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1. (WO2007020823) MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR READING/WRITING DATA IN MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/020823    International Application No.:    PCT/JP2006/315528
Publication Date: 22.02.2007 International Filing Date: 04.08.2006
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
NUMATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHSHIMA, Norikazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIWATA, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKAMI, Shunsuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NUMATA, Hideaki; (JP).
OHSHIMA, Norikazu; (JP).
SUZUKI, Tetsuhiro; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP).
ISHIWATA, Nobuyuki; (JP).
FUKAMI, Shunsuke; (JP)
Agent: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
Priority Data:
2005-235187 15.08.2005 JP
2006-088068 28.03.2006 JP
Title (EN) MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR READING/WRITING DATA IN MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) CELLULE DE MEMOIRE MAGNETIQUE, MEMOIRE A ACCES ALEATOIRE MAGNETIQUE ET PROCEDE DE LECTURE/D'ECRITURE DANS LA MEMOIRE A ACCES ALEATOIRE MAGNETIQUE
(JA) 磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、及び磁気ランダムアクセスメモリへのデータ読み書き方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a novel data write method for an MRAM, by which deterioration of a tunnel barrier layer can be suppressed. A magnetic memory cell (1) is provided with a magnetic recording layer (10), and a pin layer (30) connected to the magnetic recording layer (10) through a nonmagnetic layer (20). The magnetic recording layer (10) is provided with a magnetization switching area (13), a first magnetization fixed area (11) and a second magnetization fixed area (12). The magnetization switching area (13) is provided with switchable magnetization and faces the pin layer (30). The first magnetization fixed area (11) is connected to a first boundary (B1) of the magnetization switching area (13), and the direction of the magnetization is fixed in a first direction. The second magnetization fixed area (12) is connected to a second boundary (B2) of the magnetization switching area (13), and the direction of the magnetization is fixed in a second direction. Both the first direction and the second direction are directions toward the magnetization switching area (13) or directions to be away from the magnetization switching area (13).
(FR)L'invention concerne un nouveau procédé d'écriture de données d'une mémoire à accès aléatoire magnétique, MRAM, qui permet de supprimer la détérioration d'une couche de protection à effet de tunnel. L'invention concerne également une cellule de mémoire magnétique (1) dotée d'une couche d'enregistrement magnétique (10), à laquelle est connectée une couche pin (30) par le biais d'une couche non magnétique (20). La couche d'enregistrement magnétique (10) est dotée d'une zone de renversement de l'aimantation (13), d'une première zone fixe d'aimantation (11) et d'une seconde zone fixe d'aimantation (12). La zone de renversement de l'aimantation (13) est dotée d'une aimantation commutable et fait face à la couche pin (30). La première zone fixe d'aimantation (11) est connectée à une première bordure (B1) de la zone de renversement de l'aimantation (13), et la direction de l'aimantation est fixée dans une première direction. La seconde zone fixe d'aimantation (12) est connectée à une seconde bordure (B2) de la zone de renversement de l'aimantation (13), et la direction de l'aimantation est fixée dans une seconde direction. Les deux première et seconde directions sont orientées vers la zone de renversement de l'aimantation (13) ou vers des directions qui sont à distance de la zone de renversement de l'aimantation (13).
(JA) 本発明は、トンネルバリヤ層の劣化を抑制することができる新たなMRAMのデータ書き込み方式を提供する。 磁気メモリセル1は、磁気記録層10と、非磁性層20を介して磁気記録層10に接続されたピン層30とを備える。磁気記録層10は、磁化反転領域13と、第1磁化固定領域11と、第2磁化固定領域12を有する。磁化反転領域13は、反転可能な磁化を有し、ピン層30と対向する。第1磁化固定領域11は、磁化反転領域13の第1境界B1に接続され、その磁化の向きは第1方向に固定される。第2磁化固定領域12は、磁化反転領域13の第2境界B2に接続され、その磁化の向きは第2方向に固定される。第1方向及び第2方向は共に、磁化反転領域13へ向かう方向、又は、磁化反転領域13から離れる方向である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)