(EN) A deposition apparatus and method for continuously depositing a polycrystalline material such as polysilicon or polycrystalline SiGe layer on a mobile discrete or continuous web substrate. The apparatus includes a pay-out unit for dispensing a discrete or continuous web substrate and a deposition unit that receives the discrete or continuous web substrate and deposits a series of one or more thin film layers thereon in a series of one or more deposition or processing chambers. In a preferred embodiment, polysilicon is formed by first depositing a layer of amorphous or microcrystalline silicon using PECVD and transforming said layer to polysilicon through heating or annealing with one or more lasers, lamps, furnaces or other heat sources. Laser annealing utilizing a pulsed excimer is a preferred embodiment. By controlling the processing temperature, temperature distribution within a layer of amorphous or microcrystalline silicon etc., the instant deposition apparatus affords control over the grain size of polysilicon. Passivation of polysilicon occur through treatment with a hydrogen plasma. Layers of polycrystalline SiGe may similarly be formed. The instant deposition apparatus provides for the continuous deposition of electronic devices and structures that include a layer of a polycrystalline material such as polysilicon and/or polycrystalline SiGe. Representative devices include photovoltaic devices and thin film transistors. The instant deposition apparatus also provides for the continuous deposition of chalcogenide switching or memory materials alone or in combination with other metal, insulating, and/or semiconducting layers.
(FR) Appareil de déposition et procédé de déposition continue d’un matériau polycristallin comme une couche de polysilicium ou une couche de SiGe polycristallin sur un substrat à bande continue ou discrète mobile. L’appareil comprend une unité de distribution permettant de dispenser un substrat à bande continue ou discrète et une unité de déposition qui reçoit le substrat à bande continue ou discrète et dépose une série d’une ou de plusieurs couches en film mince sur celui-ci dans une série d’une ou de plusieurs chambres de déposition ou de traitement. Selon un mode de réalisation préféré, le polysilicium est formé tout d’abord par la déposition d’une couche de silicium amorphe ou microcristallin par PECVD et par la transformation de ladite couche en polysilicium par chauffage ou recuit avec un ou plusieurs lasers, lampes, fours ou autres sources thermiques. Un recuit au laser utilisant un excimère pulsé est un mode de réalisation préféré. En régulant la température de traitement, la distribution de température dans une couche de silicium amorphe ou microcristallin, etc., l’appareil de déposition de l'invention permet de réguler la granulométrie du polysilicium. La passivation du polysilicium se produit suite à un traitement au plasma hydrogène. Des couches de SiGe polycristallin peuvent être élaborées de manière similaire. L’appareil de déposition de l'invention permet la déposition continue de dispositifs électroniques et de structures englobant une couche de matériau polycristallin comme le polysilicium et/ou le SiGe polycristallin. Les dispositifs représentatifs comprennent des dispositifs photovoltaïques et des transistors à film mince. L’appareil de déposition de l'invention permet aussi la déposition continue de matériaux de mémoire ou de commutation de chalcogénure seuls ou en combinaison avec d’autres couches de métal,isolantes et/ou semi-conductrices.