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Pub. No.:    WO/2007/010748    International Application No.:    PCT/JP2006/313457
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 06.07.2006
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKASHIMA, Masanobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUMI, Katsuto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKASHIMA, Masanobu; (JP).
SUMI, Katsuto; (JP)
Agent: HIROTA, Koichi; HIROTA, NAGARE & ASSOCIATES 4th Floor, Shinjuku TR Bldg. 2-2-13, Yoyogi Shibuya-ku, Tokyo 151-0053 (JP)
Priority Data:
2005-209235 19.07.2005 JP
(JA) パターン形成方法
Abstract: front page image
(EN)A patterning method for performing exposure for lithography while inclining an optical modulation means in which a permanent pattern such as a wiring pattern can be formed efficiently with high precision by forming a desired lithography pattern on the surface of a photosensitive layer to be exposed while suppressing generation of jaggy without lowering the exposure speed. At least any one of the arrangement pitch (a), inclination angle (b), lithography pitch (c), and phase difference (d) of lithography pixels is set such that at least any one of the jaggy pitch and jaggy amplitude of jaggy generated through reproduction of lithography pixels formed by a pixel lithography section does not exceed a predetermined value, and the pixel writing section is subjected to modulation control in a predetermine timing based on the pattern information.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation de motifs permettant de réaliser une exposition pour une lithographie tout en inclinant un moyen de modulation optique dans lequel un motif permanent, comme un motif de câblage, peut être formé efficacement, avec une forte précision, en formant un motif de lithographie souhaité sur la surface d'une couche photosensible à exposer tout en supprimant la génération d'irrégularités sans abaisser la vitesse d'exposition. Au moins le pas d'agencement (a), l'angle d'inclinaison (b), le pas de lithographie (c) et la différence de phase (d) des pixels de lithographie est réglé de sorte qu'au moins le pas ou l'amplitude des irrégularités générées par la reproduction des pixels de lithographie formés par une section de lithographie de pixels n'excède pas une valeur prédéterminée ; la section d'écriture des pixels est soumise à un contrôle de modulation dans un délai prédéterminé en fonction des informations de motif.
(JA) 本発明は、光変調手段を傾斜させて描画を行う露光を行うパターン形成方法において、露光速度を低下させることなく、感光層の被露光面上にジャギーの発生が抑制された所望の描画パターンを形成することにより、配線パターン等の永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能なパターン形成方法を提供する。  このため、描素部により形成された描画画素で再現されることにより生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、描画画素の配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報に基づいて前記描素部を所定のタイミングで変調制御して行われるパターン形成方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)