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1. (WO2007013311) CLEANING LIQUID FOR LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/013311    International Application No.:    PCT/JP2006/314026
Publication Date: 01.02.2007 International Filing Date: 14.07.2006
IPC:
G03F 7/42 (2006.01), C11D 7/26 (2006.01), C11D 7/60 (2006.01), G03F 7/16 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAYAMA, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIDESAKA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAYAMA, Kazuhiko; (JP).
HIDESAKA, Shinichi; (JP)
Agent: AGATA, Akira; Agata & Honda 6th Floor, Ikeden Building 12-5, Shimbashi 2-chome Minato-ku Tokyo 1050004 (JP)
Priority Data:
2005-219373 28.07.2005 JP
Title (EN) CLEANING LIQUID FOR LITHOGRAPHY
(FR) LIQUIDE DE NETTOYAGE POUR LITHOGRAPHIE
(JA) リソグラフィー用洗浄液
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a cleaning liquid for lithography which is used for cleaning and removing unnecessary portions of a resist film formed on a substrate or a photoresist remaining in a photoresist supply system when a resist pattern is formed by lithography. As such a cleaning liquid, there is used a solvent which is capable of completely dissolving and removing an unnecessary resist while being able to be dried quickly after use. Since such a solvent is required not to adversely affect the resist film after processing, components of the solvent depend on the kinds of resists it is used for. A cleaning liquid which is effective for a photoresist for ArF excimer laser that is composed of an acrylic polymer has not been known until now. The present invention provides a cleaning liquid for lithography which is effective for removing a photoresist for ArF excimer laser, and this cleaning liquid contains an alkoxycarboxylic acid alkyl ester alone or together with an alkoxybenzene as a solvent mixture.
(FR)La présente invention concerne un liquide de nettoyage pour lithographie qui est utilisé pour nettoyer et pour enlever des parties non nécessaires d’un film de résine formé sur un substrat ou une résine photosensible restant dans un système d’alimentation de résine photosensible lorsqu’un modèle de résine est formé par lithographie. Pour un tel liquide de nettoyage, il est utilisé un solvant qui est capable de dissoudre complètement et d’enlever une résine non nécessaire tout en étant capable d’être séché rapidement après utilisation. Étant donné qu’un tel solvant est nécessaire pour ne pas qu’il y ait d’effet indésirable sur le film de résine après le traitement, les composants du solvant dépendent des types de résines pour lesquelles il est utilisé. Un liquide de nettoyage efficace pour une résine photosensible pour un laser à excimère ArF qui est composé d’un polymère acrylique n’était pas connu jusque-là. La présente invention prévoit un liquide de nettoyage pour lithographie qui est efficace pour enlever une résine photosensible pour un laser à excimère ArF, et ce liquide de nettoyage contient un ester alkyle d’acide alcoxycarboxylique seul ou avec un alcoxybenzène comme mélange de solvant.
(JA) 本発明は、リソグラフィー技術によりレジストパターンを製造する場合に、基板上に設けたレジスト膜の不要部分やホトレジスト供給装置に残留したホトレジストを洗浄して除去するためのリソグラフィー用洗浄液に関する。この洗浄液としては、不要なレジストを完全に溶解除去することができ、その後で迅速に乾燥できる溶剤が用いられるが、処理後のレジスト膜に悪影響を与えないものであることが要求されるので、その成分は使用するレジストの種類により左右される。しかしながら、これまでアクリル系ポリマーを成分とするArFエキシマレーザー用ホトレジストに対して有効な洗浄液は知られていなかった。本発明は、アルコキシカルボン酸アルキルエステル単独又はこれとアルコキシベンゼンとの混合溶剤を用いることにより、ArFエキシマレーザー用ホトレジストの除去に有効なリソグラフィー用洗浄液を提供したものである。  
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)