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1. (WO2007010794) PROCESS FOR PRODUCING RESIST COMPOSITION, FILTERING APPARATUS, RESIST COMPOSITION APPLICATOR, AND RESIST COMPOSITION
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明 細書

レジスト組成物の製造方法、ろ過装置、レジスト組成物の塗布装置および レジスト組成物

技術分野

[0001] 本発明は、レジスト組成物の製造方法、ろ過装置、レジスト組成物の塗布装置およ びレジスト組成物に関する。

本願は、 2005年 7月 19曰に、曰本に出願された特願 2005— 208543号に基づき 優先権を主張し、その内容をここに援用する。

背景技術

[0002] フォトリソグラフィー技術にぉ、ては、例えば基板の上にレジスト材料力もなるレジス ト膜を形成し、前記レジスト膜に対し、所定のパターンが形成されたフォトマスクを介し て、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記 レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。露光した部分 が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光した部分が現像液 に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。レジスト材料は、通常、有 機溶剤に溶解させ、レジスト溶液としてレジストパターンの形成に用いられる。

[0003] 近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩 により急速に微細化が進んで、る。微細化の手段としては露光光の短波長化が一般 的に行われている。具体的には、従来は、 g線、 i線に代表される紫外線が用いられて いた。しかし現在では、 KrFエキシマレーザー(248nm)が導入され、さらに、 ArFェ キシマレーザー(193nm)が導入され始めている。また、それより短波長の F 2エキシ マレーザー(157nm)や、 EUV (極紫外線)、電子線、 X線などについても検討が行 われている。

また、微細な寸法のパターンを再現するためには、高解像性 (high resolution)を有 するレジスト材料が必要である。このようなレジスト材料として、ベース榭脂と、露光に より酸を発生する酸発生剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている 現在、化学増幅型レジスト組成物のベース榭脂としては、たとえば露光光源として κ rFエキシマレーザー(248nm)を用いる場合は、 KrFエキシマレーザーに対する透 明性が高、ポリヒドロキシスチレン (PHS)や、その水酸基を酸解離性の溶解抑制基 で保護した PHS系榭脂が一般的に用いられている。また、露光光源として ArFェキ シマレーザー(198nm)を用いる場合は、 ArFエキシマレーザーに対する透明性が 高 ヽ (メタ)アクリル酸エステル力誘導される構成単位 (structural unit)を主鎖に有す る榭脂 (アクリル系榭脂)が一般的に用いられている (たとえば特許文献 1参照)。

[0004] しかし、上記のようなレジスト材料を用いた場合、形成されるレジストパターン表面に 欠陥(ディフエタト)が生じやすいという問題がある。このディフエタトとは、例えば、 KL Aテンコール社の表面欠陥観察装置(商品名「KLA」)により、現像後のレジストバタ ーンを真上から観察した際に検知される不具合全般のことである。この不具合とは、 例えば現像後のスカム (scum) (主に溶け残り等)、泡、ゴミ、色むら、レジストパターン 間のブリッジ等である。ディフエタトは、あくまで現像後のレジスト表面(レジストパター ン表面)に表れるものであって、いわゆるパターン形成前のレジスト塗膜におけるピン ホール欠陥とは異なる。

このようなディフエタトは、従来はあまり問題ではなかった。しカゝし近年のように 0. 15 ミクロン以下の高解像性のレジストパターンが要求されると、ディフエタトの改善が重 要な問題となる。

このような問題に対し、これまで、主にレジスト組成(レジスト組成物のベース榭脂、 酸発生剤、有機溶剤等)を中心にディフエタトの改善が試みられている (たとえば特許 文献 2参照)。

[0005] 一方、ディフエタトの原因の 1つとして、溶液状態のレジスト組成物(レジスト溶液)中 に、微粒子等の固体状の異物が存在することが挙げられる。このような異物は、たと えばレジスト組成物を溶液状態で保管している間に、レジスト溶液中に経時的に発生 する傾向があり、レジストの保存安定性を低下させる原因にもなる。そのため、異物の 改善のために様々な方法が提案されて、る。

これまで、異物の低減については、上記ディフエタトの場合と同様、レジスト組成を 中心にその改善が試みられている(たとえば特許文献 3参照)。

また、特許文献 4には、フィルタが設置された閉鎖系内において、レジスト組成物を 循環させることにより、レジスト組成物中の微粒子の量を低減するレジスト組成物の製 造方法が提案されている。

また、特許文献 5には、正のゼータ電位を有するフィルタを通過させることにより、レ ジスト組成物の保存安定性を向上させるレジスト組成物の製造方法が提案されてい る。

特許文献 1 :特許第 2881969号公報

特許文献 2:特開 2001— 56556号公報

特許文献 3:特開 2001 - 22072号公報

特許文献 4:特開 2002— 62667号公報

特許文献 5:特開 2001— 350266号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] し力しながら、レジスト材料として化学増幅型レジストを用いた場合、上記の方法で は、最先端分野で要求されるレベル以下にまでディフエタトの発生を抑制することは 困難である。たとえば、レジスト組成の点では、ディフエタトを低減するために、ベース 榭脂の親水性を高め、それによつて現像後の析出物の発生等を抑制する方法が考 えられる。しかし、ベース榭脂の親水性を高めることは、通常、リソグラフィー特性の低 下を伴うため、充分なディフエタト改善は困難である。また、特許文献 4, 5に記載の 様に、レジスト溶液を、フィルタを通過させて異物を低減する方法においても、ディフ ェクトを充分に改善できな、。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、ディフエタトの発生が抑制され たレジスト組成物が得られるレジスト組成物の製造方法、前記製造方法に好適に使 用できるろ過装置、前記ろ過装置を搭載したレジスト組成物の塗布装置、およびディ フエタトの発生が抑制されたレジスト組成物を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0007] 本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、レジスト組成物を、ポリエチレン製の中空 糸(hollow thread)膜を備えたフィルタ (f 1)を通過させることにより上記課題が解決さ れることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明の第一の態様 (aspect)は、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化 する榭脂成分 (A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分 (B)を有機溶剤 (S)に 溶解して得られるレジスト組成物を、ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィルタ (fl) を通過させる工程 (st印) (I)を有するレジスト組成物の製造方法である。

また、本発明の第二の態様 (aspect)は、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する 榭脂成分 (A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分 (B)を有機溶剤 (S)に溶解 して得られるレジスト組成物用の流路上に、ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィ ルタ (f 1)を備えるろ過部 (F1)を有するろ過装置である。

本発明の第三の態様 (aspect)は、前記第二の態様 (aspect)のろ過装置を搭載した レジスト組成物の塗布装置である。

本発明の第四の態様 (aspect)は、前記第一の態様 (aspect)のレジスト組成物の 製造方法によって得られるレジスト組成物である。

発明の効果

[0008] 本発明によれば、ディフエタトの発生が抑制されたレジスト組成物の製造方法、前 記製造方法に好適に使用できるろ過装置、前記ろ過装置を搭載したレジスト組成物 の塗布装置、およびディフエタトの発生が抑制されたレジスト組成物を提供できる。 図面の簡単な説明

[0009] [図 1]ろ過装置の 1実施形態 (embodiment)を示した概略構成図である。

[図 2]Zisman Plotのグラフである。

[図 3]ろ過装置を搭載した塗布装置の 1実施形態を示した概略構成図である。

符号の説明

[0010] 1…貯留槽、

2…第一のろ過部、 2a…第一のフィルタ、

3…ろ液貯留槽、

4…第二のろ過部、 4a…第二のフィルタ、

5· · ·谷器、

6…加圧用管、

7· ·· 'レジスト組成物、

8· ·· '貯留部、

9· · '導入管、

10· …リザーバタンク、

11 · …ポンプ、

12· ' ··ろ過部(Fl)、 12a…フィルタ(fl)、

13· "ノズル、

14· ' ··基板、

15· …支持部、

16· …有底筒状体、

17· "回転軸、

18· ' ··塗布部

発明を実施するための最良の形態

«レジスト組成物の製造方法およびろ過装置》

本発明のレジスト組成物の製造方法は、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する 榭脂成分 (A) (以下、(A)成分という。)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分 (B ) (以下、(B)成分という。)を有機溶剤 (S) (以下、(S)成分という。)に溶解して得ら れるレジスト組成物を、ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィルタ (f 1)を通過させる 工程 (I)を有する必要がある。

また、本発明のろ過装置は、(A)成分と、(B)成分を (S)成分に溶解して得られるレ ジスト組成物用の流路上に、ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィルタ (fl)を備え るろ過部 (F1)を有する必要がある。

このような構成を有することにより、ディフエタトの発生が抑制されたレジスト組成物 が得られる技術を提供できる。そして、形成したレジストパターンサイズの安定性に優 れるという効果も得られる。

その理由としては、フィルタ (fl)力中空糸膜形態であることにより、一般的に用い られている平膜形態のフィルタ(たとえば平坦なもの、プリーツ状のもの等)に比べて 、液体を通過させる際に膜に力かる圧力が変動した場合に膜が波打つことによる異

