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1. (WO2007008699) APPARATUS AND METHOD FOR READING AN ARRAY OF NONVOLATILE MEMORY CELLS INCLUDING SWITCHABLE RESISTOR MEMORY ELEMENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/008699    International Application No.:    PCT/US2006/026579
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 10.07.2006
IPC:
G11C 11/00 (2006.01), G11C 7/00 (2006.01)
Applicants: SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 Mccarthy Blvd., Milpitas, California 95035 (US) (For All Designated States Except US).
SCHEUERLEIN, Roy E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SCHEUERLEIN, Roy E.; (US)
Agent: GRAHAM, Andrew, C.; ZAGORIN OBRIEN & GRAHAM LLP, 7600b N. Capital Of Texas Hwy., Suite 350, Austin, Texas 78731-1191 (US)
Priority Data:
11/179,123 11.07.2005 US
Title (EN) APPARATUS AND METHOD FOR READING AN ARRAY OF NONVOLATILE MEMORY CELLS INCLUDING SWITCHABLE RESISTOR MEMORY ELEMENTS
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LIRE UNE MATRICE DE CELLULES DE MEMOIRE NON VOLATILES, INTEGRANT DES ELEMENTS DE MEMOIRE A RESISTANCE COMMUTABLE
Abstract: front page image
(EN)A non volatile memory cell (220) includes a svvitchable resistor memory element (222) in series with a switch device (224). an array of such cells (220) may be programmed using only positive voltages. A method for programming such cells (220) also support a direct write of both 0 and 1 data states without requirement of a block erase operation, and is scalable for use with relatively low voltage power supply. A method reading such cells (220) reduces read disturb of a selected memory cell (220) by impressing a read bias voltage (BIAS) having a olarity opposite that of a set voltage employed to change the switchable resistor memory element (222) to a low resistance state.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire non volatile comprenant un élément de mémoire à résistance commutable, couplé en série avec un dispositif de commutation. Une matrice de cellules de ce type peut être programmée uniquement à l'aide de tensions positives. L'invention concerne également un procédé de programmation de cellules de ce type, selon lequel il est prévu une écriture directe de deux états de données 0 et 1, sans requérir d'opération d'effacement de bloc et qui peut être échelonné pour une utilisation avec des alimentations en courant de tension relativement faible. Un procédé permettant de lire des cellules de ce type réduit les difficultés de lecture d'une cellule de mémoire sélectionnée, par application d'une tension de polarisation de lecture de polarité opposée à une tension établie utilisée pour faire passer l'élément de mémoire à résistance commutable à un état de résistance faible. De tels procédés de programmation et de lecture se prêtent à une utilisation dans une matrice de mémoire tridimensionnelle formée en de multiples niveaux au-dessus d'un substrat, en particulier ceux qui présentent des étages d'attaque de ligne de matrice extrêmement compacts sur des éléments d'attaque d'implantation très serrée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)