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1. (WO2007009546) PRINTABLE ETCHING MEDIA FOR SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE LAYERS
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Pub. No.: WO/2007/009546 International Application No.: PCT/EP2006/005937
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 21.06.2006
IPC:
C03C 15/00 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
03
GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
C
CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
15
Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
Applicants:
MERCK PATENT GMBH [DE/DE]; Frankfurter Strasse 250 64293 Darmstadt, DE (AllExceptUS)
STOCKUM, Werner [DE/DE]; DE (UsOnly)
KUEBELBECK, Armin [DE/DE]; DE (UsOnly)
NAKANOWATARI, Jun [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors:
STOCKUM, Werner; DE
KUEBELBECK, Armin; DE
NAKANOWATARI, Jun; JP
Common
Representative:
MERCK PATENT GMBH; Frankfurter Strasse 250 64293 Darmstadt, DE
Priority Data:
10 2005 033 724.415.07.2005DE
Title (DE) DRUCKFÄHIGE ÄTZMEDIEN FÜR SILIZIUMDIOXID- UND SILIZIUMNITRIDSCHICHTEN
(EN) PRINTABLE ETCHING MEDIA FOR SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE LAYERS
(FR) AGENTS D'ATTAQUE ADAPTES A L'IMPRESSION, DESTINES A DES COUCHES DE DIOXYDE DE SILICIUM ET DE NITRURE DE SILICIUM
Abstract:
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues druckfähiges Ätzmedium mit nichtnewtonschem Fließverhalten zum Ätzen von Oberflächen in der Herstellung von Solarzellen sowie dessen Verwendung. Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin auch Ätz- und Dotiermedien, welche sowohl zum Ätzen von anorganischen Schichten als auch zum Dotieren darunter liegender Schichten geeignet sind. Insbesondere handelt es sich um entsprechende partikelhaltige Zusammensetzungen, durch die sehr selektiv feinste Strukturen geätzt werden können, ohne angrenzende Flächen zu beschädigen oder anzugreifen.
(EN) The present invention relates to a novel printable etching medium having non-Newtonian flow behaviour for etching surfaces in the production of solar cells, and also to the use thereof. The present invention furthermore also relates to etching and doping media which are suitable both for etching inorganic layers and for doping underlying layers. In particular, corresponding particle-containing compositions are involved which can be used to etch extremely fine structures very selectively without damaging or attacking adjoining areas.
(FR) La présente invention concerne un nouvel agent d'attaque adapté à l'impression et à mode d'écoulement non newtonien, servant à l'attaque de surfaces dans la fabrication de cellules solaires, ainsi que l'utilisation dudit agent. Cette invention concerne également des agents d'attaque et de dopage convenant aussi bien à l'attaque de couches inorganiques qu'au dopage de couches situées en dessous. L'invention concerne en particulier des compositions correspondantes contenant des particules et permettant l'attaque très sélective de structures ultrafines, sans risque d'endommager ou d'attaquer des surfaces adjacentes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)
Also published as:
KR1020080033414EP1904413JP2009501247US20080200036CN101223116JP2015083682
MYPI 20063341IN656/KOLNP/2008