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1. (WO2007011523) RAPID THERMAL ANNEALING OF TARGETED THIN FILM LAYERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/011523    International Application No.:    PCT/US2006/025905
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 30.06.2006
IPC:
H01L 21/44 (2006.01)
Applicants: SC MATERIALS, INC. [US/US]; 39 SPRINGBROOKHILL ROAD, Post Office Box 1214, Camden, ME 04843 (US) (For All Designated States Except US).
GRANT, Robert, W. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: GRANT, Robert, W.; (US)
Agent: PHAM, Chnh, H.; GREENBERG TRAURIG, LLP, One International Place, Boston, MA 02110 (US)
Priority Data:
60/696,049 30.06.2005 US
11/358,343 21.02.2006 US
Title (EN) RAPID THERMAL ANNEALING OF TARGETED THIN FILM LAYERS
(FR) RECUIT THERMIQUE RAPIDE DE COUCHES DE FILMS MINCES CIBLEES
Abstract: front page image
(EN)A method for rapid thermal annealing of thin film layers is provided. The method directs a series of pulses or flashes of heat energy toward a targeted layer on a substrate. Each pulse may be at a first temperature range sufficient to anneal the targeted layer, but has a duration that is less than that necessary to render the targeted layer substantially annealed. Moreover, in succession, the series of pulses can incrementally raise the targeted layer to a temperature sufficient for annealing, while minimizing exposure of the remaining layers to the pulses of heat energy. A reactor for implementing the rapid thermal annealing process is also provided.
(FR)L'invention porte sur un procédé de recuit thermique rapide de couches de films minces. Le procédé de l'invention fait appel à une série d'impulsions ou d'éclairs d'énergie thermique dirigés sur une couche ciblée sur un substrat. Chaque impulsion peut se trouver dans une première plage de températures suffisantes pour provoquer le recuit de la couche ciblée, mais posséder une durée qui est inférieure à ce qui est nécessaire pour rendre la couche sensiblement recuite. En outre, la série d'impulsions peut progressivement amener la couche ciblée à une température suffisante pour le recuit, tout en minimisant l'exposition des couches restantes aux impulsions d'énergie thermique. L'invention concerne également un réacteur permettant la mise du procédé de recuit thermique rapide précité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)