WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007011294) SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/011294    International Application No.:    PCT/SE2006/000902
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 20.07.2006
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/26 (2006.01)
Applicants: CREE SWEDEN AB [SE/SE]; Osterögatan 3, S-164 40 Kista (SE) (For All Designated States Except US).
HARRIS, Christopher [GB/SE]; (SE) (For US Only).
BASCERI, Cem [TR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HARRIS, Christopher; (SE).
BASCERI, Cem; (US)
Agent: OLSSON, Jan; Bjerkéns Patentbyrå KB, P.O. Box 1274, S-801 37 Gävle (SE)
Priority Data:
11/185 106 20.07.2005 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device comprises a first layer (1) of a wide band gap semiconductor material doped according to a first conductivity type and a second layer (3) on top thereof designed to form a junction blocking current in the reverse biased state of the device at the interface to said first layer. The device comprises extension means for extending a termination of the junction laterally with respect to the lateral border (6) of the second layer. This extension means comprises a plurality of rings (16-21) in juxtaposition laterally surrounding said junction (15) and being arranged as seen in the lateral direction away from said junction alternatively a ring (16-18) of a semiconductor material of a second conductivity type opposite to that of said first layer and a ring (19-21) of a semi-insulating material.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une première couche (1) d’un matériau semi-conducteur à large bande interdite dopé selon un premier type de conductivité et une seconde couche (3) recouvrant la première qui est conçue pour former un courant de blocage de jonction dans l’état de polarisation inverse du dispositif à une interface avec la première couche. Le dispositif comprend un moyen d’extension qui prolonge latéralement une terminaison de la jonction par rapport à la limite latérale (6) de la seconde couche. Ce moyen d’extension comporte une pluralité d’anneaux (16-21) disposés en juxtaposition latérale pour entourer ladite jonction (15) et de sorte à s’écarter de celle-ci dans le sens latéral, avec alternance d’un anneau (16-18) en matériau semi-conducteur ayant un second type de conductivité inverse à celui de la première couche et d’un anneau (19-21) en matériau semi-isolant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)