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1. (WO2007019342) HIGH THROUGHPUT CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION FOR METAL FILM PLANARIZATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/019342    International Application No.:    PCT/US2006/030508
Publication Date: 15.02.2007 International Filing Date: 07.08.2006
Chapter 2 Demand Filed:    05.06.2007    
IPC:
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/463 (2006.01), H01L 21/461 (2006.01)
Applicants: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US) (For All Designated States Except US).
BOGGS, Karl [US/US]; (US) (For US Only).
DARSILLO, Michael [US/US]; (US) (For US Only).
WRSCHKA, Peter [US/US]; (US) (For US Only).
WELCH, James [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BOGGS, Karl; (US).
DARSILLO, Michael; (US).
WRSCHKA, Peter; (US).
WELCH, James; (US)
Agent: FUIERER, Tristan A.; MOORE & VAN ALLEN PLLC, Post Office Box 13706, Research Triangle Park, North Carolina 27709 (US)
Priority Data:
60/706,206 05.08.2005 US
Title (EN) HIGH THROUGHPUT CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION FOR METAL FILM PLANARIZATION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE A HAUT RENDEMENT POUR PLANARISATION DE COUCHE METALLIQUE
Abstract: front page image
(EN)A chemical mechanical polishing process including a single Step I CMP slurry formulation for planarization of a microelectronic device structure preferably having copper deposited thereon. The process includes the bulk removal of a copper layer using a first CMP slurry formulation having oxidizing agent, passivating agent, abrasive and solvent, and the soft polishing and over-polishing of the microelectronic device structure using a formulation including the first CMP slurry formulation and at least one additional additive. The CMP process described herein provides a high copper removal rate, a comparatively low barrier material removal rate, appropriate material selectivity ranges to minimize copper dishing at the onset of barrier material exposure, and good planarization efficiency.
(FR)Cette invention concerne un procédé de polissage chimico-mécanique comprenant une seule formulation de suspension de polissage chimico-mécanique (CMP) d'étape I pour planarisation d'une structure de dispositif micro-électronique sur laquelle du cuivre s'est de préférence déposé. Le procédé consiste à éliminer grossièrement une couche de cuivre à l'aide d'une première formulation de suspension de polissage chimico-mécanique renfermant un agent oxydant, un agent de passivation, un abrasif et un solvant puis à polir doucement et à surpolir la structure de dispositif micro-électronique à l'aide d'une formulation comprenant la première formulation de suspension de polissage chimico-mécanique et d'au moins un additif supplémentaire. Le procédé de polissage chimico-mécanique offre une vitesse d'élimination du cuivre élevée, une vitesse d'élimination du matériau barrière relativement faible, des gammes de sélectivité de matériau appropriées permettant de réduire au minimum le bombage du cuivre au début de l'exposition du matériau barrière, ainsi qu'une bonne efficacité de planarisation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)