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1. (WO2007015507) ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/015507    International Application No.:    PCT/JP2006/315279
Publication Date: 08.02.2007 International Filing Date: 02.08.2006
IPC:
H01L 23/12 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (For All Designated States Except US).
ZyCube Co., Ltd. [JP/JP]; 5-13, Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030027 (JP) (For All Designated States Except US).
SATOH, ryohei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
BONKOHARA, Manabu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IWATA, Yoshiharu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YASUDA, Shouhei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SATOH, ryohei; (JP).
BONKOHARA, Manabu; (JP).
IWATA, Yoshiharu; (JP).
YASUDA, Shouhei; (JP)
Agent: IZUMI, Katsufumi; 2nd Floor, Suganuma Bldg. 20-6, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2005-224754 02.08.2005 JP
Title (EN) ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電子回路装置とその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An electronic circuit device, which can be mounted with a great number of wirings by a relatively simple manufacturing process and can be manufactured at an extremely high yield, and a method for manufacturing such electronic circuit device are provided. At the same time, a wiring structure which can achieve high speed signal transmission required by high frequency of GHz order of a clock signal is provided. The electronic circuit device is provided with a semiconductor substrate (100) having a plurality of electronic circuit elements and a wiring layer which connects the electronic circuit elements; and a multilayer wiring structure (200) incorporating a multilayer wiring layer. The surface of the wiring layer of the semiconductor substrate (100) and the bonding plane of the multilayer wiring structure (200) are electrically and mechanically connected each other, by using or without using a connecting electrode. Thus, the semiconductor substrate and the multilayer wiring structure are integrated.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de circuit électronique, qui peut être monté avec un grand nombre de câblages par un procédé de fabrication relativement simple et peut être fabriqué en très grandes quantités, ainsi qu'un procédé pour fabriquer ledit dispositif de circuit électronique. Dans le même temps, une structure de câblage, qui peut atteindre la transmission de signal haut débit requise de l'ordre du GHz d'un signal d'horloge, est fournie. Le dispositif de circuit électronique est doté d'un substrat à semi-conducteurs (100) ayant une pluralité d'éléments de circuit électronique et une couche de câblage qui relie les éléments du circuit électronique ainsi qu'une structure de câblage multicouche (200) comprenant une couche de câblage multicouche. La surface de la couche de câblage du substrat à semi-conducteurs (100) et le plan de liage de la structure de câblage multicouche (200) sont électriquement et mécaniquement reliés l'un à l'autre, avec ou sans l'électrode de raccordement. Le substrat à semi-conducteurs et la structure de câblage multicouche sont donc intégrés.
(JA) 比較的簡単な製造工程によって膨大な数の配線を実装することができると共に、極めて高い歩留まりで製造することが可能な電子回路装置とその製造方法を提供し、併せてクロック信号のGHzオーダーへの高周波化に伴う高速信号伝送を実現可能な配線構造を実現する。複数の電子回路素子と、当該電子回路素子を相互接続する配線層とを有する半導体基板100と、多層配線層を内蔵する多層配線構造200とを備える。半導体基板100の前記配線層の表面と多層配線構造200の接合面とが、接続用電極を用いてあるいは接続用電極を用いずに電気的・機械的に相互接続されることによって、前記半導体基板と前記多層配線構造とが一体化される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)