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1. (WO2007008198) METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/008198    International Application No.:    PCT/US2005/024239
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 08.07.2005
IPC:
C30B 7/10 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA 94607 (US) (For All Designated States Except US).
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 4-1-8, Honcho, Kawaguchi City, Saitama Prefecture 332-0012 (JP) (For All Designated States Except US).
FUJITO, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIMOTO, Tadao [JP/US]; (US) (For US Only).
NAKAMURA, Shuji [JP/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FUJITO, Kenji; (JP).
HASHIMOTO, Tadao; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US)
Agent: GATES, George, H.; Gates & Cooper LLP, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, CA 90045 (US)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURES DU GROUPE III DANS DE L'AMMONIAC SUPERCRITIQUE EN UTILISANT UN AUTOCLAVE
Abstract: front page image
(EN)A method of growing high-quality, group-III nitride, bulk single crystals. The group III-nitride bulk crystal is grown in an autoclave in supercritical ammonia using a source material or nutrient that is a group III-nitride polycrystals or group-III metal having a grain size of at least 10 microns or more and a seed crystal that is a group-III nitride single crystal. The group III-nitride polycrystals may be recycled from previous ammonothermal process after annealing in reducing gas at more then 600°C. The autoclave may include an internal chamber that is filled with ammonia, wherein the ammonia is released from the internal chamber into the autoclave when the ammonia attains a supercritical state after the heating of the autoclave, such that convection of the supercritical ammonia transfers source materials and deposits the transferred source materials onto seed crystals, but undissolved particles of the source materials are prevented from being transferred and deposited on the seed crystals.
(FR)La présente invention concerne un procédé de croissance de cristaux isolés massifs de nitrures du groupe III de haute qualité. Le cristal massif de nitrure du groupe III est cultivé dans un autoclave dans de l'ammoniac supercritique en utilisant comme matière première ou nutriment des polycristaux de nitrure du groupe III ou un métal du groupe III ayant une grosseur de grain d'au moins 10 microns et un germe cristallin qui est un cristal isolé de nitrure du groupe III. Les polycristaux de nitrure du groupe III peuvent être recyclés à partir d'un procédé ammonio-thermique précédent après annelage dans un gaz réducteur à plus de 600 °C. L'autoclave peut inclure une chambre interne emplie d'ammoniac, cet ammoniac passant de la chambre interne dans l'autoclave quand il a atteint un état supercritique à la suite du chauffage de l'autoclave. La convection de l'ammoniac supercritique transfère la matière première et la dépose sur les germes cristallins, tout en empêchant les particules de matière première non dissoutes d'être transférées et déposées sur les germes cristallins.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)