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1. (WO2007016908) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/016908    International Application No.:    PCT/DE2006/001367
Publication Date: 15.02.2007 International Filing Date: 04.08.2006
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
HERRMANN, Siegfried [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAHN, Berthold [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HERRMANN, Siegfried; (DE).
HAHN, Berthold; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Priority Data:
10 2005 037 023.3 05.08.2005 DE
10 2005 055 293.5 21.11.2005 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR A FILM MINCE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wobei ein ein Halbleitermaterial enthaltender Schichtenverbund (6) auf einem Aufwachssubstrat (1) ausgebildet wird, eine flexible Trägerschicht auf den Schichtenverbund (6) aufgebracht wird, die flexible Trägerschicht zu einer selbsttragenden Trägerschicht (2) ausgehärtet wird und das Aufwachssubstrat (1) abgelöst wird. Alternativ kann die Trägerschicht (2) eine Grundschicht (2b) und eine auf dem Schichtenverbund haftende Haftschicht (2a) aufweisen.
(EN)The invention relates to a method for producing semiconductor components, wherein a layer composite (6) containing a semiconductor material is formed on a growth substrate (1), a flexible carrier layer is applied to the layer composite (6), the flexible carrier layer is cured to form a self-supporting carrier layer (2), and the growth substrate (1) is stripped away. As an alternative, the carrier layer (2) may have a base layer (2b) and an adhesion layer (2a) adhering on the layer composite.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire des composants à semi-conducteurs, selon lequel un composite feuilleté (6) contenant un matériau semi-conducteur est formé sur un substrat de croissance (1). Une couche support flexible est appliquée sur le composite feuilleté (6). Ladite couche support est durci en une couche support autoporteuse (2) et le substrat de croissance (1) est dissous. Selon une autre variante, la couche support (2) peut présenter une couche de base (2b) et une couche adhésive (2a) adhérant au composite feuilleté.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)