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1. (WO2007018003) METHOD OF FORMING METALLIC FILM AND PROGRAM-STORING RECORDING MEDIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/018003    International Application No.:    PCT/JP2006/313460
Publication Date: 15.02.2007 International Filing Date: 06.07.2006
Chapter 2 Demand Filed:    06.06.2007    
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/08 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
TACHIBANA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIURA, Masahito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIMORI, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATOH, Kohichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TACHIBANA, Mitsuhiro; (JP).
SUGIURA, Masahito; (JP).
NISHIMORI, Takashi; (JP).
SATOH, Kohichi; (JP)
Agent: OHYAMA, Hiroaki; Reo Akasaka Bldg. 5A, 2-14, Akasaka 6-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Priority Data:
2005-233819 11.08.2005 JP
Title (EN) METHOD OF FORMING METALLIC FILM AND PROGRAM-STORING RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MÉTALLIQUE ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT AVEC STOCKAGE DE PROGRAMME
(JA) 金属系膜形成方法及びプログラムを記録した記録媒体
Abstract: front page image
(EN)It is intended to form a metallic film with resistance lower than in the prior art through controlling of crystal structure. The method may comprise the first tungsten film forming step and the second tungsten film forming step. In the first tungsten film forming step, the step of feeding, for example, WF6 gas as a metallic raw material gas and the step of feeding, for example,SiH4 gas as a hydrogen compound gas are alternately repeatedly carried out with the purging step of feeding an inert gas, for example, Ar gas or N2 gas interposed between the above steps to thereby form the first tungsten film containing amorphous matter. In the second tungsten film forming step, the WF6 gas and a reducing gas, for example, H2 gas are simultaneously fed over the first tungsten film so as to form the second tungsten film. The ratio of amorphous matter contained in the first tungsten film is controlled by varying the execution time of the purging step ensuing the step of feeding SiH4 gas.
(FR)L’invention entend proposer la formation d’un film métallique avec une résistance inférieure à celle de l’art antérieur en contrôlant la structure cristalline. Le procédé peut comprendre la première phase de formation de film de tungstène et la seconde phase de formation de film de tungstène. Dans la première phase de formation de film de tungstène, la phase d’alimentation, par exemple, de gaz WF6 comme gaz de matière première métallique et la phase d’alimentation, par exemple, de gaz SiH4 comme gaz composé d’hydrogène sont répétées de manière alternée et réalisées avec la phase de purge consistant à injecter un gaz inerte, par exemple, de gaz Ar ou de gaz N2 interposé entre les phases ci-dessus pour ainsi constituer le premier film de tungstène contenant une matière amorphe. Dans la seconde phase de formation de film de tungstène, le gaz WF6 et un gaz réducteur, par exemple, du gaz H2 sont injectés de manière simultanée au-dessus du premier film de tungstène pour constituer le second film de tungstène. Le rapport de matière amorphe contenu dans le premier film de tungstène est contrôlé en jouant sur la durée d’exécution de la phase de purge garantissant la phase d’injection de gaz SiH4.
(JA) 結晶構造をコントロールすることによって,従来以上に低い抵抗を有する金属系膜を形成する。  金属系原料ガスとして例えばWFガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばSiHガスを供給するステップとを,不活性ガス例えばArガス,Nガスを供給するパージステップを介在させて,交互に繰り返し実行することによって,非晶質を含む第1タングステン膜を成膜する第1タングステン膜成膜ステップと,第1タングステン膜上に,上記WFガスと還元性ガスとして例えばHガスを同時に供給することによって,第2タングステン膜を成膜する第2タングステン膜成膜ステップとを含む。SiHガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第1タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)