物除去性能の低下が生じにくいこと、およびポリエチレン製であることにより、他の材 質 (たとえばポリプロピレン)の場合に比べて異物除去性能が高いことが考えられる。 さらに、上記効果が得られる理由として、フィルタを通過させる処理の前と後を比較 した場合、レジスト組成物の組成が変化しにくいことも考えられる。すなわち、従来、レ ジスト組成物をフィルタに通過させた場合、レジスト組成物中にフィルタに由来する溶 出物(たとえばナトリウム、カリウム、鉄、カルシウム、アルミニウム等の金属元素ゃ不 揮発性成分、塩素など)が溶出するという問題がある。しかし本発明においては、レジ スト組成物中の溶出物の量も低減できる。これは、フィルタ (fl)力(S)成分等に対し て優れた耐性を有しているためと推測される。

また、フィルタに起因する溶出物の量が低減できるため、フィルタ自体の寿命も長い

。また、フィルタ (fl)は、中空糸膜タイプであるため、処理能力が高ぐ短時間で多量 のレジスト組成物をろ過処理できる。そのため、生産効率が高い。これらの効果から、 コストち低減でさる。

ここで、本発明において、「フィルタ」とは、少なくともレジスト組成物を通過させる多 孔性の膜と、前記膜を支持する支持部材とを備えたものである。このようなフィルタと しては、たとえば日本ポール株式会社、アドバンテック東洋社、マイクロリス社、キッッ 社などのフィルタメーカーから、超純水、高純度薬液、ファインケミカル等をろ過する ために種々の材質、孔径のものが製造または販売されている。本発明においては、 フィルタの形態は、膜 (フィルタ (fl)については中空糸膜)を備えていれば特に限定 されず、一般的に用いられている形態、例えばいわゆるディスクタイプ、カートリッジタ イブ等の、容器内に膜が収納されたものが使用できる。

本発明の製造方法において、フィルタを通過させる「レジスト組成物」には、製品と 同様の固形分濃度を有するレジスト組成物はもちろん、製品よりも固形分濃度が高い (たとえば固形分濃度 8〜15質量%程度の)、いわゆる原液のレジスト組成物も含ま れる。

また、本発明において使用する「ろ過」という用語には、通常使用される化学的な「 ろ過」(「多孔質性物質の膜や相を用いて流動体の相 [気体もしくは液体]だけを透過 させ、半固相もしくは固体を流動体の相力分離すること」化学大事典 9昭和 37年 7 月 31日発行共立出版株式会社)の意味に加えて、単に「フィルタを通過させる」場 合、すなわち膜を通過させることによって前記膜によってトラップされた半固相もしく は固体が視覚的に確認できないようにする場合等も含む。

[0013] 以下、本発明のレジスト組成物の製造方法およびろ過装置の 1実施形態 (embodim ent)を説明する。

本発明のろ過装置の 1実施形態を図 1に示す。

このろ過装置は、第一のフィルタ 2aを備えた第一のろ過部 2と、第二のフィルタ 4aを 備えた第二のろ過部 4とを備える。

また、前記ろ過装置は、 (A)成分と(B)成分を (S)成分に溶解してなるレジスト組成 物を貯留する貯留槽 1と、第一のろ過部 2を通過したレジスト組成物を貯留するろ液 貯留槽 3とを備えている。さらに貯留槽 1と第一のろ過部 2との間、第一のろ過部 2とろ 液貯留槽 3との間、ろ液貯留槽 3と第二のろ過部 4との間は、それぞれ、流路 21a、 2 lb、 21cにより連絡されている。また、第二のろ過部 4には、第二のろ過部 4を通過し たレジスト組成物を容器 5に導入するための流路 21dが接続されている。

[0014] 本実施形態においては、第一のフィルタ 2および第二のフィルタ 4の少なくとも一方

1S ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィルタ (f 1)である必要がある。

これにより、レジスト組成物を、少なくとも 1回、前記フィルタ (fi)を通過させることが できる。それにより、ディフエタトの発生が抑制されたレジスト組成物が得られる。

[0015] このようなろ過装置を用いる場合、レジスト組成物は、以下のように製造できる。

まず、(A)成分と (B)成分を (S)成分に溶解してなるレジスト組成物を調製する。前 記レジスト組成物を、貯留槽 1 (レジスト組成物の貯留部)から第一のろ過部 2に供給 する。これにより、レジスト組成物は、第一のろ過部 2内に備えられた第一のフィルタ 2 aを通過してろ過され、ろ液はろ液貯留槽 3に供給される。

ついで、前記ろ液貯留槽 3から、ろ液 (レジスト組成物)を第二のろ過部 4に供給す る。これにより、レジスト組成物は、第二のろ過部 4内に備えられた第二のフィルタ 4a を通過してろ過される。得られたろ液 (レジスト組成物)は、最後に、容器 5に入れて製 品とされる。

[0016] このとき、第一のフィルタ 2としてフィルタ (fl)を用いて工程 (I)を行い、その後、第 二のフィルタ 4として、ポリエチレン以外の材質力もなる膜を備えたフィルタ (f 2)を用 いて後ろ過工程を行ってもよい。また、第二のフィルタ 4としてフィルタ (fl)を用いて 工程 (I)を行い、その前に、第一のフィルタ 2として、フィルタ (f 2)を用いて前ろ過ェ 程を行ってもよい。

また、第一のフィルタ 2および第二のフィルタ 4の両方がフィルタ(fl)であってもよい 。この場合、フィルタ (fl)を 2回以上容易に通過させることができる。常法によって、 被処理液 (レジスト組成物)を前記フィルタに供給した後、得られたろ液を、再度同じ フィルタに供給する循環ろ過の装置構成を採用した場合、レジスト組成物を、同じフ ィルタを複数回容易〖こ通過させることができる。

また、前ろ過工程や後ろ過工程を行わず、工程 (I)のみを 1回行う場合、第二のフィ ルタ 4としてフィルタ (fl)を用い、貯留槽 1からレジスト組成物を直接第二のフィルタ 4 に供給すればよい。

[0017] 本発明においては、フィルタ(f 2)を用いる工程は、必須ではない。し力し、フィルタ

(f 2)を用いる工程を行うと、本発明の効果がさらに向上するため好ましい。特に、フィ ルタ (f 2)を用いて前ろ過工程を行った後、工程 (I)を行うと、フィルタ (fl)でのろ過の 負担を減ずることができ、また、ディフエタト低減の効果、異物の低減の点もさらに良 好となるため、好ましい。

ひとつのフィルタ(フィルタ(f 1)やフィルタ(f 2) )を通過させる回数、フィルタ(f 1)と 組み合わせるフィルタ (f2)の種類等は特に限定されず、目的に応じて適宜調整可能 である。

[0018] [ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィルタ (f 1) ]

本発明にお、ては、ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィルタ (fl)用いる必要が ある。

中空糸膜を備えたフィルタとしては、多数の中空糸膜を束ねて容器内に収納したも のが、限外濾過、精密濾過、逆浸透、人工透析、ガス分離等に用いられている。この ようなフィルタに用いられる中空糸膜は、一般的には、ポリプロピレン製のものが用い られる。しかし、このようなポリプロピレン製の中空糸膜を備えたフィルタをフィルタ (fl )の代わりに用いた場合、フィルタ (f 1)を用いた場合のような優れたディフエタト改善

効果は得られない。

[0019] フィルタ(fl)に用いる膜の孔径は、フィルタのメーカーの公称値にて好ましい範囲 を規定することができる。前記好ましい範囲は、ろ過部の組合せ (フィルタの形態、膜 の種類、膜を通過させる回数等の組合せ)によって、生産性と本発明の効果の観点 から適宜調整される。

効果の点では、フィルタ (fl)としては、膜の孔径が 0. 2 /z m以下であることが好まし く、より好ましくは 0. 1 μ m以下、さらに好ましくは 0. 04 μ m以下である。

ただし、あまり小さくなりすぎると生産性 (レジスト組成物製造や塗布のスループット) が低下する傾向があるため、下限値は 0. 01 m程度であることが好ましぐより好ま しくは 0. 02 m以上である。ディフエタト低減効果、異物の改善等の効果と生産性と を考慮すると、フィルタ(fl)に用いる膜の孔径は、 0. Ol ^ m-O. の範囲内が 好ましく、より好ましくは 0. 01〜0. 04 m、さらに好ましくは 0. 01〜0. 02 mであ る。

[0020] フィルタ (f 1)の表面積 (ろ過面積)、ろ過圧 [耐差圧]、フィルタ (f 1)を通過させるレ ジスト組成物の流速は、レジスト組成物の処理量等によって適宜調整することが好ま しぐ特に限定されるものではない。

[0021] フィルタ (f 1)としては、たとえば、キッッ社製カゝら提供されるサンプル等が使用でき る。

[0022] [ポリエチレン以外の材質力もなる膜を備えたフィルタ (f 2) ]

