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1. (WO2007074137) NAPHTHALENETETRACARBOXYLIC ACID DERIVATIVES AND THEIR USE AS SEMICONDUCTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2007/074137 International Application No.: PCT/EP2006/070143
Publication Date: 05.07.2007 International Filing Date: 22.12.2006
IPC:
C07D 471/06 (2006.01) ,C07D 471/22 (2006.01) ,C07D 493/06 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01)
Applicants: KÖNEMANN, Martin[DE/DE]; DE (UsOnly)
BASF SE[DE/DE]; 67056 Ludwigshafen, DE (AllExceptUS)
Inventors: KÖNEMANN, Martin; DE
Agent: REITSTÖTTER, KINZEBACH & PARTNER; Ludwigsplatz 4 67059 Ludwigshafen, DE
Priority Data:
10 2005 061 997.523.12.2005DE
Title (EN) NAPHTHALENETETRACARBOXYLIC ACID DERIVATIVES AND THEIR USE AS SEMICONDUCTORS
(FR) DERIVE DE L’ACIDE NAPHTALINE TETRACARBOXYLIQUE ET SON UTILISATION EN TANT QUE SEMI-CONDUCTEUR
(DE) NAPHTHALINTETRACARBONSÄUREDERIVATE UND DEREN VERWENDUNG ALS HALBLEITER
Abstract:
(EN) The present invention relates to naphthalenetetracarboxylic acid derivatives of the general formula (I) in which at least one of the radicals R1, R2, R3 and R4 stands for a substituent selected from Br, F and CN, and the remaining radicals stand for hydrogen; Y1 stands for O or NRa, with Ra standing for hydrogen or an organyl radical; Y2 stands for O or NRb, with Rb standing for hydrogen or an organyl radical; Z1 and Z2 independently of one another stand for O or NRc, with Rc standing for an organyl radical; and Z3 and Z4 independently of one another stand for O or NRd, with Rd standing for an organyl radical; to a process for preparing them and to their use, more particularly as n-type semiconductors.
(FR) La présente invention concerne un dérivé de l’acide naphtaline tétracarboxylique de formule générale (I), dans laquelle au moins un des radicaux R1, R2, R3 et R4 représente un substituant choisi parmi Br, F et CN, les radicaux restants représentant l’hydrogène, Y1 représentant O ou NRa, Ra représentant l’hydrogène ou un radical organyle, Y2 représentant O ou NRb, Rb représentant l’hydrogène ou un radical organyle, Z1 et Z2 représentant indépendamment l’un de l’autre O ou NRc, Rc représentant un radical organyle, Z3 et Z4 représentant indépendamment l’un de l’autre O ou NRd, Rd représentant un radical organyle. L’invention concerne également un procédé de fabrication de ce dérivé et son utilisation, notamment en tant que semi-conducteur de type n.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft Naphthalintetracarbonsäurederivate, der allgemeinen Formel (I) wobei wenigstens einer der Reste R1, R2, R3 und R4 für einen Substituenten steht, der ausgewählt ist unter Br, F und CN, und die übrigen Reste für Wasserstoff stehen Y1 für O oder NRa steht, wobei Ra für Wasserstoff oder einen Organylrest steht, Y2 für O oder NRb steht, wobei Rb für Wasserstoff oder einen Organylrest steht, Z1 und Z2 unabhängig voneinander für O oder NRc stehen, wobei Rc für einen Organylrest steht, Z3 und Z4 unabhängig voneinander für O oder NRd stehen, wobei Rd für einen Organylrest steht, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung, insbesondere ais Halbleiter vom n-Typ.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)