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1. (WO2007007929) PACKAGING STRUCTURE OF SILICON CONDENSER MICROPHONE AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/007929    International Application No.:    PCT/KR2005/002626
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 11.08.2005
IPC:
H04R 19/04 (2006.01)
Applicants: BSE CO., LTD. [KR/KR]; 58B-4L, 626-3 Gozan-Dong, NamDong-Ku, Incheon 405-817 (KR) (For All Designated States Except US).
PARK, Sung Ho [KR/KR]; (KR) (For US Only).
LIM, Jun [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: PARK, Sung Ho; (KR).
LIM, Jun; (KR)
Agent: SUH, Il-Kyung; 9F, Dongyoung Bldg., 647-11, Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-911 (KR)
Priority Data:
10-2005-0061363 07.07.2005 KR
Title (EN) PACKAGING STRUCTURE OF SILICON CONDENSER MICROPHONE AND METHOD FOR PRODUCING THEREOF
(FR) STRUCTURE DE CONDITIONNEMENT POUR MICROPHONE SILICIUM À CONDENSATEUR ET PROCÉDÉ POUR LE PRODUIRE
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a packaging of a silicon condenser microphone and method for manufacturing the same. The packaging structure of a silicon condenser microphone of the present invention comprises a substrate having an upper surface for disposing the silicon condenser microphone and a circuit unit thereon, the substrate having a back chamber therein, the substrate including an air hole for an air to pass through between the upper surface for disposing the silicon condenser microphone and the back chamber; and a casing covering the silicon condenser microphone and the circuit unit disposed on the upper surface of the substrate for protection thereof. The method for manufacturing a packaging structure of a silicon condenser microphone of the present invention comprises steps of: (a) forming a substrate having a back chamber therein, wherein the substrate includes an air hole for an air to pass through between an upper surface of the substrate, the air hole disposed at a portion of the upper surface where the silicon condenser microphone and a circuit unit is to be disposed; (b) bonding the silicon condenser microphone and the circuit unit to the upper surface of the substrate; and (c) covering the silicon condenser microphone and the circuit unit with a casing to protect the silicon condenser microphone and the circuit unit.
(FR)La présente invention concerne le conditionnement d’un microphone silicium à condensateur et un procédé pour le fabriquer. La structure de conditionnement pour microphone silicium à condensateur de la présente invention comporte un substrat ayant une surface supérieure pour disposer le microphone silicium à condensateur et une unité de circuits installée sur lui, le substrat contenant une chambre arrière, et comprenant un orifice d’aération pour que l’air passe entre la surface supérieure, qui sert à disposer le microphone silicium à condensateur, et la chambre arrière ; la structure ci-décrite comporte en outre un boîtier qui recouvre le microphone silicium à condensateur et l’unité de circuits disposé sur la surface supérieure du substrat afin de les protéger. Le procédé de fabrication d’une structure de conditionnement pour microphone silicium à condensateur de la présente invention comporte les étapes suivantes : (a) former un substrat contenant une chambre arrière, le substrat comprenant un orifice d’aération pour que l’air passe entre une surface supérieure du substrat, ledit orifice d’aération étant disposé au niveau d’une partie de la surface supérieure à l’endroit où le microphone silicium à condensateur et l’unité de circuits doivent être disposés ; (b) coller le microphone silicium à condensateur et l’unité de circuits à la surface supérieure du substrat ; et (c) couvrir le microphone silicium à condensateur et l’unité de circuits par un boîtier afin de les protéger.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)