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1. (WO2007015330) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/015330    International Application No.:    PCT/JP2006/310245
Publication Date: 08.02.2007 International Filing Date: 23.05.2006
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636 (JP) (For All Designated States Except US).
SANO, Michihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATO, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORIO, Naochika [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SANO, Michihiro; (JP).
KATO, Hiroyuki; (JP).
HORIO, Naochika; (JP)
Agent: TAKAHASHI, Keishiro; TAKAHASHI & KITAYAMA 4th Fl. Okachimachi Tohsei Bldg. 3-12-1, Taito, Taito-ku Tokyo 1100016 (JP)
Priority Data:
2005-225875 03.08.2005 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体発光素子及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a high quality semiconductor light-emitting device. There is prepared a first semiconductor substrate composed of an n-type ZnO substrate. A light-emitting multilayer structure including a light-emitting layer which is composed of a ZnO compound semiconductor is formed on the first substrate. A p-side electrode is formed on the light-emitting multilayer structure. A first eutectic material layer composed of an eutectic material is formed on the p-side electrode. A second eutectic material layer composed of an eutectic material is formed on a conductive second substrate. The first substrate and the second substrate are joined together by eutectically bonding the first eutectic material layer and the second eutectic material layer. The first substrate is subjected to a processing. An n-side electrode is formed on a part of the first substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif émetteur de lumière semi-conducteur de haute qualité. L’on prépare un premier substrat semi-conducteur composé d’un substrat ZnO de type n. Le premier substrat comporte une structure multicouche émettrice de lumière comprenant une couche émettrice de lumière constituée d'un composé ZnO semi-conducteur. Une électrode du côté p est placée sur la structure multicouche émettrice de lumière. Une première couche de matériau eutectique composée d'un matériau eutectique est disposée sur l'électrode du côté p. Une seconde couche de matériau eutectique composée d'un matériau eutectique est disposée sur un second substrat conducteur. Le premier substrat et le second substrat sont joints en reliant de façon eutectique la première couche de matériau eutectique et la seconde couche de matériau eutectique. Le premier substrat est soumis à un traitement. Une électrode du côté n est placée sur une partie du premier substrat.
(JA)【課題】 高品質の半導体発光素子を製造することのできる製造方法を提供する。 【解決手段】 n型ZnO基板である第1の基板を準備する。第1の基板上に、ZnO系化合物半導体で形成された、発光層を含む発光積層構造を形成する。発光積層構造上に、p側電極を形成する。p側電極上に、共晶材料で形成された第1の共晶材料層を形成する。導電性を有する第2の基板上に、共晶材料で形成された第2の共晶材料層を形成する。第1の共晶材料層と第2の共晶材料層とを共晶させて、第1の基板と第2の基板とを接合する。第1の基板を加工する。第1の基板上の一部に、n側電極を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)