ポリエチレン以外の材質力もなる膜としては、特に制限はなぐ一般に、ろ過に用い られて、るフィルタに用、られて、るものが使用できる。

フイノレタ(f2)としては、臨界表面張力(critical surface tension)が 70dyneZcm以 上の膜を備え、かつ荷電修飾されていないフィルタを用いることが好ましい。このよう な膜は、ディフエタトの低減、特に微細なスカムやマイクロブリッジの抑制や、異物の 低減の効果に優れる。また、フィルタを通過させる処理の前と後とを比較した場合、レ ジスト組成物の組成が変化しにくい。その結果、形成したレジストパターンサイズの安 定性に優れる効果も得られる。

[0023] 「臨界表面張力(critical surface tension)」は、高分子の表面物性の『濡れ特

性』として知られた物性であり、固体の表面張力( γ c)である。

この γ cは液体の場合のように直接評価できないため、次のように、 Young - Dupre の式と、下記に説明する Zisman Plotから求められる。

Young— Dupreの式: γ LVcos Θ = y SV- y SL

式中、 Θ:接触角、 S :固体、 L :液体、 V:飽和蒸気をそれぞれ表す。液体として水 を用いたとき 0力 90° であり、 0力以上のときその表面は疎水性であり、 0° に 近い表面を親水性という。

Zisman Plot (図 2参照):種々の表面張力 γ LVの液体を用いて接触角 0を測定 して、 γ LVを横軸に、 cos Θを縦軸にプロットする。 γ LVが固体表面の γ SVに近づ くと Θは小さくなり、 y LVのある値で接触角 Θは 0° となる。この Θ = 0° となったとき の液体の γ LVが固体の表面張力であり、即ち臨界表面張力( γ c)と定義される。 臨界表面張力 γ cは、膜における臨界表面張力を意味しており、そのポリマー材料 (Material)の値ではない。すなわち、通常、ポリマー材料(Material)と、これをフィ ルタとして機能する様にカ卩ェしたフィルタに備えられた膜 (Medium)とは、それぞれ が異なっている。

一般的にフィルタに用いられている材質 (ポリマー材料)について、その膜 (フィルタ 用に加工された膜)(Medium)と、そのフィルタに用いられる前(フィルタ用に力卩ェさ れる前)のポリマー材料(Material)における γ cを下記に示す。

'ナイロン:

たとえばナイロン 66の場合、フィルタに備えられたナイロン 66の膜(Medium)の γ cは 77dyneZcmであり、フィルタに備えられていない一般のナイロン 66 (Material) の γ ciま 46dyne/ cmである。

,ポリプロピレン:

フィルタに備えられたポリプロピレンの膜(Medium)の γ cは 36dyne/cmである。 なお、ポリプロピレン製の膜には通常のポリプロピレンのほかに高密度ポリプロピレン (HDPE)膜や超高分子量ポリプロピレン (UPE)膜も含まれる。

•フッ素榭脂:

たとえばポリテトラフルォロエチレン(PTFE)の場合、フィルタに備えられた PTFE

の膜(Medium)の γ cは 28dyneZcmであり、フィルタに備えられていない一般の P TFE (Material)の γ cは 18. 5dyneZcmである。

この様なポリマー材料と、フィルタに用いられる膜との臨界表面張力の値の差は、フ ィルタに用いられる様に、ポリマー材料(Material)が加工されることから生じるもので ある。

[0025] 同じ材料であっても加工の仕方が異なれば臨界表面張力の値も異なる。そのた め、フィルタの膜の臨界表面張力は、個々に公称値を確認したり、測定値を求めるこ とが好ま、。臨界表面張力の値はフィルタのメーカーの公称値を用いることが簡便 である。、一方、測定値を求める場合、具体的には、既知の表面張力の液体を複数 準備して、対象とする膜に滴下し、自重で膜にしみこむものとしみこまないものの境界 を見極めることにより、容易に求めることができる。

[0026] 臨界表面張力の上限はディフエタト低減効果が劣ってくることから、 95dyne/cm 以下であることが好ましい。より好ましい臨界表面張力の範囲は、 75dyneZcm以上 90dyneZcm以下、さらに好ましい範囲は 75dyneZcm以上 80dyneZcm以下で ある。

[0027] 「荷電修飾」とは、強制電位修飾と!/、う表現と同義である。また、荷電修飾の有無は ゼータ電位の値と相関があり、「荷電修飾されていない」とは、特定の pH7. 0の蒸留 水におけるゼータ電位を有すると言うことができる。

「ゼータ電位」とは、液体中に荷電した粒子の周囲に生じる拡散イオン層の電位で ある。より詳しくは、液中で超微紛体が電荷を持つとき、この電荷を打ち消すために 反対の電荷のイオンが静電力で微紛体にひきつけられ電気二重層ができる。この二 重層の最も外側の面の電位がゼータ電位である。そして、ゼータ電位の測定は微紛 体'微粒子の表面構造決定に有効であると言われている。

本明細書において単に「ゼータ電位」という場合は、上述の様に、 ΓρΗ7. 0の蒸留 水におけるゼータ電位」を意味するものとし、その数値は、フィルタのメーカーの公称 値である。

[0028] 本明細書において、「荷電修飾されていない」膜とは、 20mV超、 15mV以下の 範囲のゼータ電位を有するものとする。本発明の効果の点から、ゼータ電位は、好ま しくは 20mV超 10mV以下の範囲;さらに好ましくは 20mV超 10mV未満の範 囲;最も好ましくは負のゼータ電位 (ただし 20mV超)である。

負のゼータ電位としては、好ましくは一 5mV以下(ただし一 20mV超)、好ましくは — 10〜一 18mV、さらに好ましくは一 12〜一 16mVである。

この様に、ゼータ電位が 20mV超、 15mV以下の範囲、特に負のゼータ電位を 有する膜 (荷電修飾されていない膜)を用いることにより、ディフエタト、特に微細なス カムやマイクロブリッジの低減、異物の改善等の効果が得られる。また、レジスト組成 物自体をろ過処理しても、その処理後でレジスト組成部物の組成が変化しにくぐ感 度やレジストパターンサイズの変化が起こりにく、レジストパターンサイズの安定性に 優れるレジスト組成物が得られるので好まし、。

[0029] 本実施形態にお!、て、フィルタ (f 2)は、ナイロン (ポリアミド榭脂)製の膜を備えたフ ィルタおよび/またはフッ素榭脂製の膜を備えたフィルタを用いることが好ま、。 ナイロンとしては、ナイロン 6、ナイロン 66等が挙げられる。

フッ素榭脂としては、 PTFE (ポリテトラフルォロエチレン)等が挙げられる。

[0030] ナイロン製の膜は、臨界表面張力が 70dyneZcm以上である等の点力も好ましぐ 特に荷電修飾されて、な、ナイロン製の膜が好まし、。

ナイロン製の膜を備えたフィルタとして、具体的には、荷電修飾されてないナイロン 66製のウルチポア N66 (製品名、日本ポール株式会社製、平膜タイプ、ゼータ電位 は約 12〜一 16mV)、ナイロン 66製のウルチプリーツ(登録商標: Ultipleat) P- N ylon Filter (製品名、日本ポール株式会社、平膜タイプ、ゼータ電位は約— 12〜 16mV、孔径 0. 04 m)等を挙げることができる。これらの内では、ウルチプリーツ (登録商標: Ultipleat)が好まし!/、。

フッ素榭脂製の膜を備えたフィルタとして、具体的には、ポリテトラフルォロエチレン 製のェンフロン (製品名、日本ポール株式会社製、平膜タイプ、ゼータ電位は— 20 mV、孔径 0. 05 m)、ポリテトラフルォロエチレン製のフロロライン(製品名、マイク 口リス社製、平膜タイプ、孔径 0. 05-0. 2 /z m)等を挙げることができる。

[0031] 前ろ過の工程で使用するフィルタ (f2)としては、特に、ナイロン製の膜を備えたフィ ルタが、本発明の効果が向上するため好ましい。

後ろ過の工程で使用するフィルタ (f2)としては、特に、 PTFE等のフッ素榭脂製の 膜を備えたフィルタ力本発明の効果が向上するため好ましい。

[0032] フィルタ(f 2)に用いる膜の孔径は、フィルタのメーカーの公称値にて好まし、範囲 を規定することができる。前記好ましい範囲は、ろ過部の組合せ (フィルタの形態、膜 の種類、膜を通過させる回数等の組合せ)によって、生産性と本発明の効果の観点 から適宜調整される。

効果の点では、フィルタ (fl)は、膜の孔径が 0. 2 m以下であることが好ましぐよ り好ましくは 0. 1 m以下、さらに好ましくは 0. 04 m以下である。

