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1. (WO2007007980) LIGHT EMITTING DIODE DEVICE COMPRISING A DIFFUSION BARRIER LAYER AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2007/007980 International Application No.: PCT/KR2006/002653
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 07.07.2006
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Applicants:
LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 20 Yoido-dong, Youngdungpo-gu Seoul 150-721, KR (AllExceptUS)
KANG, Jong-Hoon [KR/KR]; KR (UsOnly)
SHIN, Bu-Gon [KR/KR]; KR (UsOnly)
CHOI, Min-Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
HA, Duk-Sik [KR/KR]; KR (UsOnly)
YU, Min-A [KR/KR]; KR (UsOnly)
KIM, Tae-Su [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventors:
KANG, Jong-Hoon; KR
SHIN, Bu-Gon; KR
CHOI, Min-Ho; KR
HA, Duk-Sik; KR
YU, Min-A; KR
KIM, Tae-Su; KR
Agent:
HAM, Hyun-Kyung; 14F., Kukdong Building, 60-1 Chungmuro3-ka, Chung-ku Seoul 100-705, KR
Priority Data:
10-2005-006098907.07.2005KR
Title (EN) LIGHT EMITTING DIODE DEVICE COMPRISING A DIFFUSION BARRIER LAYER AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF
(FR) DISPOSITIF À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE COMPRENANT UNE COUCHE BARRIÈRE DE DIFFUSION ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Abstract:
(EN) Disclosed is a light emitting diode device in which (a) a substrate; (b) a binder layer; (c) an ohmic contact metal layer; and (d) a light emitting diode section are stacked in sequence, wherein the light emitting diode device has an electrically conductive layer for preventing components of the binder layer from diffusing into the ohmic contact metal layer, and being formed between the ohmic contact metal layer and the binder layer. In such a light emitting diode device, the electrically conductive layer capable of preventing the binder layer components from diffusing into the ohmic contact metal layer is formed between the ohmic contact metal layer and the binder layer, so stability and product qualities of the light emitting diode device can be improved.
(FR) La présente invention décrit un dispositif à diode électroluminescente dans lequel (a) un substrat, (b) une couche de liant, (c) une couche métallique de contact ohmique et (d) une section de diode électroluminescente sont empilés en séquence, où le dispositif à diode électroluminescente possède une couche électroconductrice pour empêcher la diffusion des composants de la couche de liant dans la couche métallique de contact ohmique, couche qui est formée entre la couche métallique de contact ohmique et la couche de liant. Dans un tel dispositif à diode électroluminescente, la couche électroconductrice capable d’empêcher la diffusion des composants de la couche de liant dans la couche métallique de contact ohmique est formée entre la couche métallique de contact ohmique et la couche de liant, de sorte que la stabilité et les caractéristiques de produit du dispositif à diode électroluminescente puissent être améliorées.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)