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1. (WO2007025062) PHOTOVOLTAIC TEMPLATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/025062    International Application No.:    PCT/US2006/033115
Publication Date: 01.03.2007 International Filing Date: 24.08.2006
IPC:
H01L 31/00 (2006.01)
Applicants: WAKONDA TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 37 Chablis Drive, Fairport, NY 14450 (US) (For All Designated States Except US).
FRITZEMEIER, Leslie, G. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FRITZEMEIER, Leslie, G.; (US)
Agent: MILLER, Christopher, B.; JAECKLE FLEISCHMANN & MUGEL, LLP, 190 Linden Oaks, Rochester, NY 14624-2812 (US)
Priority Data:
60/711,392 25.08.2005 US
Title (EN) PHOTOVOLTAIC TEMPLATE
(FR) MODELE PHOTOVOLTAIQUE
Abstract: front page image
(EN)A template for growth of an anticipated semiconductor film has a deformation textured substrate. The template also has an intermediate epitaxial film coupled to the deformation textured substrate, the intermediate epitaxial film being chemically compatible and substantially lattice matched with the anticipated semiconductor film. A method of manufacturing a template for the growth of an anticipated semiconductor is also disclosed. A substrate is deformed to produce a textured surface. An intermediate epitaxial film, chemically compatible and substantially lattice matched with the anticipated semiconductor film, is deposited. A further disclosed photovoltaic device has a semiconductor layer, a deformation textured substrate, and an intermediate epitaxial film coupled to the deformation textured substrate. The intermediate epitaxial film is chemically compatible and substantially lattice matched with the semiconductor layer. The semiconductor layer is epitaxially grown on the intermediate epitaxial film.
(FR)La présente invention se rapporte à un motel destiné à la croissance d'un film semi-conducteur anticipé, qui possède un substrat texturé par déformation. Le modèle possède également un film épitaxial intermédiaire couplé au substrat texturé par déformation, le film épitaxial intermédiaire étant chimiquement compatible et en accord de maille avec le film semi-conducteur anticipé. L'invention a également trait à un procédé de fabrication d'un modèle destiné à la croissance d'un semi-conducteur anticipé. Ledit procédé consiste à déformer un substrat afin de produire une surface texturée, et à déposer un film épitaxial intermédiaire, chimiquement compatible et sensiblement en accord de maille avec le film semi-conducteur anticipé. L'invention concerne également un dispositif photovoltaïque comportant une couche semi-conductrice, un substrat texturé par déformation, et un film épitaxial intermédiaire couplé au substrat texturé par déformation. Le film épitaxial intermédiaire est chimiquement compatible et sensiblement en accord de maille avec la couche semi-conductrice. L'on fait croître la couche semi-conductrice par épitaxie sur le film épitaxial intermédiaire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)