ただし、あまり小さくなりすぎると生産性 (レジスト組成物製造や塗布のスループット) は低下する傾向があるため、下限値は 0. 01 m程度であることが好ましぐより好ま しくは 0. 02 /z m以上である。さらに、ディフエタト低減効果、異物の改善等の効果と 生産性とを考慮した場合、フィルタ (fl)に用いる膜の孔径は、 0. 01 μ m〜0. 1 m の範囲内力子ましく、より好ましくは 0. 02-0. l ^ m,さらに好ましくは 0. 02-0. 0 である。効果と生産性の両立の点から 0. 04 m程度が最も好ましい。

[0033] フィルタ (f 2)の表面積 (ろ過面積)、ろ過圧 [耐差圧]、フィルタ (f 2)を通過させるレ ジスト組成物の流速は、レジスト組成物の処理量等によって適宜調整することが好ま しいが、特に限定するものではない。例えば従来と同様の条件でもよい。

[0034] 本発明おいて、ろ過装置としては、図 1に示す実施形態に限定されず、レジスト組 成物用の流路上にフィルタ (f 1)を備えて、ればよぐ種々の形態 (mode)を採用する ことができる。たとえば、第二のろ過部 4の下流側に第三のろ過部を設けてもよい。こ の場合、レジスト組成物を、フィルタ (f 2) (たとえばナイロン製の膜を備えたフィルタ) を備えた第一のろ過部 2と、フィルタ (fl)を備えた第二のろ過部 4と、フィルタ (f 2) (た とえば PTFE製の膜を備えたフィルタ)を備えた第三のろ過部を通過させることにより

、前ろ過工程と、工程 (I)と、後ろ過工程とを行うことができる。

[0035] 本発明のろ過装置は、例えば、下記に示すように、スピンナー、塗布及び現像装置

(コーター.デベロッパー)などの塗布装置に搭載して用いることもできる。

[0036] [レジスト組成物の塗布装置]

本発明のレジスト組成物の塗布装置は、上記ろ過装置を搭載したものである。

本明細書において、レジスト組成物の塗布装置とは、本発明のろ過装置を搭載した 塗布装置であり、スピンナ一等の塗布のみの機能を備えた装置のみならず、塗布及 び現像装置の様に、現像装置等の他の装置と一体化された塗布装置も含む包括的 な概念とする。

この様な塗布装置は、ノズルを有しており、通常、前記ノズルカもゥエーハ(基板)上 にレジスト組成物が供給され、前記レジスト組成物がゥエーハ上に塗布される仕組み となっている。

よって、このノズルからゥヱーハ上に供給される前に、レジスト組成物力本発明の ろ過装置の膜を通過する様に、上記塗布装置等に、本発明のろ過装置を組み込む ことにより、レジスト組成物がゥエーハ上に供給される前に、このレジスト組成物中の ディフエクト、異物特'性 (foreign matter characteristics)の劣ィ匕、異物経時 storage st ability as a resist solution)特性の劣化の原因となる様なものが除去される。その結 果、ディフエタト、特に微細なスカムやマイクロブリッジの低減、レジストパターンサイズ の安定性に優れる等の効果が得られる。

[0037] この様に塗布装置を構成する場合、フィルタは塗布装置に着脱可能とされているこ とが好ましい。すなわち、ろ過装置を搭載した塗布装置において、フィルタのみを取り 外して取り替えることが可能な態様 (mode)とされて、ることが好ま、。

[0038] 図 3に、塗布装置の一例を概略構成図として示した。

この塗布装置は、レジスト組成物を貯留する貯留部 8と、リザーバタンク 10と、フィル タ (f 1) 12aを備えるろ過部 (F1) 12と、塗布部 18とを備えている。

貯留部 8には、加圧用管 6が設けられている。そのため貯留部 8内のレジスト組成物 7を窒素などの不活性ガスで加圧することにより、前記レジスト組成物 7を、貯留部 8 力もリザーバタンク 10まで供給できる様になつている。

塗布部 18は、ノズル 13と、基板を配置するための支持部 15と、支持部 15が先端に 取り付けられた回転軸 17とを備えている。ノズル 13及び支持部 15の周囲には、これ らを囲む様に有底筒状体 16 (防御壁)が設けられており、回転軸 17はその底部を貫 通している。そして、この有底筒状体 16により、支持部 15が回転して基板 14が回転 した際に、基板 14上のレジスト組成物が周囲に飛散することを防ぐ仕組みになって

いる。

[0039] 本塗布装置は、たとえば以下のようにして使用できる。

まず、貯留部 8内に貯留されたレジスト組成物 7が、貯留部 8から、導入管 9を通り、 リザーバタンク 10に供給される。前記レジスト組成物は、ポンプ 11にて吸引されて第 一のろ過部 12に供給され、ろ過部(F1) 12内に備えられたフィルタ(fl) 12aを通過 してろ過される。ろ過部(F1) 12を通過したレジスト組成物は、塗布部 18のノズル 13 から、シリコンゥエーハ等の基板 14に供給される。その際、塗布部 18内の回転軸 17 が回転することにより、回転軸 17の先端に取り付けられた支持部 15がその上に配置 された基板 14を回転させる。その遠心力により、前記基板 14上に滴下されたレジスト 組成物が広がり、前記基板 14上に塗布される。

[0040] ここで、リザーバタンク 10はあってもなくても良い。また、ポンプ 11はレジスト組成物 をその貯留部 8から塗布部 18へ供給する機能を有するものであれば、限定されない

また、フィルタ (f 2)を備えたろ過部を、ろ過部 (F1) 12の前後の一方あるいは両方 に設けることもでき、フィルタの組み合わせは、種々の態様(embodiment)が選択可能 である。

また、ここでは、塗布装置としてスピンナ一の例を示した。しかし、塗布方法は近年 、スリットノズル法など回転塗布以外の様々な方法が提案されており、それらの方法を 実施する様々な装置も提案されてヽるので、これも限定されな、。

また、塗布装置は、上述の様に、その後の現像工程を一貫して行えるいわゆる塗布 '現像装置であってもよい。その様な装置の例としては、東京エレクトロン社製の「タリ ーントラック ACT— 8」(製品名)等が挙げられる。

[0041] [上記レジスト組成物の製造方法に用いられるレジスト組成物]

上記レジスト組成物の製造方法に用いられるレジスト組成物は、少なくとも (A)成分 と(B)成分を (S)成分に溶解した、いわゆる化学増幅型のレジスト組成物である。す なわち、本発明の製造方法は、この様な組成のレジスト組成物の処理に適しており、 本発明のろ過装置及び塗布装置は、この様な組成のレジスト組成物の処理用の装 置として適している。

[0042] ,(A)成分

(A)成分としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース榭脂 として提案されてヽる、一種または二種以上のアルカリ可溶性榭脂またはアルカリ可 溶性 (alkali solubility)となり得る榭脂を使用することができる。前者の場合はいわゆ るネガ型、後者の場合は、わゆるポジ型のレジスト組成物である。

[0043] ネガ型の場合、レジスト組成物には、アルカリ可溶性榭脂および (B)成分とともに架 橋剤(cross- linker)が配合される。そして、レジストパターン形成時に、露光により(B) 成分から酸が発生すると、前記酸が作用し、アルカリ可溶性榭脂と架橋剤との間で架 橋が起こり、アルカリ不溶性へ変化する。

前記架橋剤としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有 するメラミン、尿素またはグリコールゥリルなどのアミノ系架橋剤などが用いられる。 前記架橋剤の配合量は、アルカリ可溶性榭脂 100質量部に対し、 1〜50質量部の 範囲が好ましい。

[0044] ポジ型の場合は、(A)成分は!、わゆる酸解離性溶解抑制基(acid dissociable, diss olution inhibiting groups)を有するアルカリ不溶性のものである。露光により(B)成分 から酸が発生すると、前記酸が前記酸解離性溶解抑制基を解離させることにより、前 記 (A)成分がアルカリ可溶性となる。そのため、レジストパターンの形成において、基 板上に塗布されたレジスト組成物に対して選択的に露光すると、露光部のアルカリ可 溶性が増大し、アルカリ現像することができる。

本発明のレジスト組成物の製造方法に適用されるレジスト組成物は、ポジ型が好ま しい。これは、ポジ型の場合、(A)成分が酸解離性溶解抑制基を有することにより、 ネガ型の場合よりもディフエタトの問題が生じやす!/、ため、本発明を適用する効果が より顕著に得られるためである。

[0045] (A)成分は、ポジ型、ネガ型の、ずれの場合にも、(メタ)アクリル酸エステル力も誘 導される構成単位を含有することが好ましヽ。カゝかる榭脂を用いたレジスト組成物 (特 にポジ型)の製造に前記構成単位を適用した場合、その理由は明らかではないが、 フィルタ (fl)によってレジスト組成物を劣化させる原因となる異物が取り除かれる効 果が大きぐ好ましい。

ここで、本明細書において (メタ)アクリル酸は、アクリル酸とメタクリル酸の一方また は両方を示す。また、構成単位とは、重合体を構成するモノマーから誘導される単位 を示す。(メタ)アタリレートはアタリレートとメタタリレートの一方または両方を示す。

