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1. (WO2007011413) CARBON NANOTUBE ALIGNMENT METHOD, APPARATUS AND APPLICANTIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/011413    International Application No.:    PCT/US2005/040793
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 14.11.2005
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), D01F 9/12 (2006.01), C08K 3/04 (2006.01)
Applicants: TUNG, Chao-Hung, Steve [US/US]; (US).
CLENDENIN, Jason, Michael [US/US]; (US).
ROKADIA, Husein, J. [IN/IN]; (US).
VENKATESH, Balaji, Srinivasan [IN/IN]; (US)
Inventors: TUNG, Chao-Hung, Steve; (US).
CLENDENIN, Jason, Michael; (US).
ROKADIA, Husein, J.; (US).
VENKATESH, Balaji, Srinivasan; (US)
Agent: DOUGHERTY, J., Charles; WRIGHT, LINDSEY & JENNINGS LLP, 200 W. Capitol Ave., Suite 2300, Little Rock, AZ 72201-3699 (US)
Priority Data:
60/627,385 12.11.2004 US
Title (EN) CARBON NANOTUBE ALIGNMENT METHOD, APPARATUS AND APPLICANTIONS
(FR) PROCEDE D'ALIGNEMENT DE NANOTUBES DE CARBONE, APPAREIL ET APPLICATIONS
Abstract: front page image
(EN)A horizontally aligned carbon nanotube (CNT) structure is disclosed. The structure may be used, for example, as a shear stress sensing element. The structure may be formed between surface micro-machined gold electrodes using AC dielectrophoresis. A 25 Vp_p electric field at 3 MHz may, for example, be used to form an approximately 150 pm wide line of aligned CNTs. A fabricated CNT shear stress sensor formed in this manner has been tested` by bonding a Plexiglas channel to the electrode chip in order to create a two-dimensional internal flow. The CNT shear stress sensor was found to have an average TCR of -0.0112 %/ °C or -0.06910/ °C and a current to voltage ratio of 0.07 mA/V.
(FR)L'invention porte sur une structure à nanotubes de carbones alignés horizontalement. La structure de l'invention peut être utilisée, par exemple, comme élément de détection de contrainte de cisaillement. La structure peut être formée entre des électrodes en or à surface micro-usinée par diélectrophorèse à C.A. On peut, par exemple, utiliser un champ électrique de 25 Vp_p à 3 MHz pour former une ligne d'environ 150 pm de large de nanotubes de carbone alignés. On a testé un capteur de contrainte de cisaillement à nanotubes de carbone fabriqué de cette manière en liant un canal de plexiglas à la puce à électrode afin de créer un courant interne bidimensionnel. Il a été découvert que le capteur de contrainte de cisaillement à nanotubes de carbone possède un coefficient de résistance thermique moyen de -0,0112 %/ °C ou de 0,.0691$g(V)/ °C et un rapport courant/tension de 0,07 mA/V.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)