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1. (WO2007008042) CASCODE LOW-NOISE AMPLIFIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/008042    International Application No.:    PCT/KR2006/002765
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 14.07.2006
IPC:
H03F 1/22 (2006.01)
Applicants: FCI inc [KR/KR]; 11F, KINS Tower, 25-1 Jeongja-dong, Bundang-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do 463-811 (KR) (For All Designated States Except US).
OCK, Sungmin [KR/KR]; (KR) (For US Only).
LEE, Joonsuk [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: OCK, Sungmin; (KR).
LEE, Joonsuk; (KR)
Agent: LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13, Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Priority Data:
10-2005-0063593 14.07.2005 KR
Title (EN) CASCODE LOW-NOISE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT CASCODE
Abstract: front page image
(EN)A cascode low-noise amplifier for enhancing linearity is provided. The cascode low-noise amplifier has a two-stage structure in which a common-emitter stage cascaded to a common-base stage, wherein a phase difference of 180 is produced between a third-order intermodulation signal resulting from a fundamental signal input to the common-base stage and a third-order intermodulation signal previously generated at the common-emitter stage. Accordingly, the fundamental signal and the third-order intermodulation signal can be adjusted to have a phase difference of 180 by disposing an impedance matching circuit between a common-emitter (or a common-source) stage of a buffer transistor and a common-base (or a common-gate) stage of an amplifier transistor, and the magnitude difference can be adjusted as well. In addition, the entire linearity of the cascode low-noise amplifier is enhanced by adjusting the impedance value of the impedance matching circuit to an appropriate value so as to cancel the impedance with the third- order intermodulation signal in the subsequent stage.
(FR)La présente invention concerne un amplificateur à faible bruit cascode permettant de renforcer la linéarité. Cet amplificateur à faible bruit cascode possède une structure à deux étages dans laquelle un étage d'émetteur commun est en cascade avec un étage de base commune, une différence de phase de 180 étant produite entre un signal d'intermodulation de troisième ordre résultant d'une entrée de signal fondamental à l'étage de base commune et un signal d'intermodulation de troisième ordre préalablement généré à l'étage d'émetteurs commun. Par conséquent, le signal fondamental et le signal d'intermodulation de troisième ordre peuvent être réglés de façon à posséder une différence de phase de 180 par le dépôt d'un circuit de mise en correspondance d'impédance entre un étage d'émetteur commun (ou une source commune) d'un transistor tampon et un étage de base commune (ou une grille commune) de transistor d'amplificateur et, la différence de magnitude peut être réglée aussi bien. Par ailleurs, la linéarité complète de cet amplificateur à faible bruit cascode est renforcée par le réglage de la valeur d'impédance du circuit de mise en correspondance d'impédance à une valeur adaptée de façon à annuler l'impédance avec le signal d'intermodulation de troisième ordre dans l'étage suivant..
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)