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1. (WO2007013753) SEMICONDUCTOR DOPING METHOD USING PULSED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA AND SYSTEM THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/013753    International Application No.:    PCT/KR2006/002909
Publication Date: 01.02.2007 International Filing Date: 24.07.2006
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: SEM TECHNOLOGY CO., LTD [KR/KR]; 5th Floor, Dongkoong Town Bldg., 91-2, Chongdam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-100 (KR) (For All Designated States Except US).
LEE, Bong-Ju [KR/KR]; (KR) (For US Only).
HAN, Seunghee [KR/KR]; (KR) (For US Only).
LEE, Hag-Joo [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: LEE, Bong-Ju; (KR).
HAN, Seunghee; (KR).
LEE, Hag-Joo; (KR)
Agent: KIM, Jin-Hak; #1106, Kumsan Bldg., 17-1, Youido-dong, Youngdeungpo-ku, Seoul 150-727 (KR)
Priority Data:
10-2005-0067116 25.07.2005 KR
Title (EN) SEMICONDUCTOR DOPING METHOD USING PULSED INDUCTIVELY COUPLED PLASMA AND SYSTEM THEREFOR
(FR) PROCEDE DE DOPAGE DE SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT UN PLASMA INDUCTIF PULSE ET SYSTEME CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor doping method using pulsed inductively-coupled plasma, which comprises the steps of: positioning a wafer on a wafer sample stage in a vacuum chamber; supplying a plasma source gas into the vacuum chamber; and applying RF (radio-frequency) pulse to the gas inside the vacuum chamber through a dielectric plate, which forms one side of the vacuum chamber, using an antenna equipped at the outside to form pulsed inductively- coupled plasma while applying negative high voltage pulse to the wafer sample stage as synchronized with the RF pulse, so that plasma ions are doped into the surface of the wafer. Since pulsed inductively-coupled plasma is used, the problem of the impurity doping method using continuous plasma is solved and plasma generation becomes possible even at low pressure.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de dopage de semi-conducteur utilisant un plasma inductif pulsé, comprenant les étapes suivantes: le positionnement d'une tranche sur un étage de prélèvement de tranches dans une enceinte sous vide; l'alimentation d'un gaz de source plasma dans l'enceinte sous vide; et l'application d'une impulsion radiofréquence au gaz dans l'enceinte sous vide à travers une plaque diélectrique, qui constitue un côté de l'enceinte sous vide, à l'aide d'une antenne équipée à l'extérieur pour former un plasma inductif pulsé tout en appliquant une impulsion de haute tension négative à l'étage de prélèvement de tranches sous la forme d'une impulsion radiofréquence, de sorte que les ions du plasma soient dopés dans la surface de la tranche. Grâce à l'utilisation de plasma inductif pulsé, le problème d'impuretés de procédé de dopage est résolu et la génération de plasma devient possible même à basse pression.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)