method for making a plate-like structure comprising at least one substrate (3), one superstrate (5) and at least one intermediate layer (4) interposed between the substrate and the superstrate, which consists in: forming on the substrate, at least one intermediate layer comprising at least one base material wherein are dispersed so-called extrinsic atoms or molecules, different from the atoms or molecules of the base material, so as to constitute a substructure (2); applying to said substructure (2) a basic heat treatment such that, in the temperature range of said heat treatment, the presence of selected extrinsic atoms or molecules in the selected base material generates a structural transformation of said intermediate layer; and assembling a superstrate (5) on said heat-treated intermediate layer (4), so as to obtain said plate-like structure (1). The method is useful for making detachable semiconductor structures.
(FR) Procédé de fabrication d'une structure en forme de plaque comprenant au moins un substrat (3), un superstrat (5) et au moins une couche intermédiaire (4) interposée entre le substrat et le superstrat, consistant : à former sur un substrat, au moins une couche intermédiaire comprenant au moins un matériau de base dans lequel sont répartis des atomes ou molécules dits extrinsèques, différents des atomes ou molécules du matériau de base, de façon à constituer une sous-structure (2) ; à appliquer à cette sous-structure (2) un traitement thermique de base tel que, dans la plage de température de ce traitement thermique, la présence des atomes ou molécules extrinsèques choisis dans le matériau de base choisi engendre une transformation structurelle de ladite couche intermédiaire ; et à assembler un superstrat (5) sur ladite couche intermédiaire (4) traitée thermiquement, de façon à obtenir ladite structure (1) en forme de plaque. Application du procédé à la fabrication de structures semi-conductrices démontables.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)