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1. (WO2007007848) EXTERNAL RESONATOR VARIABLE WAVELENGTH LASER AND ITS PACKAGING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/007848    International Application No.:    PCT/JP2006/313999
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 13.07.2006
IPC:
H01S 5/14 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
MIZUTANI, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
DE MERLI, Jan [BE/JP]; (JP) (For US Only).
KUDO, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUDO, Shinya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIZUTANI, Kenji; (JP).
DE MERLI, Jan; (JP).
KUDO, Koji; (JP).
SATO, Kenji; (JP).
SUDO, Shinya; (JP)
Agent: YAMAKAWA, Masaki; c/o Yamakawa International Patent Office 8th Floor, Shuwa-Tameike Building 4-2, Nagatacho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000014 (JP)
Priority Data:
2005-204195 13.07.2005 JP
Title (EN) EXTERNAL RESONATOR VARIABLE WAVELENGTH LASER AND ITS PACKAGING METHOD
(FR) LASER DE LONGUEUR D'ONDE VARIABLE À RÉSONATEUR EXTERNE ET SA MÉTHODE DE MISE EN BOÎTIER
(JA) 外部共振器型波長可変レーザ及びその実装方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor optical amplifier (1) has an end face reflectivity of at most 0.1% on the side constituting an external resonator, and the value of the finess determined by obtained by dividing the period of the transmission characteristics of a wavelength selection filter (3) by the half-peak value of the transmission characteristic is in the range of 4-25. Even when the reflectivity on the resonator side end face (1bb) of the semiconductor optical amplifier (1) is about 0.1%, the wavelength precision of about ±1.5 GHz can be achieved by setting the finess at 4 or above. The wavelength precision of about ±0.5 GHz can be achieved by setting the finess at 8 or above. In order to suppress insertion loss, the finess of an FP etalon is preferably set at 25 or less. Consequently, an external resonator variable wavelength laser having high wavelength precision can be realized.
(FR)Un amplificateur optique à semi-conducteurs (1) possède une réflectivité de face d'extrémité d'au plus 0,1 % au côté constituant un résonateur externe et la valeur du facteur de qualité déterminée en divisant la période des caractéristiques de transmission d'un filtre sélectif de longueur d'onde (3) par la valeur de demi-crête de la caractéristique de transmission est dans la plage des 4 - 25. Même lorsque la réflectivité de la face d'extrémité latérale (1bb) de l'amplificateur optique à semi-conducteurs (1) est d'environ 0,1 %, la précision d'environ ± 1,5 GHz peut être obtenue en réglant le facteur de qualité à 4 ou plus. La précision d'environ ± 0,5 GHz peut être obtenue en réglant le facteur de qualité à 8 ou plus. De façon à supprimer la perte d'insertion, le facteur de qualité d'un étalon FP est, de préférence de 25 ou moins. Il est ainsi possible de réaliser un laser de longueur d'onde variable à résonateur externe doté d'une haute précision de longueur d'onde.
(JA) 半導体光増幅器(1)の外部共振器を構成する側の端面反射率は高々0.1%であり、前記波長選択フィルタ(3)の前記透過特性の周期を前記透過特性の半値幅で除したフィネスの値は4以上25以下とする。  半導体光増幅器(1)の共振器側端面1bbの反射率が0.1%程度の時でも、フィネスを4以上にすることで波長精度約±1.5GHzが実現できる。さらに、フィネスを8以上にすることで波長精度約±0.5GHzが実現できる。  また、挿入損失を抑えるためにはこのFPエタロンのフィネスを25以下とすることが望ましい。  これにより、高い波長精度を有する外部共振器型波長可変レーザを実現することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)