(メタ)アクリル酸エステルカゝら誘導される構成単位を有する榭脂にぉヽては、好まし くは力かる構成単位の割合力(A)成分中、 15モル%以上が好ましぐ 20モル%以 上がより好ましぐ 50モル%以上がさらに好ましい。なお上限値は特に限定しないが 100モル0 /0であってもよ!/ヽ。

[0046] さらに、ポジ型のレジスト組成物である場合、(A)成分は、酸解離性溶解抑制基を 有する (メタ)アクリル酸エステル力誘導される構成単位 (al)を有する榭脂であるこ とが好ましい。

この榭脂は、さらに、任意に下記構成単位 (a2)、(a3)、(a4)を含んでいてもよい。 構成単位 (a2):ラタトン環を有する (メタ)アクリル酸エステルカゝら誘導される構成単 位。

構成単位 (a3):水酸基及び Z又はシァノ基を有する (メタ)アクリル酸エステルから 誘導される構成単位。

構成単位 (a4):構成単位 (al)〜(a3)に分類されず、かつ脂肪族多環式基を有す る (メタ)アクリル酸エステル力誘導される構成単位。

[0047] ArFエキシマレーザー又はこれより短波長の放射線用に用いられるポジ型レジスト 組成物にぉ、ては、特に前記構成単位 (al)及び (a2)を両方含むものが主流となつ て!、る。この様に極性の異なるモノマーを重合させたポジ型レジスト組成物にお!、て は、種々のモノマー、オリゴマー、その他の副生成物がディフエタトまたは時間経過後 等の異物の原因となると予測される。構成単位 (al)は極性が小さく(疎水性が大きく )、構成単位 (a2)単位は極性が大きくなる傾向がある。

し力しながら、本発明を適用することにより、この様に極性の異なるモノマーを組合 せて重合させた榭脂を用いたレジスト組成物においても、異物を低減させ、ディフエ タトの発生を抑制することができる。特に ArFエキシマレーザー又はこれより短波長の 放射線用に用いられるポジ型レジスト組成物にぉヽては、微細なスカムやマイクロブ リッジ等のディフエタトが問題になりやすいため、本発明の適用が効果的である。

[0048] · ·構成単位 (al)

構成単位 (al)において、酸解離性溶解抑制基は、特に限定するものではない。一 般的には (メタ)アクリル酸のカルボキシル基と、環状または鎖状の第 3級アルキルェ ステルとを形成するものが広く知られている。その中でも、脂肪族単環式又は多環式 基含有酸解離性溶解抑制基が挙げられる。特に耐ドライエッチング性と、レジストパ ターンの形成に優れる点から、脂肪族多環式基含有酸解離性溶解抑制基が好ましく 用いられる。

ここで、「脂肪族」とは、芳香族性に対する相対的な概念であって、芳香族性を持た ない基、化合物等を意味するものと定義する。「脂肪族単環式基」は、芳香族性を持 たない単環式基であることを意味し、「脂肪族多環式基」は、芳香族性を持たない多 環式基であることを意味する。以下、脂肪族単環式基および脂肪族多環式基をまと めて脂肪族環式基ということがある。脂肪族環式基は、炭素及び水素からなる炭化水 素基 (脂環式基)、および前記脂環式基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子 、窒素原子、硫黄原子等のへテロ原子で置換されたへテロ環式基等が含まれる。脂 肪族環式基としては、脂環式基が好ましい。脂肪族環式基は、飽和または不飽和の いずれでもよいが、 ArFエキシマレーザー等に対する透明性が高ぐ解像性や焦点 深度幅(DOF) (depth of focus)等にも優れることから、飽和であることが好ましい。 前記脂肪族単環式基としては、シクロアルカンなどから 1個の水素原子を除いた基 などを例示できる。具体的には、シクロへキサン、シクロペンタン等のモノシクロアルカ ンから 1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。

前記脂肪族多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロァ ルカンなどから 1個の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、ァダマン タン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシ クロアルカンから 1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。この様な多環式基は 、例えば ArFエキシマレーザーのレジスト組成物用の榭脂成分において、多数提案 されて!/、るものの中力適宜選択して用いることができる。これらの中でもァダマンチ ル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデ力-ル基が工業上好ましい。

[0049] より具体的には、構成単位 (al)が、下記一般式 (1)、(Π)又は (III)力選択される 少なくとも 1種であると好ましい。

[0050] [化 1]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基、 R1は低級アルキル基である。 )

[0051] [化 2]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基、 R2及び R3はそれぞれ独立に低級アルキル基で ある。)

[化 3]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基、 R4は第 3級アルキル基である。 )

[0053] 式中、 R1としては、炭素数 1〜5の低級の直鎖又は分岐状のアルキル基が好ましく 、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、イソブチル基、ぺ ンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。中でも、炭素数 2以 上、好ましくは 2〜5のアルキル基が好ましぐこの場合、メチル基の場合に比べて酸 解離性が高くなる傾向がある。なお、工業的にはメチル基、ェチル基が好ましい。 前記 R2及び R3は、それぞれ独立に、好ましくは炭素数 1〜5の低級アルキル基であ ると好ましい。このような基は、 2—メチル 2—ァダマンチル基より酸解離性が高くな る傾向がある。より具体的には、 R2、 R3は、それぞれ独立して、上記 R1と同様の低級 の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。中でも、 R2、 R3が共にメチ ル基である場合が工業的に好ましい。具体的には、 2—(1ーァダマンチル) 2—プ 口ピル (メタ)アタリレートから誘導される構成単位を挙げることができる。

前記 R4は、炭素数 4〜8の第 3級アルキル基が好ましぐ tert ブチル基や tert— ァミル基のような炭素数 4〜5の第 3級アルキル基がさらに好ましぐ tert ブチル基 が工業的に好ましい。

また、基一 COOR4は、式中に示したテトラシクロドデ力-ル基の 3または 4の位置に 結合していてよいが、これらは異性体が混合していることから、結合位置を特定でき ない。また、(メタ)アタリレート構成単位のカルボキシル基残基も同様に式中に示した 8または 9の位置に結合する力結合位置の特定はできな!、。

[0054] 構成単位 (al)としては、これらの中でも、上記一般式 (I)又は (Π)で表される構成 単位が好ましぐ式 (I)で表される構成単位がより好まヽ。

[0055] (A)成分中、構成単位 (al)の割合は、(A)成分の全構成単位の合計に対して、 2 0〜60モル%の範囲内であることが好ましぐ 30〜50モル%であることがより好まし い。

[0056] · ·構成単位 (a2)

構成単位 (a2)としては、(メタ)アクリル酸エステルのエステル側鎖部にラタトン環か らなる単環式基またはラタトン環を有する多環式基が結合した構成単位が挙げられる 。このときラタトン環とは、 o c(o) 構造を含むひとつの環を示し、これをひとつ 目の環として数える。したがって、ここではラタトン環のみの場合は単環式基、さらに 他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。

構成単位 (a2)として具体的には、例えば、 γ プチ口ラタトンから水素原子 1つを 除 、た単環式基や、ラタトン環含有ポリシクロアルカン力水素原子を 1っ除、た多 環式基などが挙げられる。

構成単位 (a2)としては、以下の構造式 (IV)〜 (VII)で表される構成単位が好まし い。

[0057] [化 4]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基、 mは 0又は 1である。 )

[0058] [化 5]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基である。 ) [化 6]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基である。 ) [化 7]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基である。 )

[0061] (A)成分中、構成単位 (a2)の割合は、(A)成分を構成する全構成単位の合計に 対して、 20〜60モル%の範囲内が好ましぐ 20〜50モル%カより好ましい。

[0062] · ·構成単位 (a3)

構成単位 (a3)としては、例えば ArFエキシマレーザー用のレジスト組成物用の榭 脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。例 えば水酸基及び Z又はシァノ基含有脂肪族多環式基を含むことが好ましぐ水酸基 又はシァノ基含有脂肪族多環式基を含むことがより好ましい。

前記多環式基としては、前記構成単位 (al)の説明において例示したものと同様の 多数の多環式基力適宜選択して用いることができる。

具体的に、構成単位 (a3)としては、水酸基含有ァダマンチル基や、シァノ基含有 ァダマンチル基、カルボキシル基含有テトラシクロドデ力-ル基を有するものが好まし く用いられる。

さらに具体的には、下記一般式 (VIII)で表される構成単位を挙げることができる。

[0063] [化 8]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基である。 )

[0064] (A)成分中、構成単位 (a3)の割合は、(A)成分を構成する全構成単位の合計に 対して、 10〜50モル%の範囲内が好ましぐ 10〜40モル%がより好ましい。

[0065] · ·構成単位 (a4)

構成単位 (a4)における多環式基としては、例えば、前記の構成単位 (al)の場合 に例示したものと同様のものを例示することができる。例えば ArFエキシマレーザー 用、 KrFポジエキシマレーザー用(好ましくは ArFエキシマレーザー用)等のレジスト 組成物の榭脂成分に用いられ、従来力知られている多種のものが使用可能である

