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1. (WO2007007783) METHOD AND DEVICE FOR FORMING HOLE IN GLASS SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/007783    International Application No.:    PCT/JP2006/313842
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 12.07.2006
IPC:
C03C 19/00 (2006.01), C03B 11/00 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKEKOSHI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKEKOSHI, Kiyoshi; (JP)
Agent: KANEMOTO, Tetsuo; Hazuki International Shinjuku Akebonobashi Building 1-12, Sumiyoshi-cho Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
Priority Data:
2005-204003 13.07.2005 JP
Title (EN) METHOD AND DEVICE FOR FORMING HOLE IN GLASS SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE TROUS DANS UN SUBSTRAT EN VERRE
(JA) ガラス基板の穴あけ方法及び穴あけ装置
Abstract: front page image
(EN)[PROBLEMS] To form a large number of fine and deep holes in a glass substrate with high positional and dimensional precision. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A large number of fine holes are formed in a silicon substrate by photolithographic etching. Hole forming pins are raised in the holes. The silicon substrate is held by a holding member of a hole forming device. A glass substrate is received in a container having an opening in its upper surface. The container is heated to melt the glass substrate in the container. The silicon substrate is then lowered by the holding member and the hole forming pins are inserted into the glass substrate. Thereafter, the container is cooled and the glass substrate is solidified with the hole forming pins inserted in the glass substrate. Finally, the glass substrate is taken out from the container and the hole forming pins are dissolved by aqua regia to form holes in the glass substrate.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à former un grand nombre de trous fins et profonds dans un substrat en verre avec une précision positionnelle et dimensionnelle élevée. La solution proposée est de former un grand nombre de trous fins dans un substrat en silicium par attaque photo-lithographique. On fait monter dans ces trous des broches de formation de trous. Le substrat en silicium est maintenu par un organe de maintien faisant partie d'un dispositif de formation de trous. Un substrat en verre est placé dans un récipient dont la surface supérieure comporte une ouverture. Le récipient est chauffé pour faire fondre le substrat en verre dans le récipient. Le substrat en silicium est ensuite abaissé par l'organe de maintien et les broches de formation de trous sont insérées dans le substrat en verre. Le récipient est ensuite refroidi et le substrat en verre se solidifie, les broches de formation de trous restant insérées dans le substrat en verre. Finalement, le substrat en verre est sorti du récipient et les broches de formation de trous sont dissoutes par de l'eau régale pour former des trous dans le substrat en verre.
(JA)【課題】ガラス基板に多数の微細な深い穴を高い位置精度と寸法精度で形成する。 【解決手段】フォトリソグラフィー技術のエッチングにより、シリコン基板に多数の微細な孔を形成する。その孔に穴あけピンを立設する。そのシリコン基板を穴あけ装置の保持部材に保持させる。ガラス基板を、上面に開口部がある容器に収容する。容器を加熱し、容器内のガラス基板を溶融させる。保持部材によりシリコン基板を下降させ、穴あけピンをガラス基板内に挿入する。その後、容器を冷却し、穴あけピンを挿入した状態でガラス基板を固化する。ガラス基板を容器から取り出し、穴あけピンを王水により溶かして、ガラス基板に穴を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)