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1. (WO2007011515) FABRICATION OF QUANTUM DOTS EMBEDDED IN THREE-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTAL LATTICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/011515    International Application No.:    PCT/US2006/025600
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 30.06.2006
IPC:
H01L 29/06 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF DELAWARE [US/US]; Office of The Vice Provost for Research, 210 Hullihen Hall, Newark, DE 19716 (US) (For All Designated States Except US).
MURAKOWSKI, Janusz [US/US]; (US) (For US Only).
SCHNEIDER, Garrett [US/US]; (US) (For US Only).
PRATHER, Dennis, W. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MURAKOWSKI, Janusz; (US).
SCHNEIDER, Garrett; (US).
PRATHER, Dennis, W.; (US)
Agent: HUME, Larry, J.; Connolly Bove Lodge & Hutz LLP, 1990 M Street, N.W., Suite 800, Washington, DC 20036 (US)
Priority Data:
60/696,245 01.07.2005 US
Title (EN) FABRICATION OF QUANTUM DOTS EMBEDDED IN THREE-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTAL LATTICE
(FR) FABRICATION DE POINTS QUANTIQUES INTEGRES DANS UN RESEAU CRISTALLIN PHOTONIQUE TRIDIMENSIONNEL
Abstract: front page image
(EN)In one embodiment, a method of producing an optoelectronic nanostructure includes preparing a substrate; providing a quantum well layer on the substrate; etching a volume of the substrate to produce a photonic crystal. The quantum dots are produced at multiple intersections of the quantum well layer within the photonic crystal. Multiple quantum well layers may also be provided so as to form multiple vertically aligned quantum dots. In another embodiment, an optoelectronic nanostructure includes a photonic crystal having a plurality of voids and interconnecting veins; a plurality of quantum dots arranged between the plurality of voids, wherein an electrical connection is provided to one or more of the plurality of quantum dots through an associated interconnecting vein.
(FR)Selon un mode de réalisation, un procédé de production d'une nanostructure optoélectronique consiste à préparer un substrat, à former une couche de puits quantique sur le substrat et à graver un volume du substrat pour produire un cristal photonique. Les points quantiques sont produits en plusieurs intersections de la couche de puits quantique à l'intérieur du cristal photonique. Plusieurs couches de puits quantique peuvent également être prévues de manière à former plusieurs points quantiques alignés verticalement. Selon un autre mode de réalisation, une nanostructure optoélectronique comprend un cristal photonique présentant une pluralité de vides et de veines d'interconnexion ainsi qu'une pluralité de points quantiques placés entre les vides, une connexion électrique étant établie pour un ou plusieurs des points quantiques par l'intermédiaire d'une veine d'interconnexion associée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)