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1. (WO2007015055) MEMORY ACCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/015055    International Application No.:    PCT/GB2006/002676
Publication Date: 08.02.2007 International Filing Date: 19.07.2006
Chapter 2 Demand Filed:    19.02.2007    
IPC:
G11C 13/02 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: INGENIA TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Farringdon Place, 20 Farringdon Road, London EC1M 3AP (GB) (For All Designated States Except US)
Inventors: COWBURN, Russell, P.; (GB).
ALLWOOD, Dan; (GB)
Agent: MELDRUM, David, James; D Young & Co, 120 Holborn, London EC1N 2DY (GB)
Priority Data:
0516003.1 03.08.2005 GB
60/707,196 03.08.2005 US
Title (EN) MEMORY ACCESS
(FR) ACCÈS MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN)A magnetic logic device can comprise a generally planar first substrate for an electrical circuit and a plurality of generally planar second substrates for a magnetic circuit, formed in a stacked arrangement over the first substrate. Each said second substrate can have formed thereon a magnetic circuit and each magnetic circuit can have a plurality of logic elements, a data writing element and a data reading element. The data writing element of each magnetic circuit can correspond in planar positioning to a respective magneto-electrical writing element of the first substrate and the data reading element of each magnetic circuit can correspond in planar positioning to a respective magneto-electrical reading element of the first substrate.
(FR)La présente invention concerne un dispositif logique magnétique pouvant comprendre un premier substrat généralement planaire pour un circuit électrique et une pluralité de seconds substrats généralement planaires pour un circuit magnétique, formés dans un agencement empilé sur le premier substrat. Chacun desdits seconds substrats peut avoir un circuit magnétique formé sur celui-ci et chaque circuit magnétique peut avoir une pluralité d’éléments logiques, un élément d’écriture de données et un élément de lecture de données. L’élément d’écriture de données de chaque circuit magnétique peut correspondre en positionnement planaire à un élément d’écriture magnétoélectrique respectif du premier substrat et l’élément de lecture de données de chaque circuit magnétique peut correspondre en positionnement planaire à un élément de lecture magnétoélectrique respectif du premier substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)