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1. (WO2007009889) IMPROVED MATERIALS FOR INSULATORS IN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/009889    International Application No.:    PCT/EP2006/063966
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 06.07.2006
IPC:
H01L 51/05 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
BRABEC, Christoph [AT/AT]; (AT) (For US Only).
WALDAUF, Christoph [AT/AT]; (AT) (For US Only)
Inventors: BRABEC, Christoph; (AT).
WALDAUF, Christoph; (AT)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Priority Data:
10 2005 034 415.1 22.07.2005 DE
Title (DE) VERBESSERTE MATERIALIEN FÜR ISOLATOREN IN ORGANISCHEN FELDEFFEKTTRANSISTOREN
(EN) IMPROVED MATERIALS FOR INSULATORS IN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) MATERIAUX AMELIORES POUR ISOLANTS DANS DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Abstract: front page image
(DE)Die Anmeldung betrifft das Gebiet von organischen Feldeffekttransistoren. Die Erfindung bezieht sich auf einen organischen Feldeffekttransistor. Als Gate-Isolatormaterial für die Gate-Isolatorschicht des Transistors wird dabei ein Material gewählt, welches photochemisch aushärtbar und/oder strukturierbar ist. Hierdurch ist sowohl eine Gate-Isolatorschicht besserer Qualität als auch ein einfacheres Herstellungsverfahren für den Transistor erreichbar.
(EN)The invention relates to the realm of organic field effect transistors, more particularly an organic field effect transistor. A material that can be photochemically cured and/or structured is selected as a gate insulator material for the gate insulator layer. This makes it possible to obtain a gate insulator layer having an improved quality as well as create a simpler method for producing the transistor.
(FR)L'invention a trait au domaine des transistors à effet de champ organiques. L'invention concerne en particulier un transistor à effet de champ organique. Le matériau choisi pour la couche d'isolant de grille du transistor est un matériau qui peut être durci et/ou texturé photochimiquement, ce qui permet d'améliorer la qualité de la couche d'isolant de grille et de simplifier le procédé de production du transistor.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)