特にトリシクロデカニル基、ァダマンチル基、テトラシクロドデ力-ル基力選ばれる 少なくとも 1種以上である場合、工業上入手し易いなどの点で好ましい。

構成単位 (a4)として、具体的には、下記 (IX)〜 (XI)の構造のものを例示すること ができる。

[0066] [化 9]

(式中、 Rは水素原子又はメチル基である。 ) [0067] [化 10]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基である。 ) [0068] [化 11]


(式中、 Rは水素原子又はメチル基である。 ) [0069] (A)成分中、構成単位 (a4)の割合は、(A)成分を構成する全構成単位の合計に 対して、 1〜25モル%の範囲内が好ましぐ 5〜20モル%がより好ましい。

[0070] (A)成分は、構成単位 (al)〜(a4)以外の他の構成単位を含有して!/、てもよ、。か 力る構成単位としては、上述の構成単位 (al)〜(a4)に分類されな!、他の構成単位 であれば特に限定するものではない。これまで、 ArFエキシマレーザー用、 KrFェキ シマレーザー用(好ましくは ArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の榭脂成 分に用いられ、従来から知られて!/、る多種のものが使用可能である。

[0071] 本発明において、(A)成分は、少なくとも、構成単位 (al)と、構成単位 (a2)および Zまたは (a3)を含む共重合体が好ましぐ構成単位 (al)、(a2)及び (a3)を含む共 重合体がより好ましぐ構成単位 (al)、(a2)、(a3)及び (a4)を全て含む共重合体が さらに好ましい。

特に、一般式 (I)で表される構成単位と、一般式 (V)または (VII)で表される構成単 位と、一般式 (VIII)で表される構成単位と、一般式 (IX)で表される構成単位とを有 する共重合体が好ましぐこれらの 4つの構成単位力なる共重合体が最も好ま、

[0072] (A)成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばァゾビスイソプチ口-トリル

(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合 反応させること〖こよって得ることができる。

また、(A)成分には、上記重合反応の際に、たとえば HS— CH 2 -CH 2 -CH 2—C

(CF 3 ) 2—OHのような連鎖移動剤 (chain transfer agent )を併用して用いることにより

、末端に C (CF 3 ) 2 OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子 の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された榭脂は、ディフ ェタトの低減や LER (ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有 効である。

[0073] (A)成分の質量平均分子量(Mw) (ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィーによる ポリステレン換算準) ^polystyrene equivalent weight average molecular weight det ermined using GPC)は、特に限定するものではないが、 5000〜30000の範囲内力 好ましぐ 8000〜20000力 Sより好ましい。この範囲の上限よりも小さいと、レジストとし

て用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限よりも大きいと、 耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。

また分散度(Mw/Mn) iま 1. 0〜5. 0力 S好ましく、 1. 0〜3. 0力 Sより好ましく、 1. 2 〜2. 5が最も好ましい。

[0074] (A)成分は、 1種または 2種以上の榭脂から構成することができる。例えば上述の様 な (メタ)アクリルエステル力誘導される単位を有する榭脂を 1種または 2種以上用い てもよ、し、さらに他の種類の榭脂を混合して用いることもできる。

[0075] ,(B)成分

(B)成分としては、従来の化学増幅型レジスト組成物にお、て使用されて、る公知 の酸発生剤力特に限定せずに選択して用いることができる。このような酸発生剤と しては、これまで、ョードニゥム塩やスルホ -ゥム塩などのォ-ゥム塩系酸発生剤、ォ キシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスァリ一ルスルホ -ルジァゾメ タン類、ジァゾメタン-トロベンジルスルホネート類などのジァゾメタン系酸発生剤、ィ ミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られて、る

[0076] ォ-ゥム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフエ-ルョードニゥムのトリフルォロメタ ンスルホネートまたはノナフルォロブタンスルホネート、ビス(4—tert ブチルフエ- ル)ョードニゥムのトリフルォロメタンスルホネートまたはノナフルォロブタンスルホネー ト、トリフエ-ルスルホ-ゥムのトリフルォロメタンスルホネート、そのヘプタフルォロプ 口パンスルホネートまたはそのノナフルォロブタンスルホネート、トリ(4 メチルフエ- ル)スノレホニゥムのトリフノレオロメタンスノレホネート、そのヘプタフノレォロプロパンスノレ ホネートまたはそのノナフルォロブタンスルホネート、ジメチル(4ーヒドロキシナフチ ル)スノレホニゥムのトリフノレオロメタンスノレホネート、そのヘプタフノレォロプロパンスノレ ホネートまたはそのノナフルォロブタンスルホネート、モノフエ-ルジメチルスルホ -ゥ ムのトリフルォロメタンスルホネート、そのヘプタフルォロプロパンスルホネートまたは そのノナフルォロブタンスルホネート、ジフエ-ルモノメチルスルホ-ゥムのトリフルォ ロメタンスルホネート、そのヘプタフルォロプロパンスルホネートまたはそのノナフルォ ロブタンスルホネートなどが挙げられる。

[0077] ォキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、 α (メチルスルホ -ルォキシ ィミノ)—フエ-ルァセトニトリル、 at - (メチルスルホ -ルォキシィミノ)—ρ—メトキシフ ェ-ルァセトニトリル、 α - (トリフルォロメチルスルホ -ルォキシィミノ)—フエ-ルァ セト-トリル、 α - (トリフルォロメチルスルホ -ルォキシィミノ)—p—メトキシフエ-ル ァセトニトリル、 at - (ェチルスルホニルォキシィミノ)—p—メトキシフエ二ルァセトニト リル、 α—(プロピルスルホ -ルォキシィミノ) p メチルフエ-ルァセトニトリル、 α (メチルスルホ -ルォキシィミノ) ρ ブロモフエ-ルァセトニトリルなどが挙げられ る。これらの中で、 α (メチルスルホ -ルォキシィミノ) ρ—メトキシフエ-ルァセト 二トリルが好ましい。

[0078] ジァゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスァリールスルホ -ルジァゾメ タン類の具体例としては、ビス(イソプロピルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビス(ρ トルェ ンスルホ -ル)ジァゾメタン、ビス( 1 , 1—ジメチルェチルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビ ス(シクロへキシルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビス(2, 4 ジメチルフエ-ルスルホ-ル )ジァゾメタン等が挙げられる。

[0079] (Β)成分は単独で用いてもよ!、し、 2種以上を組み合わせて用いてもょ、。

(Β)成分の含有量は、(Α)成分 100質量部に対し、 0. 5〜30質量部、好ましくは 1 〜 10質量部とされる。(Β)成分の割合がこれらの数値範囲内である場合、パターン 形成が十分に行われる効果が得られ、かつ均一な溶液が得られ、保存安定性の低 下する原因を抑制できる。

[0080] ,(S)成分

(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるもので あればよぐ従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを 1種または 2種以上適宜選択して用いることができる。

例えば、 γ ブチロラタトン等のラタトン類;アセトン、メチルェチルケトン、シクロへ キサノン、メチルイソアミルケトン、 2—へプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、 ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アル コール類及びその誘導体;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール モノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモ ノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記 エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノェチルエーテル、モノプロ ピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフエ-ルエーテル等のエーテル結合 を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体;ジォキサンのような環式エーテル 類や、乳酸メチル、乳酸ェチル(EL)、酢酸メチル、酢酸ェチル、酢酸ブチル、ピルビ ン酸メチル、ピルビン酸ェチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸ェ チルなどのエステル類などを挙げることができる。

これらの有機溶剤は単独で用いてもよぐ 2種以上の混合溶剤として用いてもょ、。 中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレン グリコールモノメチルエーテル(PGME)、 ELが好ましい。

また、 PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比(質量比 )は、 PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましく は 1: 9〜9: 1、より好ましくは 2: 8〜8: 2の範囲内とすることが好まし!/、。

より具体的には、極性溶剤として ELを配合する場合は、 PGMEA:ELの質量比は 、好ましくは 1 : 9〜9 : 1、より好ましくは 2 : 8〜8: 2である。また、極性溶剤として PGM Eを配合する場合は、 PGMEA: PGMEの質量比は、好ましくは 1: 9〜9: 1、より好ま しくは 2: 8〜8: 2、さらに好ましくは 3: 7〜7: 3である。

また、(S)成分として、その他には、 PGMEA及び ELの中カゝら選ばれる少なくとも 1 種と γ—プチ口ラタトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者 と後者の質量比が好ましくは 70: 30〜95: 5とされる。

(S)成分の使用量は特に限定しないが、製品としてのレジスト組成物を製造する場 合は、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものである。 一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が 2〜20質量%、好ましくは 5〜15質量% の範囲内となる様に用いられる。

