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1. (WO2007010696) IMAGING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/010696    International Application No.:    PCT/JP2006/312317
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 20.06.2006
H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/335 (2006.01), H04N 9/07 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHIZAWA, Hiroshi; (For US Only)
Inventors: NISHIZAWA, Hiroshi;
Agent: OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Kasumigaseki Building 36F, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006036 (JP)
Priority Data:
2005-210882 21.07.2005 JP
2005-210883 21.07.2005 JP
2005-210886 21.07.2005 JP
(JA) 撮像装置
Abstract: front page image
(EN)An imaging device includes: a semiconductor imaging element having a plurality of photo diodes and color filters; and an imaging optical system for introducing light from an object to the semiconductor imaging element. An opening of each of the photodiodes of the semiconductor imaging element has a diameter (40, 41) decided according tot he wavelength of the light transmitting through the color filter arranged at the incident surface side of the photodiode. Thus, in a camera module using the semiconductor imaging element, the pixel size is reduced. It becomes possible to prevent image degradation of the imaging device within a range affected by undulations and reduce the device size and thickness.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d’imagerie comportant : un élément d’imagerie semi-conducteur comportant une pluralité de photodiodes et de filtres de couleur ; et un système d’imagerie optique servant à introduire la lumière émise par un objet dans l'élément d’imagerie semi-conducteur. Une ouverture de chacune des photodiodes de l’élément d’imagerie semi-conducteur présente un diamètre (40, 41) déterminé en fonction de la longueur d’onde de la lumière transmise à travers le filtre de couleur disposé du côté de la surface incidente de la photodiode. Ainsi, dans un module de camera utilisant l’élément d’imagerie semi-conducteur, la taille des pixels est réduite. Il devient possible d'empêcher la dégradation du dispositif d'imagerie dans un domaine affecté par les ondulations et de réduire la taille et l'épaisseur du dispositif.
(JA) 撮像装置は、複数のフォトダイオードおよびカラーフィルタを有する半導体撮像素子と、被写体からの光を半導体撮像素子に導く撮像光学系とを備え、半導体撮像素子のそれぞれのフォトダイオードの開口の径(40)(41)は、そのフォトダイオードの入射面側に設けられたカラーフィルタを透過する光の波長に応じて決定されている。これにより、半導体撮像素子を用いたカメラモジュールにおいて、画素サイズが微細化して波動の影響を受ける範囲において撮像装置の画質劣化を防止し小型・薄型化を可能となる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)