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1. (WO2007017475) ORGANIC PHOTODETECTOR WITH AN INCREASED SENSITIVITY AND USE OF A TRIARYL AMINE-FLUORENE POLYMER AS AN INTERMEDIATE LAYER IN A PHOTODETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/017475    International Application No.:    PCT/EP2006/065081
Publication Date: 15.02.2007 International Filing Date: 04.08.2006
IPC:
H01L 51/44 (2006.01), H01L 51/46 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
FÜRST, Jens [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HENSELER, Debora [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLAUSMANN, Hagen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TEDDE, Sandro, Francesco [IT/IT]; (IT) (For US Only).
ZAUS, Edgar [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: FÜRST, Jens; (DE).
HENSELER, Debora; (DE).
KLAUSMANN, Hagen; (DE).
TEDDE, Sandro, Francesco; (IT).
ZAUS, Edgar; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Priority Data:
10 2005 037 421.2 08.08.2005 DE
Title (DE) ORGANISCHER PHOTODETEKTOR MIT ERHÖHTER EMPFINDLICHKEIT, SOWIE VERWENDUNG EINES TRIARYLMIN-FLUOREN-POLYMERS ALS ZWISCHENSCHICHT IN EINEM PHOTODETEKTOR
(EN) ORGANIC PHOTODETECTOR WITH AN INCREASED SENSITIVITY AND USE OF A TRIARYL AMINE-FLUORENE POLYMER AS AN INTERMEDIATE LAYER IN A PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODETECTEUR ORGANIQUE A SENSIBILITE ACCRUE ET UTILISATION D'UN POLYMERE DE TRIARYLAMINE ET DE FLUORENE COMME COUCHE INTERMEDIAIRE DANS UN PHOTODETECTEUR
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen organischen Photodetektor mit reduziertem Dunkelstrom, also mit erhöhter Empfindlichkeit insbesondere für niedrige Lichtintensitäten. Durch eine Elektronenblockerschicht in einem Photodetektor wird es erstmals ermöglicht, den Dunkelstrom von Photodetektoren wirksam zu reduzieren. Dazu wird zwischen der Anode und der photoaktiven Schicht eine Elektronenblockerschicht angeordnet, deren HOMO an das Energieniveau des Anodenmaterials angepasst ist, deren HOMO/LUMO Bandabstand zumindest 2,5 eV beträgt und die eine gute Lochmobilität innerhalb der Schicht zeigt.
(EN)The invention relates to an organic photodetector with a reduced dark current and thus an increased sensitivity, in particular to low light intensities. An electron blocking layer in the photodetector enables the dark current of photodetectors to be effectively reduced for the first time. According to the invention, an electron blocking layer is situated between the anode and the photoactive layer. The HOMO level of said blocking layer is adapted to the energy level of the anode material, the HOMO/LUMO band gap of said blocking layer is at least 2.5 eV and excellent hole mobility is consistent throughout the layer.
(FR)L'invention concerne un photodétecteur organique à courant d'obscurité réduit et à sensibilité accrue, en particulier aux faibles intensités lumineuses. Une couche de blocage des électrons dans un photodétecteur permet, pour la première fois, de réduire le courant d'obscurité de photodétecteurs de manière efficace. A cet effet, une couche de blocage des électrons est placée entre l'anode et la couche photoactive, couche de blocage dont l'orbitale HOMO est adaptée au niveau d'énergie du matériau anodique, dont la largeur de bande interdite HOMO/LUMO s'élève au moins à 2,5 eV et qui présente une bonne mobilité des trous à l'intérieur de la couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)