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1. (WO2007016966) FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/016966    International Application No.:    PCT/EP2005/009988
Publication Date: 15.02.2007 International Filing Date: 10.08.2005
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (For All Designated States Except US).
REYNES, Jean-Michel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MAJORAL, Isabelle [FR/FR]; (FR) (For US Only).
PUJO, Jean-Pierre [FR/FR]; (FR) (For US Only).
STEFANOV, Evgueniy [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: REYNES, Jean-Michel; (FR).
MAJORAL, Isabelle; (FR).
PUJO, Jean-Pierre; (FR).
STEFANOV, Evgueniy; (FR)
Priority Data:
Title (EN) FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A EFFET DE CHAMP ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A field-effect semiconductor device such as a power MOSFET comprises a semiconductor layer (6) such as a drift layer, a body region (12) of a first conductivity type formed in the semiconductor layer (6) and extending from a first surface (11) of the semiconductor layer (6), a first region (16) of a second conductivity type such as a source region formed in the body region (12), and a second region (14) of the first conductivity type formed in the body region (12). The first region (16) extends from the first surface (11) the semiconductor layer and is connected to an electrode (28) of the semiconductor device. The second region (14) surrounds the first region (16) The doping concentration of the first conductivity type in the second region (14) is greater than a doping concentration of the first conductivity type is the body region (12) to provide a graded doping profile in a channel of the semiconductor device, whereby the breakdown voltage thereof is increased and punch-through suppressed.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à effet de champ tel qu'un MOSFET de puissance qui comprend une couche semi-conductrice (6) telle qu'une couche de migration, une zone de corps (12) d'un premier type de conductivité formée dans la couche semi-conductrice (6) et partant d'une première surface (11) de la couche semi-conductrice (6), une première zone (16) d'un second type de conductivité telle qu'une zone source formée dans la zone de corps (12) et une seconde zone (14) du premier type de conductivité formée dans la zone de corps (12). La première zone (16), qui part de la première surface (11) de la couche semi-conductrice, est connectée à une électrode (28) du dispositif à semi-conducteur. La seconde zone (14) entoure la première zone (16). La concentration de dopage du premier type de conductivité dans la seconde zone (14) est supérieure à la concentration de dopage du premier type de conductivité dans la zone de corps (12) de façon à obtenir un profil de dopage nivelé dans un canal du dispositif à semi-conducteur, ce qui permet d'augmenter la tension de claquage et de supprimer le perçage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)