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1. (WO2007018811) MAGNETIC TUNNEL JUNCTION SENSOR METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/018811    International Application No.:    PCT/US2006/025259
Publication Date: 15.02.2007 International Filing Date: 28.06.2006
IPC:
G01R 33/02 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (For All Designated States Except US).
CHUNG, Young Sir [KR/US]; (US) (For US Only).
BAIRD, Robert W. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHUNG, Young Sir; (US).
BAIRD, Robert W.; (US)
Agent: KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Priority Data:
11/192,570 29.07.2005 US
Title (EN) MAGNETIC TUNNEL JUNCTION SENSOR METHOD
(FR) PROCEDE DE DETECTEUR DE JONCTION A EFFET TUNNEL MAGNETIQUE
Abstract: front page image
(EN)Methods and apparatus are provided for sensing physical parameters. The apparatus (30) comprises a magnetic tunnel junction (MTJ) (32) and a magnetic field source (34) whose magnetic field (35) overlaps the MTJ and whose proximity to the MTJ varies in response to an input to the sensor. The MTJ comprises first and second magnetic electrodes (36, 38) separated by a dielectric (37) configured to permit significant tunneling conduction therebetween. The first magnetic electrode has its spin axis pinned and the second magnetic electrode has its spin axis free. The magnetic field source is oriented closer to the second magnetic electrode than the first magnetic electrode. The overall sensor dynamic range is extended by providing multiple electrically coupled sensors receiving the same input but with different individual response curves and desirably but not essentially formed on the same substrate.
(FR)L'invention concerne des procédés et des appareils servant à la détection de paramètres physiques. L'appareil (30) comprend une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) (32) et une source de champ magnétique (34) dont le champ magnétique chevauche le MTJ et dont la proximité avec le MTJ varie en réponse à une entrée de détecteur. Le MTJ comprend une première et une seconde électrodes magnétiques (36, 38) séparées par un diélectrique (37) configuré pour permettre une conduction significative par effet tunnel entre elles. La première électrode magnétique a son axe de rotation connecté, et la seconde électrode magnétique a son axe de rotation libre. La source de champ magnétique est orientée plus proche de la seconde électrode magnétique que de la première électrode magnétique. La gamme dynamique de l'ensemble de détection est augmentée grâce à de multiples détecteurs couplés électriquement, recevant la même entrée, mais avec des courbes de réponse individuelles différentes, et formés, de préférence, mais non essentiellement, sur le même substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)