WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007007537) BOND WAFER REGENERATING METHOD, BOND WAFER, AND SSOI WAFER MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/007537    International Application No.:    PCT/JP2006/312700
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 26.06.2006
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (For All Designated States Except US).
AGA, Hiroji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NOTO, Nobuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: AGA, Hiroji; (JP).
NOTO, Nobuhiko; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 1110041 (JP)
Priority Data:
2005-200436 08.07.2005 JP
Title (EN) BOND WAFER REGENERATING METHOD, BOND WAFER, AND SSOI WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGÉNÉRATION D’UNE PLAQUETTE DE LIAISON, PLAQUETTE DE LIAISON ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE SSOI
(JA) ボンドウエーハの再生方法及びボンドウエーハ並びにSSOIウエーハの製造方法
Abstract: front page image
(EN)In a bond wafer, a graded SiGe layer, a first relaxed SiGe layer, a first silicon layer, a second relaxed SiGe layer and a second silicon layer are formed on a silicon single crystal wafer. From the second silicon layer surface of the bond wafer, hydrogen ions are implanted to form an ion implanted layer in the second relaxed SiGe layer, and after bonding the second silicon layer surface with a base wafer through an insulating layer, peeling is performed by the ion implanted layer. The second relaxed SiGe layer remaining on the peeled bond wafer is removed by a first selective etching solution to expose the first silicon layer, and the first silicon layer is removed by a second selective etching solution to expose the first relaxed SiGe layer. On the first relaxed SiGe layer, a third silicon layer, a third relaxed SiGe layer and a fourth silicon layer are formed, and a bond wafer is regenerated. Thus, the bond wafer regenerating method, by which a high-quality SSOI wafer having no void nor blister can be manufactured at a low cost with a high yield, the bond wafer and an SSOI wafer manufacturing method are provided.
(FR)Dans une plaquette de liaison, une couche de SiGe calibrée, une première couche de SiGe relaxée, une première couche de silicium, une deuxième couche de SiGe relaxée et une deuxième couche de silicium sont formées sur une plaquette monocristalline en silicium. À partir de la surface de la deuxième couche de silicium de la plaquette de liaison, des ions hydrogène sont implantés pour former une couche implantée d'ions dans la deuxième couche de SiGe relaxée, et après avoir lié la surface de la deuxième couche de silicium avec une plaquette de base au moyen d'une couche isolante, un pelage est réalisé par la couche implantée d'ions. La deuxième couche de SiGe relaxée restant sur la plaquette de liaison pelée est retirée par une première solution d'attaque chimique sélective afin d'exposer la première couche de silicium, et la première couche de silicium est retirée par une seconde solution d'attaque chimique sélective afin d'exposer la première couche de SiGe relaxée. Sur la première couche de SiGe relaxée, une troisième couche de silicium, une troisième couche de SiGe relaxée et une quatrième couche de silicium sont formées et une plaquette de liaison est régénérée. Ainsi, le procédé de régénération d’une plaquette de liaison, par lequel une plaquette SSOI de qualité élevée ne comportant aucun vide ou cloque peut être fabriquée à faible coût avec un rendement élevé, la plaquette de liaison et un procédé de fabrication de plaquettes sont proposés.
(JA) シリコン単結晶ウエーハ上に傾斜組成SiGe層、第一緩和SiGe層、第一シリコン層、第二緩和SiGe層、第二シリコン層が形成されたボンドウエーハの第二シリコン層表面から水素イオンを注入し第二緩和SiGe層内部にイオン注入層を形成し、第二シリコン層表面とベースウエーハを絶縁層を介し貼合せた後イオン注入層で剥離し、剥離したボンドウエーハに残留した第二緩和SiGe層を第一選択エッチング液で除去し第一シリコン層を露出させ、第一シリコン層を第二選択エッチング液で除去し第一緩和SiGe層を露出させ、第一緩和SiGe層上に第三シリコン層、第三緩和SiGe層、第四シリコン層を形成しボンドウエーハを再生する。これにより、ボイドやブリスタのない良質なSSOIウエーハを低コストで歩留り高く製造することを可能とするボンドウエーハの再生方法及び再生したボンドウエーハ並びにSSOIウエーハの製造方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)