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1. (WO2007013806) METHOD FOR PASSIVATING A SUBSTRATE SURFACE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/013806    International Application No.:    PCT/NL2006/000393
Publication Date: 01.02.2007 International Filing Date: 28.07.2006
Chapter 2 Demand Filed:    25.05.2007    
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01)
Applicants: OTB GROUP B.V. [NL/NL]; Luchthavenweg 10, NL-5657 EB Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
BIJKER, Martin Dinant [NL/NL]; (NL) (For US Only).
HOEX, Bram [NL/NL]; (NL) (For US Only).
KESSELS, Wilhelmus Mathijs Marie [NL/NL]; (NL) (For US Only).
VAN DE SANDEN, Mauritius Cornelis Maria [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: BIJKER, Martin Dinant; (NL).
HOEX, Bram; (NL).
KESSELS, Wilhelmus Mathijs Marie; (NL).
VAN DE SANDEN, Mauritius Cornelis Maria; (NL)
Agent: VAN LOON, C.J.J.; C/o Vereenigde, Johan De Wittlaan 7, NL-2517 JR The Hague (NL)
Priority Data:
1029647 29.07.2005 NL
Title (EN) METHOD FOR PASSIVATING A SUBSTRATE SURFACE
(FR) PROCEDE DE PASSIVATION DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)A method for passivating at least a part of a surface of a semiconductor substrate, wherein at least one layer comprising at least one SiOx layer is realized on said part of the substrate surface by: - placing the substrate (1) in a process chamber (5); - maintaining the pressure in the process chamber (5) at a relatively low value; - maintaining the substrate (1) at a specific substrate treatment temperature; - generating a plasma (P) by means of at least one plasma source (3) mounted on the process chamber (5) at a specific distance (L) from the substrate surface; - contacting at least a part of the plasma (P) generated by each source (3) with the said part of the substrate surface; and - supplying at least one precursor suitable for SiOx realization to the said part of the plasma (P); wherein at least the at least one layer realized on the substrate (1) in subjected to a temperature treatment in a gas environment.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant la passivation d'au moins une partie de la surface d'un substrat semi-conducteur, consistant à former au moins une couche de SiOx sur ladite partie du substrat en plaçant le substrat (1) dans une chambre (5) de traitement, en maintenant la pression dans la chambre (5) de traitement à un niveau relativement bas, en maintenant le substrat (1) à une température de traitement spécifique, en générant un plasma (P) au moyen d'au moins une source (3) de plasma montée dans la chambre (5) de traitement à une distance (L) spécifique de la surface du substrat, en faisant entrer en contact au moins une partie du plasma (P) produit par chaque source (3) avec ladite partie de la surface du substrat, et en introduisant au moins un précurseur permettant de produire du SiOx dans ladite partie du plasma (P), et à soumettre la ou les couches formées sur le substrat (1) à un traitement thermique dans une atmosphère gazeuse.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Dutch; Flemish (NL)