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Pub. No.:    WO/2007/007606    International Application No.:    PCT/JP2006/313389
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 05.07.2006
H01L 27/10 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
ISHIHARA, Kazuya [JP/--]; (For US Only)
Inventors: ISHIHARA, Kazuya;
Agent: MASAKI, Yoshifumi; Yodoyabashi NAO Bldg. 7F, 3-6, Imabashi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410042 (JP)
Priority Data:
2005-201118 11.07.2005 JP
(JA) 可変抵抗素子
Abstract: front page image
(EN)In a variable resistance device having a variable resistive element between first and second electrodes and changing its electrical resistance when a voltage pulse is applied between the first and the second electrode, its data retention characteristics can be improved by increasing the write voltage and writing with a large current density. Therefore, when this variable resistance device is applied to nonvolatile memories, a boost-up circuit and the like for supplying a high voltage have been required. If the smaller of the contact areas between the first electrode and the variable resistive element or between the second electrode and the variable resistive element is defined as an electrode area of the variable resistance device, the electrode area of the variable resistance device is set to within a specific range that is less than or equal to a predetermined electrode area. This increases the write current density without increasing the write voltage, thereby obtaining a variable resistance device having improved data retention characteristics even under a high-temperature environment.
(FR)Dans le dispositif à résistance variable selon l’invention comportant un élément à résistance variable entre une première et une seconde électrodes et modifiant sa résistance électrique lorsqu'une impulsion de tension est appliquée entre les première et seconde électrodes, ses caractéristiques de rétention de données peuvent être améliorées en augmentant la tension d’écriture et en écrivant avec une importante densité de courant. Par conséquent, lorsque ce dispositif à résistance variable est appliqué à des mémoires non volatiles, elle entraîne la nécessité d'installer un circuit de stimulation ou similaire pour appliquer une tension élevée. Si la zone de contact la plus petite entre la première électrode et l'élément à résistance variable ou entre la seconde électrode et l'élément à résistance variable est définie comme une zone d’électrode du dispositif à résistance variable, la zone d’électrode du dispositif à résistance variable est réglée dans un écart spécifique inférieur ou égal à une zone d'électrode prédéterminée. Cela augmente la densité de courant d’écriture sans augmenter la tension d’écriture, permettant ainsi d’obtenir un dispositif à résistance variable présentant des caractéristiques de rétention de données améliorées même dans un environnement à haute température.
(JA) 第1電極と第2電極の間に可変抵抗体を設けてなり、両電極間に電圧パルスを印加することにより電気抵抗が変化する可変抵抗素子では、書き込み電圧を上げて、より大きな電流密度で書き込むことにより、データ保持特性を向上させることができる。その為、この可変抵抗素子を不揮発性メモリに応用する場合、高電圧を供給するための昇圧回路等が必要であった。第1電極と可変抵抗体とが接触する領域の面積、もしくは第2電極と可変抵抗体とが接触する領域の面積のうち小さい方の面積を可変抵抗素子の電極面積とした場合、この可変抵抗素子の電極面積をある所定の電極面積以下という特定の範囲内に設定する。これにより、書き込み電圧を上げることなく書き込み電流密度を増加させることができ、高温環境下でもデータ保持特性が向上した可変抵抗素子を提供することが可能となる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)