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1. (WO2007020538) INTEGRATED DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A TEMPERATURE SENSING ELEMENT AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/020538    International Application No.:    PCT/IB2006/003401
Publication Date: 22.02.2007 International Filing Date: 10.07.2006
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 7700 West Parmer Lane Austin, TX 78729 (US) (For All Designated States Except US).
REYNES, Jean-Michel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
DERAM, Alain J [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MARTY, Eric [FR/FR]; (FR) (For US Only).
SAUVEPLANE, Jean-Baptiste [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: REYNES, Jean-Michel; (FR).
DERAM, Alain J; (FR).
MARTY, Eric; (FR).
SAUVEPLANE, Jean-Baptiste; (FR)
Priority Data:
PCT/EP2005/009174 13.07.2005 EP
Title (EN) INTEGRATED DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A TEMPERATURE SENSING ELEMENT AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE DETECTION DE TEMPERATURE
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to an integrated device, comprising a semiconductor device (30) formed on a semiconductor substrate (4), a temperature sensing element (15) formed within a semi -conductive layer (8) formed on the semiconductor substrate (4), an electrically insulating layer (16) formed over the semi-conductive layer (8), a metal layer (20) formed over the insulation layer (16) and forming an electrical contact of the semiconductor device (30), A thermal contact (27) extends from the metal layer (20) through the electrically insulating layer (16) to a region (26) of the semi-conductive layer (8) electrically isolated from the temperature sensing element (15). The present invention also relates to a method of forming the integrated device.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif intégré, comportant un dispositif semi-conducteur (30) formé sur un substrat semi-conducteur (4), un élément de détection de température (15) formé au sein d'une couche semi-conductrice (8) formée sur le substrat semi-conducteur (4), et une couche d'isolation électrique (16) formée sur la couche semi-conductrice (8), une couche métallique (20) formée sur la couche d'isolation (16) et formant un contact électrique du dispositif semi-conducteur (30), et un contact thermique s'étendant depuis la couche métallique (20) à travers la couche d'isolation électrique (16) jusqu'à une première zone de la couche semi-conductrice (8), la première zone de la couche semi-conductrice (8) étant électriquement isolée de l'élément de détection de température (15). La présente invention a également trait à un procédé de formation d'un élément de détection de température (15) destiné à être intégré avec un dispositif semi-conducteur (30).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)