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Pub. No.:    WO/2007/015431    International Application No.:    PCT/JP2006/314996
Publication Date: 08.02.2007 International Filing Date: 28.07.2006
H01L 31/108 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Applicants: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050047 (JP) (For All Designated States Except US).
KOIDE, Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
LIAO, Meiyong [CN/JP]; (JP) (For US Only).
JOSE, Antonio, Alvarez [FR/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOIDE, Yasuo; (JP).
LIAO, Meiyong; (JP).
JOSE, Antonio, Alvarez; (JP)
Agent: NISHI, Yoshiyuki; Nishi Patent Office, Suite 704 17-1, Sugita 1-chome, Isogo-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2350033 (JP)
Priority Data:
2005-222340 01.08.2005 JP
(JA) ダイヤモンド紫外光センサー
Abstract: front page image
(EN)An Au based electrode material has fatal drawbacks, i.e. low adhesion to diamond, low mechanical strength, and bad thermal stability. A diamond UV-ray sensor is a photoconductive or Schottky photosensor element provided with a two-terminal electrode for detecting light illuminating a light receiving portion by means of a variation in electric resistance of a light receiving material or a variation in photoinduction current and having such a structure that the diamond surface from which a surface conduction layer is removed is employed in the light receiving portion and a junction interface touching the electrode, a nitride of a high melting point metal element is employed as a single layer in a rectification electrode or a transparent electrode capable of transmitting light, a single metal reacting with diamond to form solid solution of carbide or carbon is employed as a first layer in an ohmic electrode, and a nitride of a high melting point metal element is employed in a second layer.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention concerne un matériau d’électrode à base d’Au présentant des inconvénients majeurs, à savoir une faible adhésion au diamant, une faible résistance mécanique et une mauvaise stabilité thermique. La solution proposée consiste en un capteur de rayon ultraviolet à diamant qui est de type élément photoconducteur ou photocapteur Schottky, comprenant une électrode à deux bornes détectant une lumière éclairant une partie réceptrice de lumière grâce à une variation de résistance électrique d’un matériau récepteur de lumière ou une variation d’un courant de photoinduction. Le capteur dispose d’une structure telle que la surface de diamant, de laquelle une couche de revêtement conductrice est enlevée, est employée dans la partie réceptrice de lumière et une interface de liaison en contact avec l’électrode, une nitrure d’un élément métallique à point de fusion élevé est utilisée en tant que couche unique d’une électrode de rectification ou d’une électrode transparente à même de transmettre la lumière, un seul métal réagissant avec le diamant pour former une solution solide de carbure ou de carbone est employé en tant que première couche d’une électrode ohmique, et une nitrure d’un élément métallique à point de fusion élevé sert de seconde couche.
(JA)Au基電極材はダイヤモンドとの密着性が悪いこと、機械的強度が弱いこと、更に熱安定性が悪いことの致命的な欠点があった。 受光部材料の電気抵抗の変化又は光誘起電流の変化によって、受光部に照射される光を検出する、2端子電極を持つ光伝導型又はショットキー型光センサー素子であって、表面伝導層を除去したダイヤモンド表面を受光部及び電極と接する接合界面に用い、整流性電極であって、光を透過できる透明性電極に高融点金属元素の窒化物を単一層として用い、オーム性電極に第1層としてダイヤモンドと反応することによってカーバイド又は炭素との固溶体を形成できる反応可能な単一金属を用い、第2層に高融点金属元素の窒化物を用いた構造を持つダイヤモンド紫外光センサー。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)