(EN) The invention relates to a method of manufacturing a microsystem and further to such microsystem. With the method a microsystem can be manufactured by stacking pre-processed foils (10) having a conductive layer (11a,11b) on at least one side. After stacking, the foils (10) are sealed, using pressure and heat. Finally the microsystems are separated from the stack (S). The pre-processing of the foils (preferably done by means of a laser beam) comprises a selection of the following steps: (A) leaving the foil intact, (B) locally removing the conductive layer, (C) removing the conductive layer and partially evaporating the foil (10), and (D) removing both the conductive layer as well as foil (10), thus making holes in the foil (10). In combination with said stacking, it is possible to create cavities, freely suspended cantilevers and membranes. This opens up the possibility of manufacturing various microsystems, like MEMS devices and microfluidic systems.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un microsystème ainsi que ce même microsystème. Le procédé de fabrication de ce microsystème peut consister à : empiler des feuilles prétraitées (10) pourvues d'une couche conductrice (11a, 11b) sur au moins un côté ; sceller les feuilles ainsi empilées par application de chaleur et compression ; et enfin, séparer les microsystèmes de l'empilement (S). Le prétraitement des feuilles (réalisé de préférence par faisceau laser) comprend une sélection des opérations suivantes: (A) laisser la feuille intacte ; (B) décoller localement la couche conductrice ; (C) retirer la couche conductrice et vaporiser partiellement la feuille (10) ; et enfin, (D) retirer à la fois la couche conductrice et la feuille (10), de manière à former des trous dans la feuille (10). En plus de cet empilement, il est possible de former des cavités, des membranes et des porte-à-faux librement suspendus ; ce qui par conséquent, offre la possibilité de fabriquer divers microsystèmes, tels que les dispositifs MEMS et les systèmes microfluidiques.