WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007016168) DUAL CONVERSION GAIN GATE AND CAPACITOR COMBINATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/016168    International Application No.:    PCT/US2006/029050
Publication Date: 08.02.2007 International Filing Date: 26.07.2006
IPC:
H04N 3/15 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83707-0006 (US) (For All Designated States Except US).
MCKEE, Jeffrey, A. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MCKEE, Jeffrey, A.; (US)
Agent: D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro LLP, 1825 Eye Street, NW, Washington, DC 20006-5403 (US)
Priority Data:
11/193,322 01.08.2005 US
Title (EN) DUAL CONVERSION GAIN GATE AND CAPACITOR COMBINATION
(FR) GRILLE DE GAIN DE CONVERSION DOUBLE ET COMBINAISON DE CONDENSATEURS
Abstract: front page image
(EN)A pixel cell array architecture having a dual conversion gain. A dual conversion gain element is coupled between a floating diffusion region and a respective storage capacitor. The dual conversion gain element having a control gate switches in the capacitance of the capacitor to change the conversion gain of the floating diffusion region from a first conversion gain to a second conversion gain. In order to increase the efficient use of space, the dual conversion gain element gate also functions as the bottom plate of the capacitor. In one particular embodiment of the invention, a high dynamic range transistor is used in conjunction with a pixel cell having a capacitor-DCG gate combination; in another embodiment, adjacent pixels share pixel components, including the capacitor-DCG combination.
(FR)L'invention concerne une architecture d'agencement cellulaire de pixels présentant un gain de conversion double. Un élément de gain de conversion double est couplé entre une zone de diffusion flottante et un condensateur de stockage correspondant. L'élément de gain de conversion double présentant une grille de commande commute dans la capacité du condensateur pour changer le gain de conversion de la zone de diffusion flottante, d'un premier gain de conversion à un second gain de conversion. Pour augmenter l'utilisation efficace de l'espace, la grille de l'élément de gain de conversion double fonctionne également en tant que plaque inférieure du condensateur. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, un transistor à haute plage dynamique est utilisé conjointement à une cellule de pixel présentant une combinaison de grille condensateur/DCG. Dans un autre mode de réalisation, des pixels adjacents partagent des composants de pixel, notamment la combinaison condensateur/DCG.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)