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1. (WO2007013534) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/013534    International Application No.:    PCT/JP2006/314815
Publication Date: 01.02.2007 International Filing Date: 20.07.2006
IPC:
G01J 1/44 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAO, Tatsuya; (For US Only).
HIROSE, Atsushi; (For US Only).
SUGAWARA, Yuusuke; (For US Only).
KUSUMOTO, Naoto; (For US Only).
YAMADA, Daiki; (For US Only).
TAKAHASHI, Hidekazu; (For US Only)
Inventors: NISHI, Kazuo; (JP).
ARAO, Tatsuya; .
HIROSE, Atsushi; .
SUGAWARA, Yuusuke; .
KUSUMOTO, Naoto; .
YAMADA, Daiki; .
TAKAHASHI, Hidekazu;
Priority Data:
2005-217757 27.07.2005 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a photoelectric conversion device capable of detecting light from weak light to strong light and relates to a photoelectric conversion device having a photodiode having a photoelectric conversion layer; an amplifier circuit including a transistor; and a switch, where the photodiode and the amplifier circuit are electrically connected to each other by the switch when intensity of entering light is lower than predetermined intensity so that a photoelectric current is amplified by the amplifier circuit to be outputted, and the photodiode and part or all of the amplifier circuits are electrically disconnected by the switch so that a photoelectric current is reduced in an amplification factor to be outputted. According to such a photoelectric conversion device, light from weak light to strong light can be detected.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique permettant de détecter un spectre de lumière d’une intensité faible à élevée et comprenant une photodiode dotée d’une couche de conversion photoélectrique, un circuit amplificateur avec un transistor et un commutateur, la photodiode et le circuit amplificateur étant interconnectés électriquement par le commutateur lorsque l’intensité de la lumière entrante est inférieure à une intensité prédéterminée de sorte à fournir un courant photoélectrique amplifié par le circuit amplificateur, et la photodiode et tout ou partie du circuit amplificateur étant déconnectés électriquement par le commutateur de sorte qu’un courant photoélectrique soit réduit selon un facteur d’amplification à produire. Un tel dispositif de conversion photoélectrique permet de détecter un spectre de lumière d’une intensité faible à élevée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)