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1. (WO2007020865) IRIDIUM OXIDE POWDER, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PASTE CONTAINING THE SAME FOR THICK FILM RESISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2007/020865 International Application No.: PCT/JP2006/315811
Publication Date: 22.02.2007 International Filing Date: 10.08.2006
IPC:
H01C 7/00 (2006.01) ,H05K 1/16 (2006.01)
Applicants: MAEDA, Toshiki[JP/JP]; JP (UsOnly)
MAKUTA, Fujio[JP/JP]; JP (UsOnly)
OKABE, Yoshihiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.[JP/JP]; 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716, JP (AllExceptUS)
Inventors: MAEDA, Toshiki; JP
MAKUTA, Fujio; JP
OKABE, Yoshihiro; JP
Agent: KAWABI, Kenji; Higashi-ikebukuro Orimoto Bldg., 6th floor 9-7, Higashi-ikebukuro 3-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013, JP
Priority Data:
2005-23633617.08.2005JP
Title (EN) IRIDIUM OXIDE POWDER, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PASTE CONTAINING THE SAME FOR THICK FILM RESISTOR
(FR) POUDRE D'OXYDE D'IRIDIUM, PROCÉDÉ SERVANT À PRODUIRE CELLE-CI ET PÂTE CONTENANT CELLE-CI POUR UNE RÉSISTANCE À COUCHE ÉPAISSE
(JA) 酸化イリジウム粉、その製造方法及びそれを用いた厚膜抵抗体用ペースト
Abstract:
(EN) An iridium oxide powder which, when used as a conductive powder for thick film resistors, gives a paste in which the powder has satisfactory dispersibility. By burning the paste, a resistor having satisfactory electrical properties can be formed. Also provided are: a process for industrially inexpensively producing the iridium oxide powder; and a paste for thick film resistors which contains the iridium oxide powder. The process for iridium oxide powder production is characterized in that ammonium hexachloroiridate(IV) containing a potassium ingredient in an amount of 0.02-0.3 wt.% based on the whole is roasted in an oxidizing atmosphere at 700-1,000°C. By the process, an iridium oxide powder is obtained which contains potassium in an amount of 0.03-0.2 wt.% based on the whole and iridium metal in an amount of 3 wt.% or smaller based on the whole, has a structure consisting of an iridium-oxide phase only or comprising an iridium oxide phase and an iridium metal phase, and has an average particle diameter of 20-100 nm.
(FR) L'invention concerne une poudre d'oxyde d'iridium laquelle, lorsqu'elle est utilisée comme poudre conductrice pour des résistances à couche épaisse, donne une pâte dans laquelle la poudre a une dispersibilité satisfaisante. En cuisant la pâte, on peut former une résistance ayant des propriétés électriques satisfaisantes. L'invention concerne également : un procédé servant à produire industriellement à bon marché la poudre d'oxyde d'iridium ; et une pâte pour des résistances à couche épaisse qui contient la poudre d'oxyde d'iridium. Le procédé pour la production de poudre d'oxyde d'iridium est caractérisé en ce qu'on calcine dans une atmosphère oxydante à 700-1000°C de l'hexachloroiridate(IV) d'ammonium contenant un ingrédient du potassium en quantité de 0,02-0,3 % en poids sur la base du total. Par le procédé, on obtient une poudre d'oxyde d'iridium qui contient du potassium en quantité de 0,03-0,2 % en poids sur la base du total et de l'iridium métal en quantité inférieure ou égale à 3 % en poids sur la base du total, qui a une structure constituée seulement d'une phase d'oxyde d'iridium ou comprenant une phase d'oxyde d'iridium et une phase d'iridium métal et qui a un diamètre moyen des particules de 20-100 nm.
(JA)  厚膜抵抗体用の導電粉として用いてペーストを得て、該ペーストを焼成して抵抗体としたときに、ペースト中での分散性が良好であり、さらに良好な電気的特性の抵抗体を形成することができる酸化イリジウム粉とその工業的に安価な製造方法及びこの酸化イリジウム粉を用いてなる厚膜抵抗体用ペーストを提供する。 酸化イリジウム粉の製造方法は、カリウム成分を全量に対し0.02~0.3重量%含有するヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウムを、酸化性雰囲気下に700~1000°Cの温度で焙焼することを特徴とする。また、この製造方法によって、カリウムを全量に対し0.03~0.2重量%、かつ金属イリジウムを全量に対し3重量%以下含有し、組織が酸化イリジウム単相又は酸化イリジウム相と金属イリジウム相からなるとともに、平均粒径が20~100nmである酸化イリジウム粉が得られる。    
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)