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1. (WO2007019500) COPPER CONDUCTOR ANNEALING PROCESS EMPLOYING HIGH SPEED OPTICAL ANNEALING WITH A LOW TEMPERATURE-DEPOSITED OPTICAL ABSORBER LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/019500    International Application No.:    PCT/US2006/030888
Publication Date: 15.02.2007 International Filing Date: 07.08.2006
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), B23K 26/08 (2006.01), B23K 26/06 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: RAMASWAMY, Kartik; (US).
HANAWA, Hiroji; (US).
GALLO, Biagio; (US).
COLLINS, Kenneth, S.; (US).
MA, Kai; (US).
PARIHAR, Vijay; (US).
JENNINGS, Dean; (US).
MAYUR, Abhilash, J.; (US).
AL-BAYATI, Amir; (US).
NGUYEN, Andrew; (US)
Agent: WALLACE, Robert, M.; 2112 Eastman Avenue, Suite 102, Ventura, CA 93003 (US)
Priority Data:
11/199,572 08.08.2005 US
Title (EN) COPPER CONDUCTOR ANNEALING PROCESS EMPLOYING HIGH SPEED OPTICAL ANNEALING WITH A LOW TEMPERATURE-DEPOSITED OPTICAL ABSORBER LAYER
(FR) PROCEDE DE RECUIT D'UN CONDUCTEUR EN CUIVRE DANS LEQUEL ON UTILISE LE RECUIT OPTIQUE A GRANDE VITESSE POUR UNE COUCHE D'ABSORBEUR OPTIQUE DEPOSE A BASSE TEMPERATURE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a conductor in a thin film structure on a semiconductor substrate includes forming high aspect ratio openings in a base layer having vertical side walls, depositing a dielectric barrier layer comprising a dielectric compound of a barrier metal on the surfaces of the high aspect ratio openings including the vertical side walls, depositing a metal barrier layer comprising the barrier metal on the first barrier layer, depositing a main conductor species seed layer on the metal barrier layer and depositing a main conductor layer. The method further includes annealing the main conductor layer by (a) directing light from an array of continuous wave lasers into a line of light extending at least partially across the thin film structure, and (b) translating the line of light relative to the thin film structure in a direction transverse to the line of light. The method of Claim 1 further comprising, prior to the annealing step, depositing an amorphous carbon optical absorber layer on the main conductor layer. The step of depositing an amorphous carbon optical absorber layer includes introducing a carbon-containing process gas into a reactor chamber containing the substrate in a process zone of the reactor, applying RF source power to an external reentrant conduit of the reactor to generate a reentrant toroidal RF plasma current passing through the process zone and applying a bias voltage to the substrate.
(FR)Un procédé de formation d'un conducteur dans une structure de film mince sur un substrat semiconducteur consiste à former des ouvertures à facteur de forme élevé dans une couche de base présentant des parois latérales verticales, à déposer une couche barrière diélectrique comprenant un composé diélectrique d'un métal barrière sur les surfaces des ouvertures à facteur de forme élevé comprenant les parois latérales verticales, à déposer une couche barrière métallique comprenant le métal barrière sur la première couche barrière, à déposer une couche principale d'ensemencement d'espèces conductrices sur la couche barrière métallique et à déposer une couche conductrice principale. Le procédé consiste également à effectuer le recuit de la couche conductrice principale au moyen (a) de l'orientation d'une lumière provenant d'un réseau de lasers à onde entretenue dans une ligne de lumière s'étendant au moins partiellement au niveau de la structure de film mince et (b) de la translation de la ligne de lumière par rapport à la structure de film mince, dans une direction transversale à la ligne de lumière. Le procédé, dans la Revendication 1, consiste, avant l'étape de recuit, à déposer une couche d'absorbeur optique en carbone amorphe sur la couche conductrice principale. L'étape de dépôt d'une couche d'absorbeur optique en carbone amorphe consiste à introduire un gaz de traitement contenant du carbone dans une chambre de réacteur contenant le substrat placé dans une zone de traitement du réacteur, à appliquer une source de puissance RF sur un conduit de réentrée externe du réacteur en vue de générer un courant de plasma RF toroïdal réentrant qui traverse la zone de traitement et à appliquer une tension de polarisation sur le substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)