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1. (WO2007013024) FLIP-CHIP PACKAGE WITH AIR CAVITY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/013024    International Application No.:    PCT/IB2006/052533
Publication Date: 01.02.2007 International Filing Date: 24.07.2006
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
U.S. PHILIPS CORPORATION [US/US]; 1251 Avenue Of The Americas, New York, New York 10020 (US) (AE only).
STEENBRUGGEN, Geert [NL/NL]; (NL) (For US Only).
DIJKSTRA, Paul [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: STEENBRUGGEN, Geert; (NL).
DIJKSTRA, Paul; (NL)
Agent: ZAWILSKI, Peter; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, 1109 McKay Drive, M/S-41SJ, San Jose, CA 95131-1706 (US)
Priority Data:
60/702,569 25.07.2005 US
Title (EN) FLIP-CHIP PACKAGE WITH AIR CAVITY
(FR) BOITIER A CAVITE D'AIR POUR PUCE RETOURNEE
Abstract: front page image
(EN)According to an example embodiment, there is method (100) for manufacturing a semiconductor device in an air-cavity package. For a device die having an active surface, a lead frame is provided (5), the lead frame has a top-side surface and an under-side surface, the lead frame has predetermined pad landings on the top-side surface. A laminate material is applied (10) to the top-side surface of the lead frame. In the laminate material, an air- cavity region and contact regions are defined (15, 20, 25, 30, 35). The contact regions provide electrical connections to the predetermined pad landings on the lead frame. With the active circuit surface in an orientation toward the laminate material, the device die is mounted (40, 45). The bond pads of the active surface circuit are connected with ball bonds to the predetermined pad landings on the lead frame. An air-cavity is formed between the active surface of the device die and the top-side surface of the lead frame.
(FR)Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé (100) de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs dans un boîtier à cavité d'air. Pour une puce de dispositif présentant une surface active, une grille de connexion est prévue (5), la grille de connexion présente une surface supérieure et une surface inférieure, la grille de connexion présente des plages de connexion prédéterminées sur la surface supérieure. Un matériau stratifié est appliqué (10) sur la surface supérieure de la grille de connexion. Dans le matériau stratifié, une région de cavité d'air et des régions de contact sont définies (15, 20, 25, 30, 35). Les régions de contact assurent des connexions électriques avec les plages de connexion prédéterminées sur la grille de connexion. La puce de dispositif est montée (40, 45) avec la surface de circuit active orientée vers le matériau stratifié. Les plots de connexion du circuit à surface active sont connectés avec des connexions boules aux plages de connexion prédéterminées sur la grille de connexion. Une cavité d'air est formée entre la surface active de la puce de dispositif et la surface supérieure de la grille de connexion.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)