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1. (WO2007008705) UNIFORM BATCH FILM DEPOSITION PROCESS AND FILMS SO PRODUCED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/008705    International Application No.:    PCT/US2006/026588
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 10.07.2006
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/477 (2006.01)
Applicants: AVIZA TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 440 Kings Village Road, Scotts Valley, CA 95066 (US) (For All Designated States Except US).
BAILEY, Robert, Jeffrey [US/US]; (US) (For US Only).
QIU, Taiquing, Thomas [US/US]; (US) (For US Only).
PORTER, Cole [US/US]; (US) (For US Only).
LAPARRA, Olivier [US/US]; (US) (For US Only).
CHATHAM, Roert, Hood [US/US]; (US) (For US Only).
MOGAARD, Martin [US/US]; (US) (For US Only).
TREICHEL, Helmuth [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BAILEY, Robert, Jeffrey; (US).
QIU, Taiquing, Thomas; (US).
PORTER, Cole; (US).
LAPARRA, Olivier; (US).
CHATHAM, Roert, Hood; (US).
MOGAARD, Martin; (US).
TREICHEL, Helmuth; (US)
Agent: GOLDSTEIN, Avery, N.; GIFFORD, KRASS, GROH, SPRINKLE, ANDERSON & CITKOWSKI, P.C., 2701 Troy Ctr. Dr., Ste 330; Po Box 7021, Troy, MI 48007-7021 (US)
Priority Data:
60/697,784 09.07.2005 US
11/482,887 07.07.2006 US
Title (EN) UNIFORM BATCH FILM DEPOSITION PROCESS AND FILMS SO PRODUCED
(FR) PROCEDE DE DEPOT DE FILMS PAR LOTS UNIFORMES, ET FILMS PRODUITS PAR CE PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)A batch of wafer substrates is provided with each wafer substrate having a surface. Each surface is coated with a layer of material applied simultaneously to the surface of each of the batch of wafer substrates. The layer of material is applied to a thickness that varies less than four thickness percent across the surface and exclusive of an edge boundary and having a wafer-to-wafer thickness variation of less than three percent. The layer of material so applied is a silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride with the layer of material being devoid of carbon and chlorine. Formation of silicon oxide or a silicon oxynitride requires the inclusion of a co-reactant. Silicon nitride is also formed with the inclusion of a nitrification co-reactant. A process for forming such a batch of wafer substrates involves feeding the precursor into a reactor containing a batch of wafer substrates and reacting the precursor at a wafer substrate temperature, total pressure, and precursor flow rate sufficient to create such a layer of material. The delivery of a precursor and co-reactant as needed through vertical tube injectors having multiple orifices with at least one orifice in registry with each of the batch of wafer substrates and exit slits within the reactor to create flow across the surface of each of the wafer substrates in the batch provides the within- wafer and wafer-to-wafer uniformity.
(FR)L'invention concerne un lot de substrats de plaquettes, chaque substrat de plaquettes présentant une surface. Chaque surface est revêtue d'une couche de matériau appliquée simultanément à la surface de chaque lot de substrats de plaquettes. La couche de matériau est appliquée sur une épaisseur qui varie de moins de quatre pourcent sur toute la surface, à l'exclusion d'une limite périphérique, la variation de l'épaisseur plaquette-à-plaquette étant inférieur à trois pourcent. La couche de matériau ainsi appliquée est un oxyde de silicium, un nitrure de silicium ou un oxynitrure de silicium, et est exempte de carbone et de chlore. La formation d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium nécessite l'inclusion d'un coréactif. Le nitrure de silicium est également formé avec inclusion d'un coréactif de nitrification. Un procédé de formation d'un tel lot de substrats de plaquettes consiste à: alimenter le précurseur dans un réacteur contenant un lot de substrats de plaquettes; et réagir le précurseur à une température des substrats de plaquettes, à une pression totale, et à un débit du précurseur suffisants pour créer ladite couche de matériau. L'uniformité dans les plaquettes et de plaquette-à-plaquette est créée par la diffusion appropriée d'un précurseur et d'un coréactif, par des injecteurs de tubes verticaux comportant de multiples orifices, dont au moins un est aligné sur chaque lot de substrats de plaquettes, et des fentes d'évacuation ménagés dans le réacteur pour créer un écoulement sur toute la surface de chaque substrat de plaquettes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)