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1. (WO2007015864) PROGRAM/ERASE WAVESHAPING CONTROL TO INCREASE DATA RETENTION OF A MEMORY CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/015864    International Application No.:    PCT/US2006/027853
Publication Date: 08.02.2007 International Filing Date: 17.07.2006
IPC:
G11C 13/02 (2006.01)
Applicants: SPANSION LLC [US/US]; 915 DeGuigne Drive, Mail Stop 250, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (For All Designated States Except US).
FANG, Tzu-ning [--/US]; (US) (For US Only).
BILL, Colin, S. [GB/US]; (US) (For US Only).
CAI, Wei, Daisy [CN/US]; (US) (For US Only).
GAUN, David [RU/US]; (US) (For US Only).
GERSHON, Eugene [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FANG, Tzu-ning; (US).
BILL, Colin, S.; (US).
CAI, Wei, Daisy; (US).
GAUN, David; (US).
GERSHON, Eugene; (US)
Agent: JAIPERSHAD, Rajendra; 915 DeGuigne Drive, Mail Stop 250, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Priority Data:
11/191,126 27.07.2005 US
Title (EN) PROGRAM/ERASE WAVESHAPING CONTROL TO INCREASE DATA RETENTION OF A MEMORY CELL
(FR) COMMANDE DE LA MISE EN FORME DES ONDES DE PROGRAMME/EFFACEMENT PERMETTANT D'ACCROITRE LA RETENTION DES DONNEES D'UNE CELLULE MEMOIRE
Abstract: front page image
(EN)System(s) and method(s) of improving and controlling memory cell data retention are disclosed. A particular pulse width and magnitude is generated and applied to a memory cell made of at least two electrodes with a controllably conductive media between the at least two electrodes. The current across the memory cell is detected and a lower input pulse is sent to the memory cell. Application of the lower pulse controls the data retention of the memory cell without disturbing the final programming state of the memory cell.
(FR)La présente invention concerne un ou plusieurs système(s) et un ou plusieurs procédé(s) d'amélioration et de commande de la rétention des données d'une cellule mémoire. Une largeur d'impulsion et une grandeur particulières sont générées et appliquées à une cellule mémoire constituée d'au moins deux électrodes entre lesquelles est intercalé un support à conduction régulée. Le courant traversant la cellule mémoire est détecté et une impulsion d'entrée plus faible est envoyée à la cellule mémoire. Le fait d'appliquer une impulsion plus faible commande la rétention des données de la cellule mémoire sans perturber l'état de programmation final de la cellule mémoire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)