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1. (WO2007022538) TEST PADS FOR MEASURING PROPERTIES OF A WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/022538    International Application No.:    PCT/US2006/032822
Publication Date: 22.02.2007 International Filing Date: 21.08.2006
IPC:
G01R 31/02 (2006.01)
Applicants: KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; One Technology Drive, Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
SHI, Jianou [US/US]; (US) (For US Only).
ZHANG, Xiafang [US/US]; (US) (For US Only).
PEI, Shiyou [US/US]; (US) (For US Only).
HUANG, Shu, Chun [CN/CN]; (For US Only).
YEH, Dennis [CN/CN]; (For US Only).
RZEPIELA, Jeffrey, A. [US/US]; (US) (For US Only).
FENG, Yiping [US/US]; (US) (For US Only).
KHAN, Ahmad [PK/US]; (US) (For US Only).
KAGAN, Alexander [US/US]; (US) (For US Only).
EDELSTEIN, Sergio [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SHI, Jianou; (US).
ZHANG, Xiafang; (US).
PEI, Shiyou; (US).
HUANG, Shu, Chun; .
YEH, Dennis; .
RZEPIELA, Jeffrey, A.; (US).
FENG, Yiping; (US).
KHAN, Ahmad; (US).
KAGAN, Alexander; (US).
EDELSTEIN, Sergio; (US)
Agent: BAKER & McKENZIE LLP; 1114 Avenue of the Americas, New York, NY 10036 (US)
Priority Data:
60/709,736 19.08.2005 US
Title (EN) TEST PADS FOR MEASURING PROPERTIES OF A WAFER
(FR) PLOTS D'ESSAI, PROCEDES ET SYSTEMES DE MESURE DES PROPRIETES D'UNE TRANCHE DE SILICIUM ET SYSTEMES ET PROCEDES DE CONTROLE DU DEPOT D'UNE CHARGE SUR UNE TRANCHE POUR EN MESURER UNE OU PLUSIEURS PROPRIETES ELECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)Test pads, methods, and systems for measuring properties of a wafer are provided. One test pad formed on a wafer includes a test structure configured such that one or more electrical properties of the test structure can be measured. The test pad also includes a conductive layer formed between the test structure and the wafer. The conductive layer prevents structures located under the test structure between the conductive layer and the wafer from affecting the one or more electrical properties of the test structure during measurement. One method for assessing plasma damage of a wafer includes measuring one or more electrical properties of a test structure formed on the wafer and determining an index characterizing the plasma damage of the test structure using the one or more electrical properties. In addition, systems and methods for controlling deposition of a charge on a wafer for measurement of one or more electrical properties of the wafer are provided. One system includes a corona source configured to deposit the charge on the wafer and a sensor configured to measure one or more conditions within the corona source. This system also includes a control subsystem configured to alter one or more parameters of the corona source based on the one or more conditions. Another system includes a corona source configured to deposit the charge on the wafer and a mixture of gases disposed within a discharge chamber of the corona source during the deposition of the charge. The mixture of gases alters one or more parameters of the charge deposited on the wafer.
(FR)L'invention porte sur des plots d'essai, procédés et systèmes de mesure des propriétés d'une tranche de silicium. A cet effet un plot d'essai formé sur la tranche comporte: une structure d'essai telle qu'on puisse mesurer une ou plusieurs propriétés de la tranche, ainsi qu'une couche conductrice formée entre la structure d'essai et la tranche. Cette couche conductrice empêche les structures situées sous la structure d'essai et entre la couche conductrice et la tranche d'influer sur une ou plusieurs des propriétés électriques de la structure d'essai pendant les mesures. L'invention porte également un procédé d'évaluation des dommages faits à la tranche par le plasma consistant à mesurer une ou plusieurs des propriétés électriques de la structure d'essai formée sur la tranche, puis à déterminer un indice caractérisant les dommages à la structure d'essai à l'aide de la ou des propriétés électriques. L'invention porte en outre sur des systèmes et procédés de contrôle du dépôt d'une charge sur la tranche afin d'en mesurer une ou plusieurs des propriétés. L'un des systèmes comporte une source d'effet corona conçue pour déposer la charge sur la tranche, et un détecteur conçu pour mesurer un ou plusieurs états de la source d'effet corona. Ce système comporte également un sous-système conçu pour modifier un ou plusieurs paramètres de la source d'effet corona en fonction d'un ou plusieurs desdits états. Un autre système comporte une source d'effet corona conçue pour déposer la charge sur la tranche et un mélange de gaz placé dans la chambre de décharge de la source d'effet corona pendant le dépôt de la charge. Le mélange de gaz modifie un ou plusieurs des paramètres de la charge déposée sur la tranche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)