,任意成分

レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性 (post exposure st ability of the latent image formed by the pattern-wise exposure of the resist layer) などを向上させるために、さらに任意の成分として、含窒素有機化合物 (D) (以下、 (

D)成分とヽぅ)を配合させることができる。

この(D)成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意 に用いれば良い。中でも、脂肪族ァミン、特に第 2級脂肪族アミンゃ第 3級脂肪族アミ ンが好ましい。

脂肪族ァミンとしては、アンモニア NH 3の水素原子の少なくとも 1つを、炭素数 1〜1

2のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したァミン(アルキルアミンまたはァ ルキルアルコールァミン)が挙げられる。その具体例としては、 n—へキシルァミン、 n 一へプチルァミン、 n—ォクチルァミン、 n—ノ-ルァミン、 n—デシルァミン等のモノァ ルキルァミン;ジェチルァミン、ジ—n—プロピルァミン、ジ—n—へプチルァミン、ジー n—ォクチルァミン、ジシクロへキシルァミン等のジアルキルァミン;トリメチルァミン、ト リエチノレアミン、トリ—n—プロピルァミン、トリ— n—ブチノレアミン、トリ— n—へキシル ァミン、トリー n—ペンチルァミン、トリー n—へプチルァミン、トリー n—ォクチルァミン、 トリ— n—ノ-ルァミン、トリ— n—デ力-ルァミン、トリ— n—ドデシルァミン等のトリアル キルァミン;ジエタノールァミン、トリエタノールァミン、ジイソプロパノールァミン、トリイ ソプロパノールァミン、ジー n—ォクタノールァミン、トリー n—ォクタノールァミン等の アルキルアルコールァミン等が挙げられる。

これらの中でも、アルキルアルコールァミン及びトリアルキルァミンが好ましぐアルキ ルアルコールァミンが最も好まし、。アルキルアルコールァミンの中でもトリエタノール アミンゃトリイソプロパノールァミンが最も好まし、。

これらは単独で用いてもょ、し、 2種以上を組み合わせて用いてもょ、。

(D)成分は、(A)成分 100質量部に対して、通常 0. 01〜5. 0質量部の範囲で用 いられる。

レジスト組成物には、感度劣化(deterioration in stability)の防止や、レジストパター ン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン 酸又はリンのォキソ酸若しくはその誘導体 (E) (以下、(E)成分という)を含有させるこ とがでさる。

有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クェン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香 酸、サリチル酸などが好適である。

リンのォキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジー n—ブチルエステル 、リン酸ジフエ-ルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホス ホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ージー n—ブチルエステル、フエ- ルホスホン酸、ホスホン酸ジフエ-ルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどの ホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フエ-ルホスフィン 酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられる。

(E)成分を配合する場合、(E)成分は、(A)成分 100質量部当り 0. 01〜5. 0質量 部の割合で用いられる。

[0083] レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性 能を改良するための付加的榭脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑 制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有さ せることができる。

[0084] [本発明のレジスト組成物の製造方法により得られるレジスト組成物]

上記のようにして得られるレジスト組成物は、現像後にレジストパターンにスカムや マイクロブリッジが生じにくいなど、ディフエタトの発生が抑制されたものである。また、 組成物中の異物の量が少なぐ異物特性に優れている。また、保存中の経時的な異 物の発生も抑制された異物経時特性の良好なものであり、保存安定性に優れて、る 。そのため、前記レジスト組成物を用いて形成されるレジストパターンは、ディフエタト が低減されている。

さらに、上記のようにして得られるレジスト組成物は、ろ過処理前後での組成の変化 が少ない。

そのため、前記レジスト組成物を用いて形成されるレジストパターンのサイズの安定 性にも優れている。

[0085] レジスト組成物のディフエタト、異物特性、異物経時特性はたとえば以下のようにし て評価できる。

レジストパターンのディフエタトは、例えば KLAテンコール社製の表面欠陥観察装 置 KLA2132 (製品名)によって、いわゆる表面欠陥の数として評価することができる 。また、ディフエタトの種類がスカムである力、マイクロブリッジであるか等は、測長 SE M (Measuring SEM) (走査型電子顕微鏡)等によって観察することにより確認できる。 異物特性、異物経時特性は、パーティクルカウンターを用いて異物の数を測定する こと〖こより評価することができる。たとえば異物特性は、例えば液中パーティクルカウ ンター(Rion社製、製品名:パーティクルセンサー KS— 41や KL— 20K)を用いて 、レジスト組成物のろ過処理直後の値を測定することにより評価できる。また、異物経 時特性は、冷凍、冷蔵、又は室温 (25°C)で保存した後に上記異物特性と同様にし て評価できる。

パーティクルカウンタ一は、 1cm3当たりの粒径 0. 15 m〜0. 3 m以上の粒子の 数を数えるものである。測定限界は通常約 2万個 Zcm3である。具体的には、パーテ イタルセンサー KS— 41は、粒径 0. 15 μ m以上の粒子の数を測定できる。

[0086] レジスト組成物の組成が変化するか否かは、フィルタを通過する処理の前と後とに おいて、レジスト組成物中の材料の濃度を分析して比較するほか、レジスト組成物を 用いてレジストパターンを形成する際の感度 (最適露光量)やレジストパターンサイズ の変化を測定することにより、評価することができる。

[0087] [レジストパターン形成方法]

上記のようにして得られるレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法は、例 えば以下の様にして行うことができる。

まずシリコンゥエーハのような基板上に、レジスト糸且成物をスピンナーなどで塗布し、 80〜150°Cの温度条件下、プレベータを 40〜120秒間、好ましくは 60〜90秒間施 し、これに例えば ArF露光装置などにより、所望のマスクパターンを介して選択的に 露光した後、 80〜150°Cの温度条件下、 PEB (post exposure baking) (露光後加熱) を 40〜120秒間、好ましくは 60〜90秒間施す。次いでこれをアルカリ現像液、例え ば 0. 1〜10質量0 /0テトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理す る。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。 なお、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止 膜を設けることちできる。

また、露光に用いる波長は、特に限定されず、 ArFエキシマレーザー(193 nm)、 K rFエキシマレーザー(248 nm)、 Fエキシマレーザー(157 nm)、 EUV (極紫外線)、 VUV (真空紫外線)、 EB (電子線)、 X線、軟 X線等の放射線を用いて行うことができ る。

実施例

[0088] 以下、本発明を実施例を示して詳しく説明する。

後述する実施例または比較例のレジスト組成物の諸物性は次のようにして求めた。 (1)ディフエタト

まず、有機系反射防止膜組成物「AR— 19」(商品名、 Shipley社製)を、スピンナ 一を用いてシリコンゥエーハ上に塗布し、ホットプレート上で 215°C、 60秒間焼成して 乾燥させること〖こより、膜厚 82nmの有機系反射防止膜を形成した。得られたレジスト 組成物を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で 120°C、 9 0秒間プレベータ(PAB処理 (post applied bake) )して、乾燥させることにより、反射防 止膜上に膜厚 360nmのレジスト層を形成した。

次に、マスクパターンを介して、露光装置 NSR—S302A (ニコン社製、 NA(numeri cal aperture) (開口数) =0. 6, 2Z3輪帯(annular)照明)を用いて、 ArFエキシマレ 一ザ一(193nm)を用いて選択的に照射した。

そして、 120°C、 90秒間の条件で PEB処理し、さらに 23°Cにて 2. 38質量%テトラ メチルアンモニゥムヒドロキシド水溶液で、 60秒間パドル現像し、その後 20秒間水洗 して乾燥し、ターゲット寸法 130nmのラインアンドスペース(LZS)パターンを形成し た。

前記レジストパターン上のディフエタトを、 KLAテンコール社製の表面欠陥観察装 置 KLA2132 (製品名)を用いて測定し、ゥーハ内の欠陥数を評価した。実施例 、比較例において試験に用いたゥエーハはそれぞれ 3枚で、その平均値を求めた。 下記実施例および比較例にぉ、て、ディフエタトを側長 SEM S - 9220 (日立製 作所社製)により観察したところ、ディフエタトは、全ての実施例、比較例において、ラ インパターンの間が橋掛け状態になる、いわゆるブリッジタイプであることが確認され た。

[0089] 実施例 1

(A)成分として、下記式 (a— 1)で表される共重合体 (a— 1) 100質量部と、(B)成 分としてトリフエ-ルスルホ-ゥムノナフルォロプタンスルホネート 3. 5質量部と、 (D) 成分としてトリエタノールァミン 0. 3質量部と、 γ—プチ口ラタトンを 25質量部と、組成 物における固形分濃度が 9質量%となる量の PGMEA: PGME = 6 :4 (質量比)の混 合溶剤とを混合し、溶解してポジ型のレジスト組成物を調製した。

[0090] [化 12]


(a - 1 )

[n/m/l/k= 35/40/ 15/10 (モル比)、 Mw= 10000]

