(DE) Mit Hilfe eines RIE-Ätzverfahrens für Silizium (3), wird ohne jegliche zusätzliche Strukturierungsmaßnahme (e-beam, Interferenzlithographie, o. a.) durch Auswahl der Gasanteile des Ätzplasmas in einer Selbstorganisation eine kristallfehlerfreie, nadelförmige Struktur (4,4a) mit großem Aspektverhältnis und mit Nanodimensionen auf der Oberfläche von Siliziumscheiben erzeugt, wodurch unter anderem eine breitbandige Entspiegelung erreicht wird, die eine vielfältige Verwendung finden kann.
(EN) According to the invention, a self-organized pin-type structure (4, 4a) that has no crystal defects, a great aspect ratio, and nano dimensions is produced on the surface of silicon wafers with the aid of an RIE etching process for silicon (3) by selecting the gas concentration of the etching plasma, without taking any additional structuring measure (e-beam, interference lithography, or others), thus obtaining broadband antireflection that can be used in many different ways.
(FR) Selon l'invention, une structure en aiguilles (4, 4a) sans imperfections cristallines présentant un rapport d'aspect élevé et des dimensions nanométriques peut être produite sur la surface de tranches de silicium par un procédé de gravure ionique réactive pour silicium (3) sans opération de texturation additionnelle (faisceau d'électrons, lithographie interférentielle, etc.) par sélection de la concentration de gaz du plasma de gravure selon une auto-organisation, ce qui permet d'obtenir notamment une couche antireflet à large bande présentant de multiples possibilités d'utilisation.