Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2007011267) METHOD FOR STIMULATING BASIC BIOCHEMICAL REACTIONS OF AN ORGANISM FOR TREATING AND REGENERATING TISSUES, A PANEL FOR TREATING AND REGENERATING TISSUES AND A RADIATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2007/011267 International Application No.: PCT/RU2006/000387
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 20.07.2006
Chapter 2 Demand Filed: 15.02.2007
IPC:
A61N 5/02 (2006.01) ,A61N 5/06 (2006.01) ,H01S 5/00 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/28 (2010.01)
A HUMAN NECESSITIES
61
MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
N
ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
5
Radiation therapy
02
using microwaves
A HUMAN NECESSITIES
61
MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
N
ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
5
Radiation therapy
06
using light
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
04
with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06
within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
26
Materials of the light emitting region
28
containing only elements of group II and group VI of the periodic system
Applicants:
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ 'ДИПОЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ' OBSCHESTVO S OGRANICHENNOY OTVETSTVENNOSTYU 'DIPO LNYE STRUKTURY' [RU/RU]; ул. Профессора Попова, д. 5, Санкт-Петербург, 197376, St.Petersburg ul. Professora Popova, 5 St.Petersburg, 197376, RU (AllExceptUS)
БАГРАЕВ Николай Таймуразович BAGRAEV, Nikolai Taimurazovich [RU/RU]; RU (UsOnly)
МАЛЯРЕНКО Анна Михайловна MALYARENKO, Anna Mikhailovna [RU/RU]; RU (UsOnly)
КЛЯЧКИН Леонид Ёфимович KLYACHKIN, Leonid Efimovich [RU/RU]; RU (UsOnly)
Inventors:
БАГРАЕВ Николай Таймуразович BAGRAEV, Nikolai Taimurazovich; RU
МАЛЯРЕНКО Анна Михайловна MALYARENKO, Anna Mikhailovna; RU
КЛЯЧКИН Леонид Ёфимович KLYACHKIN, Leonid Efimovich; RU
Agent:
ХМЕЛЕВСКАЯ Наталья Алексеевна KHMELEVSKAYA, Natalya Alekseevna; ул. Серпуховская, д. 14, кв. 11, Санкт-Петербург, 190013, St.Petersburg ul. Serpukhovskaya, 14-11 St.Petersburg, 190013, RU
Priority Data:
200512306020.07.2005RU
Title (EN) METHOD FOR STIMULATING BASIC BIOCHEMICAL REACTIONS OF AN ORGANISM FOR TREATING AND REGENERATING TISSUES, A PANEL FOR TREATING AND REGENERATING TISSUES AND A RADIATOR
(FR) PROCEDE DE STIMULATION DE REACTIONS BIOCHIMIQUES DANS L'ORGANISME HUMAIN, DISPOSITIF DE TRAITEMENT ET DE REGENERATION DES TISSUS PAR CE PROCEDE ET DIODE LUMINEUSE DESTINEE A CE DISPOSITIF
(RU) СПОСОБ СТИМУЛИРОВАНИЯ ОСНОВНЫХ БИОХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ ОРГАНИЗМА ДЛЯ ЛЕЧЕНИЯ И ГЕНЕРАЦИИ ТКАНЕЙ, ПАНЕЛЬ ДЛЯ ЛЕЧЕНИЯ И РЕГЕНЕРАЦИИ ТКАНЕЙ И ИЗЛУЧАТЕЛЬ
Abstract:
(EN) The invention relates to medicine. The inventive method for stimulating organism basic biochemical reactions for treating and regenerating tissues consists in irradiating skin areas by a teraherz radiation ranging from 0.02 to 8 THz, whose carrier is embodied in the form of an infrared radiation ranging from 1 to 56 mkm. Each radiator represents a teraherz radiation source embodied in the form of a silicon light-emitting semiconductor diode generating an infrared radiation, which is used as the teraherz radiation carrier, by means of radiation matrices of planar silicon structures. The teraherz radiation frequency is provided by selecting the geometry of the surface topographic image of ultrafine diffuse boron profiles in silicon taking into consideration the fluctuation of a surface-deformation potential. The modulation depth is obtained by the tension quantity applied along and perpendicularly to the diffusion profile plane.
(FR) L'invention appartient au domaine de la médecine. Le procédé de stimulation des réactions biochimiques principales de l'organisme humain à des fins de traitement et de régénération des tissus consiste en ce que l'on irradie des parties de la peau avec un rayonnement de l'ordre de quelques térahertz dans une gamme de 0,02 THz à 8 THz, et l'on utilise en tant que porteuse un rayonnement infrarouge de 1 à 56 micromètres. Pour mettre en oeuvre ce procédé on utilise un panneau de traitement et de régénération des tissus. Il est constitué de 'n' éléments rayonnants qui se présentent comme des diodes lumineuses en silicium ayant un rayonnement de l'ordre de quelques térahertz dans une gamme de 0,02 THz à 8 THz, et l'on utilise en tant que porteuse un rayonnement infrarouge de 1 à 56 micromètres. Chaque élément rayonnant se présente comme une source de rayonnement de l'ordre de quelques térahertz qui se présente comme une diode lumineuse semi-conductrice en silicium, générant au moyen de matrices de rayonnement de structures planaires en silicium un rayonnement infrarouge qui est une porteuse du rayonnement de l'ordre de quelques térahertz. La fréquence de ce rayonnement est assurée par le choix de la géométrie de l'image topographique de la surface des profils de diffusion très petits grâce à l'utilisation du bore dans du silicium qui tient compte des fluctuations en surface du potentiel de déformation en surface. La profondeur de la modulation est assurée par la tension de surface appliquée le long du profil de diffusion ou perpendiculairement à celui-ci.
(RU) Изобретение относится к медицине. Способ стимулирования основных биохимических реакций организма для лечения и регенерации тканей, состоящий в том, что облучают участки кожи терагерцовым излучением в диапазоне от 0,02 ТГц до 8 ТГц, в качестве несущей которого выступает инфракрасное излучение от 1 до 56 мкм. Для реализации способа использована панель для лечения и регенерации тканей. Она состоит из п излучателей в виде кремниевых светодиодов с терагерцовым излучением в диапазоне от 0,02 ТГц до 8 ТГц, в качестве несущей которого выступает инфракрасное излучение от 1 до 56 мкм. Каждый излучатель представляет собой источник терагерцового излучения в виде полупроводникового кремниевого светодиода, генерирующего посредством излучающих матриц планарных кремниевых структур инфракрасное излучение, являющееся несущей терагерцового излучения. Частота терагерцового излучения обеспечена за счет подбора геометрии топографического изображения поверхности сверхмелких диффузионных профилей бора в кремнии с учетом флуктуации поверхностного деформационного потенциала. Глубина модуляции обеспечена за счет величины напряжения, приложенного как вдоль, так и перпендикулярно плоскости диффузионного профиля.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)
Also published as:
EP1964590