Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2007009284) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2007/009284 International Application No.: PCT/CH2006/000374
Publication Date: 25.01.2007 International Filing Date: 18.07.2006
IPC:
H01L 29/744 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
68
controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
70
Bipolar devices
74
Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
744
Gate-turn-off devices
Applicants:
ABB TECHNOLOGY AG [CH/CH]; Affolternstrasse 44 CH-8050 Zürich, CH (AllExceptUS)
RAHIMO, Munaf [GB/CH]; CH (UsOnly)
STREIT, Peter [CH/CH]; CH (UsOnly)
Inventors:
RAHIMO, Munaf; CH
STREIT, Peter; CH
Agent:
ABB SCHWEIZ AG; Intellectual Property (CH-LC/IP) Brown Boveri Strasse 6 CH-5400 Baden, CH
Priority Data:
05405450.722.07.2005EP
Title (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abstract:
(EN) The power semiconductor device (1) with a four-layer npnp structure can be turned-off via a gate electrode (5). The first base layer (8) comprises a cathode base region (81) adjacent to the cathode region (6) and a gate base region (82) adjacent to the gate electrode (5), but disposed at a distance from the cathode region (6). The gate base region (82, 82') has the same nominal doping density as the cathode base region (81) in at least one first depth, the first depth being given as a perpendicular distance from the side of the cathode region (6), which is opposite the cathode metallization (2). The gate base region (82, 82') has a higher doping density than the cathode base region (81) and / or the gate base region (82) has a greater depth than the cathode base region (81) in order to modulate the field in blocking state and to defocus generated holes from the cathode when driven into dynamic avalanche.
(FR) L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur de puissance (1) possédant une structure à quatre couches npnp, qui peut être désamorcé via une électrode de grille (5). La première couche de base (8) comprend une région de base cathodique (81) adjacente à la région cathodique (6) et une région de base à grille (82) adjacente à l'électrode de grille (5), mais disposée à une certaine distance de la région cathodique (6). La région de base à grille (82, 82') présente la même densité de dopage nominale que la région de base cathodique (81), sur au moins une première profondeur, la première profondeur étant définie sous la forme d'une distance perpendiculaire par rapport au côté de la région cathodique (6), qui est opposée à la métallisation cathodique (2). La région de base à grille (82, 82') présente une densité de dopage plus élevée que la région de base cathodique (81) et/ou la région de base à grille (82) est plus profonde que la région de base cathodique (81), de manière à moduler le champ en état hors- service et à défocaliser des trous produits par la cathode soumise à une avalanche dynamique.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP1746661EP1908116US20080164490CN101228635IN350/CHENP/2008