[0091] 図 1に示すろ過装置の第二のろ過部 4内における第二のフィルタ 4aとして下記に示 すポリエチレン製の中空糸膜フィルタを設置し、上記レジスト組成物 2000mlを、貯 留槽 1から直接、第二のろ過部 4に供給し、第二のろ過部 4内に備えられた第二のフ ィルタ 4aにおいて、そのポリエチレン製の中空糸膜でろ過させてレジスト組成物を得 た。

第二のろ過部 4に供給するレジスト組成物のろ過圧は 0. 3kgfZcm2とした。

'ポリエチレン製の中空糸膜フィルタ:キッッ社より入手したサンプル、孔径 0. 02 であり、仕様はろ過圧 [耐差圧(25°C) ]0. 4MPa、表面積 (ろ過面積) 3000cm2であ つた。また、フィルタの形態(type)は直径 50mm X高さ 15cmのデイスポーザブルタ イブであった。

[0092] 得られたレジスト組成物について、室温(23°C) 1ヶ月の保存後に上記評価を行つ たところ、ディフエタトは、ゥエーハ 1枚につき 78個であった。

[0093] 比較例 1

実施例 1において、第二のフィルタ 4aとして下記に示すポリプロピレン製の中空糸 膜フィルタを用いた以外は実施例 1と同様にしてレジスト組成物を調製し、同様の評 価を行った。

'ポリプロピレン製の中空糸膜フィルタ:製品名「ュ-ポア.ポリフィックス」(キッツネ土製 、孔径は 0. であり、仕様はろ過圧 [耐差圧(20°C) ]0. 4MPa、表面積(ろ過 面積) 3400cm2であった。また、フィルタの形態は直径 58mm X高さ 148. 6mmの デイスポーザブルタイプであった。臨界表面張力は 29dyneZcmであった。 ) その結果、ディフエタトは、ゥエーハ 1枚につき 315個であった。

[0094] 比較例 2

実施例 1において、第二のフィルタ 4aとして下記に示すポリエチレン製の平膜フィ ルタを用いた以外は実施例 1と同様にしてレジスト組成物を調製し、同様の評価を行 つた o

'ポリエチレン製の平膜フィルタ:製品名「マクロガード UPEフィルタ」(マイクロリス社 製、孔径は 0. 02 mであり、ろ過圧はフィルタに応じて調整した。臨界表面張力は 3 IdyneZ cmで teつた。 )

その結果、ディフエタトは、ゥエーハ 1枚につき 9134個であった。

[0095] 比較例 3

実施例 1において、第二のフィルタ 4aとして下記に示すポリエチレン製の平膜フィ ルタを用いた以外は実施例 1と同様にしてレジスト組成物を調製し、同様の評価を行 つた o

'ポリエチレン製の平膜フィルタ:製品名「マクロガード UPEフィルタ」(マイクロリス社 製、孔径は 0. 01 mであり、ろ過圧はフィルタに応じて調整した。臨界表面張力は 3 IdyneZ cmで teつた。 )

その結果、ディフエタトは、ゥエーハ 1枚につき 489個であった。

[0096] 実施例 1および比較例 1〜3の結果を下記表 1に示す。表 1中、 PEはポリエチレン、 PPはポリプロピレンを示す。

表 1に示すように、ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィルタを用いた実施例 1で は、ディフエタトの発生が抑制されていた。

一方、フィルタとして、実施例 1と同じ孔径を有する中空糸膜であってもポリプロピレ ン製のものを用いた比較例 1や、実施例と同じ孔径を有するポリエチレン製であって も平膜タイプのものを用いた比較例 2では、ディフエタトが実施例 1よりも多く発生して いた。

また、実施例 1では、孔径が小さい平膜のフィルタを用いた比較例 3よりもディフエク トが少な力つた。このことから、処理能力が高い比較的孔径の大きなフィルタを用いて も優れたディフタト改善効果が得られ、生産性が向上する。

[0097] [表 1]


[0098] 実施例 2

(A)成分として下記式 (a— 2)で表される共重合体 (a— 2) 100質量部と、(B)成分 としてトリフエ-ルスルホ-ゥムノナフルォロブタンスルホネート 2. 0質量部と、(D)成 分としてトリエタノールァミン 0. 2質量部と、 γ—プチ口ラタトン 25質量部と、組成物に おける固形分濃度が 9質量%となる量の PGMEAとを混合し、溶解してポジ型のレジ スト組成物を調製した。

[0099] [化 13]


(a - 2)

[nZmZlZk=35Z35Zl5Zl5 (モル比)、 Mw= 10000]

[0100] 図 1に示すろ過装置の第一のろ過部 2内における第一のフィルタ 2aとして下記に示 すナイロン製の平膜フィルタを設置し、第二のろ過部 4内における第二のフィルタ 4a として下記に示すポリエチレン製の中空糸膜フィルタを設置し、上記で調製したレジ スト組成物 4000mlを、貯留部 1から第一のろ過部 2に供給し、順次、第一のフィルタ 2aおよび第二のフィルタ 4aでろ過してレジスト組成物を得た。

なお、第一のろ過部 2、第二のろ過部 4に供給するレジスト組成物のろ過圧は 0. 4k gfz cmとし 7こ。

'ナイロン製の平膜フィルタ:製品名「ウルチポア N66」(ポール株式会社製、孔径は 0 . 04 mであり、ゼータ電位は— 15mVであった。仕様はろ過圧 [耐差圧(38°C) ]4 . 2kgfZcm2、表面積(ろ過面積) 0. 09m2であった。また、フィルタの形態は直径 72 mm X高さ 114. 5mmのデイスポーザブルタイプであった。臨界表面張力は 77dyne Zcmであった。 ) 'ポリエチレン製の中空糸膜フィルタ:キッッ社より入手したサンプル (孔径は 0. 02 mであり、仕様はろ過圧 [耐差圧(20°C) ]0. 4MPa、表面積 (ろ過 面積) 3400cm2であった。また、フィルタの形態は直径 58mm X高さ 148. 6mmの デイスポーザブルタイプであった。臨界表面張力は 29dyneZcmであった。

[0101] 得られたレジスト組成物について、 40°C2週間保存後に上記の評価を行ったところ 、ディフエタトは、ゥエーハ 1枚につき 67個であった。

[0102] 比較例 4

実施例 2において、第二のフィルタ 4aとして下記に示すポリプロピレン製の中空糸 膜フィルタを用いた以外は実施例 2と同様にしてレジスト組成物を調製し、同様の評 価を行った。

'ポリプロピレン製の中空糸膜フィルタ:製品名「ュ-ポア.ポリフィックス」(キッツネ土製 、孔径は 0. であり、仕様はろ過圧 [耐差圧(20°C) ]0. 4MPa、表面積(ろ過 面積) 3400cm2であった。また、フィルタの形態は直径 58mm X高さ 148. 6mmの デイスポーザブルタイプであった。臨界表面張力は 29dyneZcmであった。 ) その結果、ディフエタトは、ゥエーハ 1枚につき 207個であった。

[0103] 比較例 5

実施例 2において、第二のフィルタ 4aとして下記に示すポリエチレン製の平膜フィ ルタを用いた以外は実施例 2と同様にしてレジスト組成物を調製し、同様の評価を行 つた o

'ポリエチレン製の平膜フィルタ:製品名「マクロガード UPEフィルタ」(マイクロリス社 製、孔径は 0. 02 mであり、ろ過圧はフィルタに応じて調整した。臨界表面張力は 3 IdyneZ cmで teつた。 )

その結果、ディフエタトは、ゥエーハ 1枚につき 346個であった。

[0104] 実施例 2および比較例 4〜5の結果を下記表 2に示す。表 2中、 PEはポリエチレン、 PPはポリプロピレンを示す。

表 2に示すように、ポリエチレン製の中空糸膜を備えたフィルタを用いた実施例 2で は、ディフエタトの発生が抑制されていた。

一方、フィルタとして、実施例 2と同じ孔径を有する中空糸膜であってもポリプロピレ ン製のものを用いた比較例 4や、実施例と同じ孔径を有するポリエチレン製であって も平膜タイプのものを用いた比較例 5では、ディフエタトが実施例 2よりも多く発生して いた。

[0105] [表 2]

ディフ: nクト

(個) 第二のフィルタ 4a

40 2週間 膜の形状 材質 孔径

実施例 2 67 中空糸膜 PE 0. 02 / m 比較例 4 207 中空糸膜 PP

比較例 5 346 平膜 PE 0. 02 m

[0106] 上記結果より、本発明に係る実施例においては、ポリエチレン製の中空糸膜を備え たフィルタを用レ、ることにより、ディフエタトが大幅に改善されることが明らかとなつた。 産業上の利用可能性

[0107] 本発明によれば、ディフエタトの発生が抑制されたレジスト組成物の製造方法、前 記製造方法に好適に使用できるろ過装置、前記ろ過装置を搭載したレジスト組成物 の塗布装置、およびディフエタトの発生が抑制されたレジスト組成物を提供できる。し たがって本発明は産業上極めて有用である。